1、中华人民共和子工业推荐他鄙1 范围租用视Semiconductor device s mechanlcal and climatic test methods 一年里一一i一总法SJjZ 9016 87 IEC 749 ( 1984 ) 本标准列出了适用于半字体器件分立器伴在1祟成电lS&)的试:1主方法。使用时可从中进行选摔。对于非空应j15件，可以要求补充的试验方法。2 泞:.非空腔器件是才旨在在件设计中的封装材料与所有管芯;器;需麦丽紧密攫触且没在任何空的本标准己尽可能考虑了SJ/29001 87 (IEC 68号标准)一基本环境试确定统一的优选试贤，可:715及世力等级自甘优选佳，!互
2、支i平(ft半寻体辞件的环境性能。如本棒准与有关规范丰f:汪汪虫叶，应以有关规活为准。S术语、崽义和文字持引用下列标准zSJ/Z 9001 87 (IEC 68号标准一一基本环境试验规程，IEC 747号:和佳半导体嚣件分立器件和集成电路), IEC 748号标准一字字体潜件集成电路。4 提准大气条件引用ISJ/Z 9001.1 37 ( IEC 68 1号掠准事55度，1912)，第1部分s总则和导则。除非另有规足，所有两企F:l恢复应在IEC6.8 1寻际准5.3条规边的原准大气条件下进行。其条件是z1535C, 相对湿度I45 Yt 75% (适用时), 一一中华人民共和国电子工业部19
3、87-0914挠准1 SJ/Z 9018 87 气压I8S ,10SkPa ( 860NI060mbar ). 所有的电测量以及测量之前的恢复应在下列大气条件下进行，温度，25土50、相对湿度I45%-.75 (适用时)，气压.86,=:10SkPa ( 860,1060m.bar ). 基准试验应在下列标准大气条件下进行s温度I25士10, 度气压.86106kPa ( 860nl060mbar ) 0 ，应使梓晶贮存为止.过程申的环境温虞应在试告申加以说明.申，梓晶、的某s 租尺5.1 日检应包括za ) 标志的致险和耐久性试验方法z正在考虑中)J b ) 包插引出端在内的封装缺陷sc )
4、 包插引出端在内i39主fi是工笃质室。5.2 应验证有关规范中给出的尺寸。 5.8 若无荒宫规定，应!f233伴功大小将其放大310借来进行外观检查 电溺6.1 对于环境试验而言，应从IEC747式748号栋准者关接收和可靠性的章节中选运量士生聋的特性，各种器件类别JJ视定了需检查的特性。8.2 I测量;条件s见IEC747成748弓惊准有关接收和可靠性章节中的耐久性试条件表.6.3初如果只要求规范上限判掘和或施范下限判据时，制造广可自行决定是否进行初始测量。当以各个器件的各个值为判据时，则22边fT初始叫J凡。6.4 环撞试验过程中的监测适用时才规定。6.6 当有关规范要求出某项试验作为一
5、组试验分组的一部分时，只要求在该组试络了时进行测量。对于某些试验，例如可焊惶或引线疲劳，则可采用电参数不合格件。2 J/Z .016 87 E 试验方法根据器件类装形式来选择适合的试验方法，有关规范远规寇哪些试验是合过的。1 引出引用.SJ/Z 9001.33 87 ( IEC 68 2 21号标准第4版，1983) U.引出端和整体安装件强度。1.1 拉力本试验应按试验U.1的规定，其特殊要求如下，在2.6条中改;7g.试验后，在放大3，.10倍下进行检查。如果出现断裂密封弯月面处除外人松动或引线或引出端对移动时，器件应拒收。1.2 弯曲本试验应按试验叭的喝道，其糟殊要求如下，在双列直插式封
6、装E!X:-R以好装结构使得采用方法1进行试验是因况下，对于这种营体封装结构只推荐4.2条，方法2。1.8 扭力本试验应按试验Uc的规定，其特殊要求如下，方法应采用方法A(严酷度2)或方法B。失效判当去掉应力之后将其放大10，-20倍进行检查时，出现任何断裂外、松动或在引出端与器件营体之间出现相对移动，都应1.4 转矩1.4.1 螺栓的转矩试验本试验应按试验Ud的规定，其特殊要求如下z如果器件出现下列情况币的任何一种，该器件就应视为失效=一栓破裂或伸最超过螺矩的1!2J-有螺纹磨损或管道变形崎迹象，一一试验盾器件通不过电测量(如果适用。1.4.2 引出线的转矩试验新的试验(Ud2 ) 1.4.
7、2.1 目的2部分s试验件管体之间榈的或行不通的月面处除。确定器件经装自己后，在检查或维修过程中，引出端可承受的外加扭力的能力.1.4.2.2 试验方法器件FEj二田地面是洋在被试引出辅k缕贤地市加特培育吃围为，直至担博角远司由3 SJ/Z 9016 81 30土10。或达到规定的转矩，以首先出现的状态为，即然后将1.4X 10-2土1.4X10-3N.m简堵墙加到踵营体3.0土O.5IUm的引出哺，或加在离引出端未端1mm以内如引出端不足3mm时的地方，健引尚端恢复到嚷来位且。B口转矩应在每个方向当器件具有靠体形成的引出端时，可在E巨引出喘根部3.0士0.5mm处施加转矩。1.4.2.3 试
8、验后，将其放大3iO倍进行检查。如果引出端出现断裂、松动或者在引出端与体之间出现相对移动的任何迹象，器件就应被拒收。1.4.2.4 有关规范中应给出的内容试引出端的选择泣数2 引用l-5J/Z 9001.31 87 ( IC 68 2一20第4版，1979)，试验T，锡焊2.1可本试验血按试验飞的规定，其特殊要求如下，当边择方法1时z引出端经受焊槽法。引出端浸人槽内到离器件底平面1.5mm以内或浸人到有关规范中规定的;R;I:J阻间。注2当浸入的怯度距当选择方法2时a面达不到1.5mm时，引出端经受A号焰铁头的烙铁焊接法。烙铁的规定，焰铁焊接的时间应为3.5士0.550，当选择方法3时s可采用
9、其它失效判j据并应加以 体的应范引出端经受焊球法。各引出端均在离器2.55时间内沾I7厅啊。体5土1mm的点上进行试验。引线应在良好润湿的判据在放大10倍进行观察时，润温表面应覆盖一层平滑而光亮的焊料涂层，其分散的缺陷，如针孔或未润温面积的擦边应不大于5%。这些缺陷不应集中在一处。2.2 耐焊接热本试验应按试验Tb的规定，其特殊要求如下s方法应采用浸人时间为10士15的方法lA戎应采用方法lB。3 iE 引用:5J/Z 9001.18 87( IEC 68一2一6号标准第5版，1982 ) ，试验Fc和导则，振动(正弦及第1号修改(1983 )。4 SJ;Z 9016一的本试验应按J:验Fc的
10、规定，其特殊要求如下，一-试验泣起中播件的sl线和皆体应牢固国寇，一扫描恃续时间，一加j每i主a196mjS! ( 20gn ) J 一-烦卒!d:100J2000Hz, 每个轴向的锚环次数I15。4 冲击引)哥:SJ!Z 9001.23 87 (IEC 2 27号标准，第1号修改(1982 ) 闹;在2号修改(1983 ) 0 本试验应战试验E.的规定，其特殊要求如下应丛下表中边择适当的条件，选择时要;专虑到器件的二一峰j定14700m/s2 (15 l) ogD.) 4900mjsl (500gn ) 980m/sl ( 100gn ) 搏续时闯O.5ms 1.0ms 6.0ms 一一，1
11、972)，试垃E.，冲击，及内部结掏。i虎形半正弦波半正弦旋半E弦波器件应在三个互相!ITiJ:轴的两个方向上都承受三次连续冲击，即冲击总次数为18次见IEC68 2一27号标准5.2条)，茸茸铀的选撵应使失效能充./.1事峙。在试验的过程中器件的管体和引线牢固地固定。5 lJo 引用:SJ/2 9001.27- 87 ( IEC 68 2一7号标准，第2版，1983)，试验G.和鄂则z稳态加速度。本试验应按试验GaB1坝定，其特殊要求如下s安装按照SJ/20001.41 87 ( IEC 68 2 47号标准)元件、设备和其它产品在C冲击( E.人碰撞(Eb )、振动(Fc在IFd)和稳态加
12、速度(Ga)等试验中的安装导则中的第4条，应夹紧被试器件的管壳平日引线。序除非另有规定，应在三个主轴的两个方向上都施加加速度，刊i司、至少为lmino优边的严酷度质量小于1饨的器件为lCJ6000rnjS1( 20000gn ) J 质量为lOlO饨的器件为19600m/SZ( 2000gn ) J 质E大_f100g的器件为49GOm;S2 ( 500gn九5 6 有关规范中应给出的内1 ) 严酷度，m) 加速度轴和方向。6.1 概述6.1.1 目的$J/2 916 87 用来测定键合强度E.确远是否符合规定的键合强度的要求。6.1.2 试验的一般说明介绍六种方法，每种方法都有各自的用途s方
13、itA在j方法B，用于直接对内引主运施加垃力，以试验器件内部的键合强度量一千方证C，用于器件外部的键合，它是在引线或引出端与底盘或基片之间施加剥离的应力，方法D，用于内部键合，它是在芯片和基片之间或对类似的面键合结掏施JJU剪切应力，一方法E和方法F，用于外部键合，它是在芯片和基片之!可施加撞脱应力或拉脱应力。6.1.3 试拴装置说明适用于所有方法该试验装置应由适用的装置组成，即能接试验方法的要求，把规定的应力加到键合点、内引线、金属丝戎引li端上，在失效时，应能指示所加的应力(N )。试验装置应经过检定，精度为z测量100mN以内的应力应具有土2.5mN的精度，而测量10Q，-，500 mN
14、之闯的应力则应具在土5mN的精度，测量母过500mN的应力其精度应为指示值的土2.5%。6.2 方法A和方法B(参见该条的附录6.2.1 范围本试验适用于管壳内部的金属丝与芯片、金属丝与基片或金属丝与引出端的键合。此类半导体器件的金属丝连接是采用焊接、热压焊、超声焊和其它键合技术6.2.2 试验方法的般说明6.2.2.1 方注A:金属丝拉力分别施加于各键合点上把连接芯片和基片的金属丝剪断，以使得到供拉力试验用的两个端头。在金属丝较域的情况F，要在靠近金属丝一端处剪开，以便在另一端进行拉力试验。金属丝应用适合的夫具紧固，并按如下方式将单一的拉力作用加到金属丝或夹具当金属丝被夹具夹紧时)上。在棋形
15、键台的情况下，施加拉力的作用方向与芯片或基片)表面法结方向的夹角不大于5。，或岳叶部:犀平缝埠的情况F，拉力的作用方向与芯片或基片表面的水平方向的夹角不大r50。6.2.2.2 方法B:金!骂丝J立力(同时加在两个键合点上将个弯钩伸入运搜芯片(或基片与引出端的金属企生下面，当夹紧器件时将拉6 SJ/Z 9018一411力加在弯钩上。拉力基本上加在金属丝的中央，其拉力的方向应与芯片或基片表面的法统或与两键合点!可远线的垂直线的来角不大于50。6.2.2.3 试验的出ht!.逐步增加到金属缝挂断或键合点开裂(6.2.2.4条的时属成且1、拉11为止(6.2.2.4条的b)项).6.2.2.4 失效
16、判J，*a) 为决启能否接收，应记录裂时的战力数值并与表I中给出的数值进行比较见庄).b) 按另一神方法，扭扭力增加到规定的i可键合点也未开缉，则可以认为此键合通过了值见注)0如果。函，在背关崎场合例如方法B)应采用附录中给出的有 6.2.2.5 失效的分类当规定时，金属线或键合点断裂应按如下分类sa) 金属线在颈缩点断开由于键合工序51小)J b) 金属线在颈(i旨点以外断开，c) 在芯片键台地在金属统与金属化之间的界面上们在基片、告:革攫线憧或且;.l;J.外的具宫任何点的键合她之间的界面i二失效se) 金属化层从芯片翘起，f) 金属化层从基片或啻壳接线柱g) 芯片断裂zh) 基片断裂.丝
17、既未拉崎与金属他注，方法B不推荐用来测单的比较队祖可在生产过程中用作键合质6.8 方法C6.8.1 范围本试验通常用于器件封装的外部键合。6.3.2 方法C:键合的剥离应按这样的方式吏紧党固定引纯(戎引出精末日器件的管壳，在引线(戎引出增和管座或基片之间施M规定角度的剥离应力、3除非另有规定，所用的角度为aoo。6.3.3 拉力应逐步增加到引线(或引出端或键合点断裂(6.3.4.1条或达到最小的拉力(6.3.4.2条。6.8.4 失效判据e.4.1 为了确官能否接收，应记录键合断裂时的拉力值并与表I给出的值进行比较。施加拉力时，只有键合本身首先出哩失效，试验结果才是有效的。键合本身的断裂算作失
18、效便是最好的例子。6.3.4, 2 骂-7中厅变与21夺世力唱加到规定0景Jf:髦。均可是引全是(51出端)或键合点均未断裂，便可认为读键合巳通过该试验。7 SJjZ S16一盯一一一一6.3.5失效的分ZE当规定时，引线或引出站或键合点断裂应按如下分类za) 引线或51出端在变形区断裂焊接影响区)J b) 引线EE引出端在非键合工序影响区出1裂，c ) 挝合界百处的失效在捍料中，或在引线(或引出端和j与之也合的底座(或基片导电层之间的焊接界面处J;d) 导电层从底座(或基片上翘起pe ) 底座或基片内的散裂。6.4 方法D8.4.1 范围本试验远?且归来检BEE挝合纪粒的半导体;芯片和基片之
19、间的内部键合。本试验也可归来123225片和安装芯片的中问我体即第二J主片之间的键合。6.4.E YY己I):t主合31.切力适用于到25片月3主主:民工只ZR民头与问:21it丘主主片处fit芯片(或载体接触，沿垂直子芯片或主1:休的一边f可Z行于主基片的;可l句土施加应力革，在于民呀应力导致键台失效。j人.4，3j为1E沪f运2芦1t;丘拮挡;I力扣巳臼歪王引j挝合ti肘:安E昭事裂1(6J4.J4.J1条或)直增h加日到(6.4.4.2条中灼层段4力。6.4.4失效判扫6.4.4.1 为了确定能杏;二收，应记录键合破裂时的应力惶。它不应小71fOKLN芳:;以铠合点个数。施加力时，只有各
20、键合点本身首先lli现失效，试验约二才是有放的。在:合本身的37去究作失去支便是最焊的例子。&.4.2 另一丰!1立i二是在力增加到502NZE以f适合点个觉。如果;远合点和:I(南芯片均未$7裂，EDJ认为该出:去己迈过试试验。6.4.5 失效的分类当规定时，失效应按下列分类za i适合材;二;究;注奇主应均失汶(适用时)J ) 芯片主运载i:)二之基片碎裂即紧靠压;适合JiFj7均-;3分芯片或基于;二;生在动)J c ) 金属化层翘起C即金属化层或提合基座与芯片f或裁体或基片分离JQ6.5 方法E和方法F6.51 范回本试验远兀于梁式引纹器件。工J扫、E汇7;:R;7工存在生:束半与;E
21、E红合EJ专门预制的基片上的样品，泣不jZ用于生广一jlEL1555丑的阳扭扯样。因而该方二51点Fj王市月二三位验梁式引fjj22汗的样品，这类器件已被键合在陶瓷基片或其它合边的基片上。8 SJ/Z 9018一盯一一冉一-6.5.2方法E.应采用一个带孔的金属化基片，其孔开在基片的中心，孔要足够大以的塞孔，但又不能大得妨碍键合面积。推脱工具应足够大，以尽可能减少器件在试验过程中的破裂，但又不可使其大得接触到固定在键合区中的梁式引线。基片应牢固地加以固定，且推脱工具通过孔而插入。推脱工具与器件接触时应没有明显的冲力(J于O.25mm/min)，然后以恒定的速度向键合着的器件的下底面施加力，到6
22、.5.5条中规定的值或直到发生失效为止。8.5.3 方法F，拉脱试验经检定的拉脱设备应包括一个拉脱工具例如，一个镇铅合金线电热环)，它与梁式引线芯片上面的硬质凝固粘附:材料(例如，热敏聚醋酸乙烯醋树脂胶相联。操作时应小心，要保证粘附材料不要沿着梁式引线流动或漫延到芯片底部。基片与拉脱工具应牢固地固定，拉脱工具应与粘附材料形成牢固的机械逗接。加到器件上的拉力与法线的夹角不应大于50，其数信至少应增加到下面6.5.5条的规定值或直至拉到芯片上表面在基片上方2.5mm左右。6.5.4 方法E和方法F的失效判据a) 半导体芯片破裂，b ) 梁式引线从半导体芯片上翘起，c) 梁式引线在键合处断裂，们在半
23、导体芯片边缘处梁式引线断裂，e) 处在半导体芯片边缘和键合点之间的梁式引线昕棋f ) 键合点从基片上翘起，g) 金属化层翘起金属化层与芯片或键合区分开。6.5.5 施加的力两种方法对于(键合前非变形的标称梁宽，每毫米直线的加500mN的力。键合强度由断裂应力除以键合前总的标称梁宽来确定。6.6 在有关规范中应给出的内容当有关规范要求进行这项试验时，应根据其试用情况给出下列详细说明a试验方法，一一试验过程z断裂应力或所加应力的预定值，( 最小键合强度，每只器件上受试键合点的数目和选择以及器件的数直一对于试验方法C，则应规定键合点剥离角度(如果不是90。角时和榈!茸的小键合强度。9 、一_-力。S
24、J/Z 801. n I 金属经成分最小垃力Pw(mN)*试验方注和直徨密封前(mm) 垂直于心片平行于芯片垂直子丛片一民一一一一一Alo.018 15 25 10 A或BAUO.018 20 30 15 A 10.025 25 35 15 A或BAuO.025 30 40 25 :A I0.033 30 40 20 A或BAUO.033 40 50 30 Alo. 0 38 35 45 25 AJ或BAUO.038 50 60 35 Alo .075 120 130 80 A或BAUO.075 150 160 120 见图1.注s对于带状引线，其试验条件与截面积相等的圆引线的直径的条件相同.
25、 进行密封盾的卉帽检验时，要小心切勿损坏键合点.6.2条的附录则方法A平行于总片20 25 25 35 30 40 35 45 90 130 作为一般导则，平缝焊键合通常应施以剪叨应力，而球焊键合则应施以拉伸应方法B实际加到键合点上的力随键合点之间的引线部长度，即图1中的参数A和h，以及键合点之间的垂直距离d而发生很大变化。如果引线环很短，即使加到弯钩上的力小于极限值，仍可容易地超过引线的断裂负荷。例如，从下面给出的公式可以看出，当加到弯钩上的力P为40mN，且h=O.lmm, A =2mm, d =0.2mm时，加到引线上的拉力Pw约为100mN。在这种情况下，直径为0.025mm的金丝引线
26、，在键合点破坏以前，就可能先被拉断。如果d= 0 , P减小到20mN时，则引线上的拉力PW仍为100mN左右。10 SJ/Z 9016 87 应:用上述内容末考虑器件的典型键合图形与友I中所列的数值是否相悖。PW = FC1十p. A 2 / / / p ZZFj3733告?每直章国，回1， 1; 验方:主1、曰:3器FFLV类型和封装的形式来选择合适的试验方沽，-斗子斗斗a1iJJ 仅去。有关规范应规定选用那些试择p择。化。t.1 应选择的温度z二对于会主;/:器件，LUEC 7,17 1号右?在第12lf结z文才71;二EEJEEZ，从IEC7421号标;它第1部分z道理性引用zSJ/Z
27、 !Ol. ,t 87 ( IEC 68 2一14号枉泣，快速温度交1-1:民j引主二;二试验应jjf试验TJafitjjj定，其特殊要求如下z允;于使用满足姐主条伴均;在个试垃筒111 后:则民免VI章究5条中选总则的第VI章，结5条中选结5版1984), 试验N;温度变SJjZ 8016一盯产每个讯拉箱向载，品放进箱内盾，在2aizE内达温度，应考虑试验样品及其运载装置的热时间常数，低温TA1半寻体器件的最低贮存温度，一高温TB1半导体器件的最高贮存温度，这些温度加上误差不应超过额定值。由，的暴露时间111若样品在3min内达到暴露温度，则暴露时间t1为Maia，否则，应在样品达;754热
28、平衡后暴露1omin。在任何情况下，样晶达到热平衡的时间;不a得i大于20min。 机械试验，无电试验，按有关规范规定，s 电试验与耐久性试验相同，进行外观检查以便发现裂缝、破裂和松动的零件-1.2 快速温度变化s两成槽法本试验应按试验N.的规定，其特殊要求如下，优选温度(应选摔该温度范围的合适技体)I 。0/+125055 c / + 125 c 65 0/ + 150 0 65 0/ + 200 C T It,min/T It,max 2 贮存在高温下引用I5J/2 9001.40 87 ( IEC 68 2 48号标准，第1版，1982) 1用基本部试验规程中各种试验模拟贮存影响问?则。
29、样品应在有关规范给远的最高贮存温度(T.umax )下贮存。在有关规范中若无其它jA启，!CF存试验的时间应从IEC7471号标准的第础章第3节2.2.1条给出的时间中，边择对分立器件而言)，或从IEC7481号标准的第咀章第3节2.2.1条给出的时间中选择(对集成电路而言。试验后，应按有关规范定。S 低气压引用I5J/2 9001.7 87 ( IEC 68 2 13号标准，第4版，1983)试验M:低气压.本试验应按试验M的规定，其特殊要求如下z除非另有规定，本试验只适用于工作电压高于1000V的器件.a) 预处理s宠，12 5 SJjZ 8016 8.f 斗一b ) 初始测试z按有关规范
30、的规定，c ) 从试施开始(即开始减压前就应把规定的最高电!王加到拥定的引出端上，d ) 气压I1kPa ( 10mbar ), 4.4kPa ( 4nbar )豆l(;60kPa( 60ombar) J时5A 概述引用I$J/2 9001.5 87 (IEC 68 2c 3号标准，第3版，1969) t试验Cat稳态湿热。本试垃应J交流验c.:t规定，其恃殊要求如下，a) 预处理程序z无b ) 试验前进行的检查s机械性能检查s无，电性能检查s按有关规范规定，c ) 器件放人试验箱以前，应加热到高于箱内的温度，以避免在器件上叫慨。d ) 严酷度:4、10、21和56dJe ) 在试验过程中的负
31、荷加电工作):无，f ) 在试验过程中的电性能和机械i生能检查以及进行检查的周期z无F9 ) 消除样品表面湖气的特殊措施如果适用时)J h ) 恢复条件z按本标准第I章第i条规定的标准大气条件，i ) 恢复以后选行的检查=电性能测;式按有关j啤酒要求在24h内完成。当有关规范规定时，须进行腐蚀和标志清:听度的外观检查。5B 非空腔器件注s非空腔器件是?旨在件设计中的封装材料与所有管芯的暴培表面紧密接触而且没有任何空间的器件-5B-1 目的进行稳态温热试验的目的是用加速的方法来评价非空腔器件耐高温和高盟条件的恶劣影响的能力，而不是明来评价外观的侵蚀。性能退化是由于水汽被封装材料吸收，13 SJ/
32、Z 9016盯一形成陆气膜或制气沿锦理结(PN结惨透所致。5B 试验箱5B-2.1 试验箱应为这样的结构，1 ) 试验箱的温度和温度可用安置在工作区内的传感器话?于监控，2 ) 工作区内的温庭和相对温度能维搏在规定温度的土20和规定相对温度i的S土%JJ子:士2C的温度误差是考虑到温度测量的绝谅误差、ia蟹的缓慢变化和工作区的温度不均匀性等因素.为保持所要求的相对湿度，短时间的温度波动需保持在土o.sC以内.3 ) 冷凝水要连续地从箱内排出，来净化以前不得重复使用，4 ) 当采用喷射型试验福保持温度条件时，水的电阻率应不低于500Qm。5B响2.2应采取预防措施以确保，1 ) 坐个工作区的主要
33、条件应是一敬的，并尽可能与最靠近传感器处的那些主条件相同，2 ) 在试验过程中，样品的特性戎负载，不能明显地影响试验箱内的条件，3 ) 试验箱璧初顶立的冷凝水不能落在样品上。5B-2.3 程序5B-2.3.1 初始测试暴露试验前，规定的初始测试应在标准的或规定的大气条件下进行。58-2.3.2 施加的电压a ZE暴露过程中，如有规宫，器件应加上电压偏置。确定恼置运用的合适的电路组态的原则，按重要性见注递减的如下zr 功率尽可能的小，丁一在工作范围内电压尽可能的高，一芯片上相邻的金属化线之间的电压差尽可能的高，(例如，数字器件的情况，同)门的相邻输入电位应是一个高一个低。)注g最高应力条件对应于
34、零功率下器件工作范围内的最高允许电压和芯片上相邻金属化线之间的最高允许电压.b ) 仿置电庄和/或电流加到器件上的总时间应等于规定的试验时间在允许的容，差之内。c ) 当准备拉丁器件从试验箱取出时，在器件冷却到室温前，必须直加上铺置电庄，除非对于给定恶作的类型相试验条伴能移证实当立主锚茸条件下进行冷却时，器件特性不发生显著的变化。58-2.3.3恢复本试验完成后，在进行最后测试之前。样TI应在25士3C和正常的大气压条件下恢_ .24ho !i B-2.3.4 测试可在恢复期间或恢复时间结束之后进行，但全部测试必须在恢复期之后的他14 SJ(1. .016-81 一内完成。&8-2.3.5试验
35、条件试验条件如f.严酷度1(饨边的85士2t相对温度I85士5%严酷度255土2t相对温度I90%.- .,98% 非另有规定，试验的持续时问应为1000士9仙。58-2.4 有关规沼应给出的内容e a ) 施加的电压如有要求时)(见5B-2.3.2条) b) 初测，终测及其环境条件如不同于标准大气条件时)(见5B-2.3.1和姐2.3.4条)Jc ) 试验持续剧1可如不是1000b) (见SB-2.3.5条) d ) 电路组态(且SB-2.3.2条)0 合循环引用I5J/2 9001.10 87 ( IEC 68一2一38号标准事1服，1974)，试验2/AD, 温度/温度组合循环试验。本试
36、验应按试验2jAD的规定，其特殊要求如下，试验的一般说明当要求时，为研究电化学腐蚀的可能性，在器件绝缘层租或电负载上施加极化电压时应做好准备。试验装置的说明注，对于在-10土2t下冷却期间，无温度要求是正确的.如果在分离的试验箱中进行试验时，则不必搅动空气o试验程序辅助干为了确定初始测试是在干燥条件下进行的，可规走在50t下初始干燥的时间为24bo机械的预处理的预处理不是强制性的。若进行这样的试验，应按本标准第E章第1.2条中叙述的弯曲试。24h循环的说明定时应具有土1omia的误差。如果采用单个试垃箱，其温度应在1.5h内从25士2t下降到呻10土2t，并且应在低温值下至少保持恼。15 SJ
37、/Z 8016 87 届讯i试在温度为25土20和相对温度为94土4Y.的高温度下进行的保护描施。只存在姐:这时，样晶才指从温度试垃稽中2h内测窍。有关规范中应给出的内.附加的预处理程序。, ，可加但必须在取ti:1J 1 _-_ 指明上洼的7密7.1 加压浸潢试验引用ISJ/Z 9001.30 87 ( IEC 68一217号试条件是否需亟3版i，1978，试验Q.密封。本试验应接试验Ql的规定，试验液体I95%甲醇和5%水的试验波体的温度为.25土50，压力:450kPa ( 4.5bar ), 处理时间116h, 十一清洗液z去离子水，恢复:2d 注，对半寻体器伴而言，不准1李录唱斗zl
38、聋唆C见SJ/Z9001.刊-87(IEC缚-211)崎柑录求如下s合剂再加洗涤剂，F) 7.2 引用s无。7.2.1 曰的检测和识别半导体器件封装中的粗棚。本试验不适用于非空腔耐。7.2.2 试验的一般说明把器件暴露于加压的染料溶被中，随的痕迹。7.2.3 试验设备的说明一个耐甩容器，它应能在规定的时间内保持规定的庄力，其容积足以使器件能被己加了非离子14润用剂的荧光染料熔液或非荧光染料溶液所覆盖37.2.4 程序器件应放在盛有染料溶液的耐压下至少加压凶。加压时间结束后去掉压力，然后用适合于该染料类型的溶液清洗器件，并至少干出现染料进或从摆件中渗出内，该容器应在最小压力为500kPa(5ba
39、r ) 。-n -EA 7.2.5 检查16 SJ尺101881 一一一-透明的器件应目检染件是否路透到其内部，而不透明的器件的贝OJ应梅毒染悴i磐出应在放大3.10倍的情况F来观寨器件，并根据染抖海挠捕类型，在可见光谱或紫外光谱内的光源下进行观案，7.2.6 失效判据透透明器件)或染料露出不透明器件。7.2.7 有关规范应给出的内容a ) 染料榕挠，b ) 光源类型，c ) 施加的压力和时间C如果最小压力不是500kPa( 5bar )和最少时间不是拙的话7.8 细捡漏s放射性氟方法引用，无。7.8.1 目的当的放射性示踪气体的箱内度，从而确定半军体:汪叫:;153泄率。本方法适用于玻璃、气
40、三周或陶瓷或它们的组合体封装的密封器件并适合于等效, 件内部所呈现的放射性强标准漏泄率小于10-Sbarocm3/s的出闹。7.3.2 一般说明7.3.2.1 给出的数值迂JTLf第-85示原气体和5X 10-sbar.cm 3/S量级的等效标准漏温卒舰限值。使用其它示踪气体就要求其宫的班回，7.3.2.2 设备试TT;设备出一只;二ZJ;fl示ET剂活化容器和一只计数台组成，其计数台应有足够的灵坡度，使之J:!J;!YW卒器件内示后气体的辐射强度。设备在i污LJi主大气条件下工作，所周示踪气体为干氮和第-85的混合物，其放射出比度按j品远，且至少:1g100lCi/cm3。应j、民妇设备制造
41、厂所:坦供的沁tJ:f主NIJ设备的使用说i书来校在设备和使用设备。在非优选的条件F4jLi导的试LQ2112，可以;再这些说明书中所给出的适当公式进行民埠，从而与在右边;二:干F得到的结J在选仔比较。7.3.2.3 t舌化多敖活化压力和吸收时间应由下式确定(见注。Os=JR)丁. . . . . ( 1 ) 3600S ( pl 式中aQs为波、lJj23(中允许的最大漏泄率，单位为bar.cm8/5. R为主1Jlf;ffFJ:!二漏:世率恰好等于Qs，活化后高于环境本底的计数率为每分钟1200个计拙。htr1它已;二lj立了元前的放射性漏泄试验，则它是高于计数设备和器件二者的本底之17
42、SJ/Z 9016 87 上的拒收计数。s f.J J.没射性比度，以活化系统巾锺-85气体的ci/cm*为单位。K为闪公ji占主体的总ti-立法蓉，以被鉴定睛博定翠(平91均t2中啤罢王-85气!本白L-r1&! ci-millii也单位。该系主义取决于器俘的结梅和IJi煤晶体的尺寸二计数效率应接7.3.2.4条来确定。T为民器件1;5化的吸收时间，以小时为单位。P为p.Z_P/，其中P.为绝对活化压力，单位为巴)，而Pi为器件的初始绝对内压，单位为(巳。活化压力P.可由规范来规定。或者如果己确远了合适的吸收时l可( T ) ，则可调节活化压力P.来满足公式(1 ) ;主s公式(1 ) I啕
43、完肇普式是埋在E分子中包含-个;理子Po-( ,6.P) 2.，吕是海提高J吏句lE因子oP为海平面绝对压)J，单位为巴)，b，.P是试验台上由实:RF力与海平面压力之楚，单位为巴人对于本试验，该因子可以忽略不计.1.3.2.4 计数效率(K)的确定公式(1 )的计数效率(K)确定如下Ea) 把条充气营遇到与被试器件同类的代表器伴的内腔F卡，通过读完气管向内腔填充己知体识和放射性比度的第-85示踪气体，然后将充气占二j卢。b ) 应在被试器件计数台的屏蔽闪烁晶体书直接读出每分钟的计数。7.3.2.5 表面吸附的评定对于被试的各种封装形式，在确定漏泄试验参数之前，应i平远摆摆j丢榈外部密封层对-
44、85的表国民附。器件的代表性子梓应按7.3.2.2条和7.3.2.3杂的几恙，承受对该器件的结构所泌定的顶起压力祖忖i可条件.然后每lomin应记录次子样的叶数率，戚甫数为止。应记录经过的时间，并按1.3.4条的规定，该经过的时i可即为等待时间-7.3.3 操作人员应遵锚国家制订的有关放射性气体使用事磕67.3.4程序器件应放在一个放射性示踪气体活化的容器中。该容器应至少抽空到50Pa(0.5 mbar ) 0应按7.3.2.3条来确寇实际压力和吸收时间f，件腔:经受至少为2bar的第-851干燥氮混合气体的绝对压力，时间至少为12mino应抽空组-85/干队氮混合气体直到活化在暗中存在的压力
45、低fO，5mbar为止，最多应在5min内完成拍桌室。然后用常气气洗对i舌化容器再充气，再从活化容器中取出器件，并iZ气vf.:i扫亵EE后zh内检验，据泄。应观察按7.3.2.5条所面寇的事待时间，也本人活化容器中取出与试验之吨的时闹。(即等待时间不得超过拙。如在相同的样品上重复试验时，在重新加臣之前，梓晶必须先在真空中进行仙的消除放射性污染。用下列公式计算器件的实际商泄率z18 SJ/Z，捕，.87 Q:=每分钟实际净计数)xQs R 式中，Q一一实际漏泄率，单位为barocm/s Qs和R在7.3.2.3条中定义。7.3.5 规定的条件漏泄率的极限。7.4 细检漏s质谱仪示踪气体法引用&
46、5J/2 9001.30 . 81 ( IEC刷一2-1号回, 1978 ) ，可试验QJ，密, 封。8 本试验应按试验Qk正在考虑中，用求如下s引用:5J/29001.14 37 (lEC 68一2一口号标准:第3页，1981):式强Ka:盐雾本试验应按试验Ka的规定，其特殊要求如下，、处理的时间&24h. 恢复，应用流动的自后测试，失效判据s当放大3，.;10倍观察时，涂层 引用/5 J / 2 9001.4 8盯IEC二68变化。为了确定半导体器件的内部互连, 或锈蚀的琅迹。善, 儿1984-) 91 求如下s。本试验主要用于非空腔的器件s它应按试验Nb的规定，其特-一为了监测被试器件，
47、试嘘箱应备有通人孔，1以便能与件的引飞出端电逗接。能从规定的低定的高温或以相反应施加的条件如下s19 低温TA一一一一一一高i晶T.温度的变化速率温度变化刊间的平均值O注一一循环数无初训，无SJ/Z 9016 87 严酷度A B 25土st最低工125士5ti 最高工作温度最大3t/min1/2 (即从TA到T.戎T.到TA)tllmin 一试验(处理过程中的电检测，C 最低贮存温度最高贮存22合出了一个并联检测电路的示例，其宫的电路串联检测，恒定电压源等也允许使j目。注2如果探测器的扫描速率和时间常敖均与温度的变化速率相一致，较快速的温度变化是允许的。地乱，ljj，.; /电啤;，嗡. .-
48、句_.句句啕喃广一一一一!i im伸E 吗!自枪精:1Illu飞过二俨罔2试;应设备应具有检测和识别失效器件的能力。闷，也检测器应能在有关规范规定的电压下指示出失效。失f安定叹为在任何)个内连引线的开路或两引线之间的短路现象.20 lJ/2 9018 81 从室温到TA或TB的初始变化之后，当温度从最低变到高温或从应监测器件的引出端，每变化3C至少进行一次见上注)。变到, 为使壳温和结温近似地等于环境温度，应规定用来检验每条引线逞续性的试验条件，以便获得最小的功率耗散。件的1.1 易燃性内部引起的引用z无。W 它试法本试验的目的是确定器件是否由于过负荷引起内部发热而器件应不带散热片在大气中工作，并使其内部电功率挺出现下列任一状态z。定值缓慢增加，1 ) 内部功率达到25c时的最大额寇功麓的5倍，在这种下，该功率应
