1、UDC 中华人民共和国国家标准(;EJ P GB 51034 - 2014 多晶硅工厂设计规范Code for design of polysilicon plant 2014 - 08 - 27 发布2015 -05-01 实施中华人民共和国住房和城乡建设部中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局联合发布GB50046的有关规定分类。8.5.2 建(构)筑物防腐蚀处理应符合下列规定:1 地面防腐蚀应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规 37 范)GB50046的有关规定，并应符合下列规定:1)有液态介质腐蚀的地面应以块材面层或整体面层防腐蚀为主，不经常接触液态介质腐蚀的露天装置楼面的整体面层可
2、选择耐候性好的防腐蚀耐磨涂料，厚度不应小于o. 5mmlmm，室外环境下不得使用环氧涂料;2)露天装置钢结构框架楼面选用钢格板时，钢格板应采用耐腐蚀的材料制作或进行防腐蚀处理，也可对钢格板楼面采取局部承接盘引流等防泄漏措施;3)有液态介质腐蚀的底层地面排水坡度不宜小于2%，楼层不宜小于1%;4)有液态介质腐蚀的地面排水沟宜采用明沟，沟宽超过300mm时应设置耐腐蚀的算子板或沟盖板，地沟底面的纵向坡度宜为O.5%1%。2 在气态介质和固态粉尘介质作用下，墙面、顶棚、梁、板、柱等建筑构件的表面防护宜以防腐涂料为主，防腐涂料的使用情况应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规范)GB50046的有关规定
3、。3 有液态介质腐蚀的钢筋混凝土池、槽、坑的防腐蚀应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规范)GB50046的有关规定。8.6结构设计8.6.1 结构设计应根据工艺布置要求、生产特性以及工程地质条件等因素，选择技术先进、经济合理、安全适用的结构设计方案。8.6.2 多晶硅工厂建(构)筑物的设计基准期应为50年。8.6.3 多晶硅工厂建(构)筑物抗震设防划分，应根据生产规模、产品性状、生产特点、社会影响、停产损失和修复难度等因素确定，并应符合现行国家标准建筑工程抗震设防分类标准)GB50223 的有关要求。主要生产装置建(构)筑物抗震设防类别应符合表8.6.3的规定。 38 ,. 表8.6.3主要
4、生产装置建构)筑物抗震设防类别抗震设防类别建(构)筑物名称制氢站、电解厂房、液氯厂房及仓库、三氯氢硅合成厂房、氢化厂房、精馆装置、还原厂房、工艺废料废液处理、还原尾气回乙类收装置、中央控制室、化学品库、总变电站、装置变电所、消防加压泵房、消防水池、制氮站、压缩空气站、冷冻站、锅炉房、发电机房、给水泵房、酸碱罐区、三氮氧硅罐区、重要的设备基础等丙类整理厂房、脱盐水站、综合维修厂房、综合仓库、深井泵房、污水处理站、管道支架丁类地下沟、井、围墙、临时仓库、自行车棚L一一一一注2乙类建(构)筑物应按高于当地抗震设防烈度一度采取抗震措施。8.6.4 多晶硅厂房设计应说明结构用途，在设计使用年限内未经技术
5、鉴定或设计许可，不得改变结构用途和使用环境。8.6.5 设计荷载应符合下列规定:1 建(构)筑物楼面均布活荷载标准值及其组合值、频遇值、准永久值系数应按生产实际情况确定，缺乏资料时，可按表8.6.5执行。表8.6.5建构筑物楼面均布活荷载类别标准值(kN/m)组合值系数频遇值系数准永久值系数还原厂房运行层15(20) o. 7 O. 7 O. 7 还原与整理厂房之间连廊12 O. 7 0.6 0.5 其他装置4(4.5) O. 7 O. 7 O. 7 操作平台2(3.5) O. 7 O. 7 0.6 楼梯、走廊3.5 O. 7 0.5 0.3 压型钢板等轻型屋面0.5 O. 7 0.5 o .
6、 屋不上人屋面0.5 O. 7 0.5 。面上人屋面2 O. 7 0.5 0.4 民用建筑按现行国家标准建筑结构荷载规范)GB50009的有关规定执行 39 注:1 表中带括号的标准值用于设备安装、检修分部件较大时g2 屋面用作楼面时，按楼面设计;3 屋面活荷载不与雪荷载同时计算;4 高低跨时，受施工影响，低跨屋面荷载可增加35 屋面荷载尚应计算管道等悬挂设施的作用;6 表中所列荷载不包括隔墙自重;7 计算地震作用时，组合值系数按现行国家标准建筑抗震设计规范)GB50011的规定执行。2 建(构)筑物的设备荷载标准值应根据设备条件确定。计算时可分解为永久荷载和可变荷载。3 当还原厂房根据工艺专
7、业要求设置多台吊车时，计算竖向和水平荷载参与组合的吊车台数不宜多于2台，其荷载标准值应根据吊车工作级别乘以o.90. 95的折减系数。4 动力设备的基础设计应按现行国家标准动力机器基础设计规范)GB50040的有关规定执行，各类动力设备的动力荷载及其分布位置应由设备制造厂商提供。5 搬运、装卸设备时的动力系数可取1.11. 2。8.6.6 材料选择应符合下列规定:1 材料选用应因地制宜，其性能应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规范)GB50046有关结构构件所处环境的要求;2 控制室、办公室等人员集中场所的建材及外加剂选用应符合现行国家标准民用建筑工程室内环境污染控制规范)GB50325的有
8、关要求。8.6.7 建(构)筑物基础宜采用天然地基。遇有下列情况之一时，应采用人工地基:1 天然地基的承载力或变形不能满足建(构)筑物的使用要求。2 地基有良好的下卧层，经技术经济比较，采用人工地基比天然地基更为经济合理。3 地震区地基存在不能满足抗液化要求的土层;当采用人工 40 l 地基时，宜对界区内进行整片处理。4 位于湿陷性黄土、膨胀土、冻胀土、盐渍土地区的建(构)筑物，应分别符合国家现行标准湿陷性黄土地区建筑规范)GB50025、膨胀土地区建筑技术规范)GB50112、冻土地区建筑地基基础设计规范)JGJ118及盐渍土地区建筑规范)SY/T 0317 的有关规定。8.6.8 基础埋深
9、应满足工艺、暖通、给排水等专业地下管道的要求;位于腐蚀区域时，应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规范)GB50046的有关要求。8.6.9 多层厂房宜采用现浇钢筋渴凝土框架结构或钢框架结构，单层厂房可采用门式刚架轻型钢结构或钢筋混凝土排架结构，大跨度屋盖宜采用轻型钢结构，设备基础可采用块式、墙式、箱形或框架式等结构形式。8.6.10 结构布置应符合下列规定:1 厂房的柱网应整齐，并应符合建筑模数;次梁布置应规则，并应受力明确;2 厂房内的大型设备基础、独立构筑物、整体地坑等，宜与厂房柱基础分开设置;3 与厂房毗邻的建筑物，宜用伸缩缝与厂房分开设置;4 在高压缩性软土地基上的厂房，建筑物室内地
10、面或附近有大面积堆料时，应计算堆料对建筑物基础的影响，并应对差异沉降采取措施;5 建(构筑物沉降观测点设置应符合现行行业标准建筑变形测量规范)JGJ8的有关规定，并应按现行行业标准建筑变形测量规范)JGJ8的有关规定进行变形观测。8.6.11 结构计算应符合下列规定:1 结构计算时应进行整体作用效应分析，对结构中受力状况特殊部位尚应进行更详细的分析;2 采用等效均布活荷载计算的生产厂房，宜采用普通结构力 41 学方法计算板、梁、柱的内力。8.6.12 构造要求应符合下列规定:1 混凝土结构梁、板、柱钢筋保护层厚度应按现行国家标准混凝土结构设计规范)GB50010的相应环境类别取值。对腐蚀环境，
11、应符合现行国家标准工业建筑防腐蚀设计规范)GB50046 的规定。构件的混凝土保护层厚度应满足厂房相应防火等级的耐火极限要求。2 设备基础周边宜配置抗裂钢筋。基础顶面宜预留30mm50mm厚度的找平层，宜采用水泥基灌浆材料二次浇灌。3 设备基础的地脚螺栓不应采用冷加工钢材。4 支撑工艺及供热外管的管架、管廊应根据电气专业划分的爆炸危险区范围确定防火区域，并应采取防火措施。 42 F -9 给水、排水和消防9.1结水9. 1. 1 给水工程设计应符合现行国家标准室外给水设计规范GB 50013和建筑给水排水设计规范)GB50015的规定。9. 1. 2 生产用水水量及水质应根据工艺要求确定;生活
12、饮用水应符合现行国家标准生活饮用水卫生标准)GB5749的水质要求，用水标准及定额应符合现行国家标准建筑给水排水设计规范GB 50015的有关规定。9. 1. 3 可能发生物料泄漏的装置区及储罐区必须设置紧急淋浴器和洗眼器。9. 1. 4 水源选择时，建设单位应对水资源进行勘察，并应提供可开采水量及水质的全分析资料;水源为地表水时，应按水体保证率为95%的可取水量对河道的影响进行论证。9. 1. 5 当采用地下水为水源时，采用管井取水应设置备用水源井，备用井的数量宜为取水井数量的20%，但不得少于1口井。9. 1. 6 水资源应实现综合回收利用，全厂水重复利用率应大于或等于95%。9. 1.
13、7 当给水管道穿越厂房洁净区时，应满足现行国家标准洁净厂房设计规范)GB50073的有关规定。9.2排水9.2.1 排水工程设计应符合现行国家标准室外排水设计规范GB 50014和建筑给水排水设计规范)GB50015的有关规定。9.2.2 室外排水系统应采用雨污分流制，前期雨水应收集处理;在缺水地区，宜设置雨水利用系统。 43 9.2.3 雨水管、渠设计重现期应符合现行国家标准室外排水设计规范GB50014的有关规定。9.2.4 生产废水的排水系统应根据废水的性质、水质、水量以及废水处理工艺确定，宜采用自流方式排水。9.2.5 厂区应设事故收集池，其容积应包括装置区露天部分雨水、事故泄漏量及事
14、故时消防用水量。9.2.6 高浓度含氟废液输送管宜明装敷设。架空敷设时，在管件或接口处宜采取防腐措施;管沟内敷设时，排水管支架应采取防腐处理，并应设事故排水贮存功能的措施。9.2.7 当排水管道穿越厂房洁净区时，应符合现行国家标准洁净厂房设计规范GB50073的有关规定。9.3废水处理9.3.1 废水处理应遵循节水优先、分质处理、优先回用的原则。9.3.2 废水处理设施的位置应满足工艺总体布局要求。9.3.3 废水处理设施应根据工艺生产排出的废水种类、浓度及水量确定，处理后的出水水质应符合国家和地方的有关排放要求。9.3.4 高浓度含氟庭液必须采取预处理措施。9.3.5 距废水处理设施构筑物的
15、10m50m的区域宜设置地下水监测点。9.4 循环冷却水系统9.4.1 多晶硅工厂设备冷却水系统的设计应符合现行国家标准工业循环水冷却设计规范GBjT50102和工业循环冷却水处理设计规范GB50050的有关规定。9.4.2 循环水系统应根据水温、水压、水质及设备运行要求设置，分设不同循环水系统。9.4.3 硅芯控制炉、单晶炉和还原炉电极的循环水系统必须采取相应的保安措施。 44 ,. 9.4.4 循环水系统应根据水质情况，合理设置水质稳定处理装置，稳定循环水水质，减少系统排污量。9.5消防9.5.1 多晶硅工厂应设置消防设施，并应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016、石油化工企业
16、设计防火规范)GB50160和建筑灭火器配置设计规范)GB50140的有关规定。9.5.2 多晶硅工厂装置区、储罐区必须设置独立的稳高压消防给水系统，其压力应为O.5MPa-1, 2MPa。其他场所应设置低压消防给水系统。9.5.3 装置区、储罐区应设置固定式消防水炮，并应符合现行国家标准固定消防炮灭火系统设计规范)GB50338的有关规定。9.5.4 储罐区应配置灭火毯及灭火砂，灭火毯的数量不应少于2块，灭火砂的数量不应少于2m309.5.5 全厂分散型控制系统(DCS)机柜室应设置气体灭火系统，并应符合现行国家标准气体灭火系统设计规范)GB50370的有关规定。9.5.6 厂房的洁净区内不
17、宜采用干粉灭火器。 45 -10 采暖、通风与空气调节10.1 -般规定10. 1. 1 采暖、通风、空调与空气净化系统设计应满足生产工艺对生产环境的要求，主要建筑物空气洁净度、温度、湿度的设计要求宜符合本规范附录C的规定。10. 1. 2 8级以上洁净室(区)不应采用散热器采暖，其他厂房或房间的采暖系统设置应符合现行国家标准采暖通风与空气调节设计规范)GB50019的有关规定。10. 1. 3 严寒地区还原车间的管道夹层采用热凤采暖时，不应回凤。10.2通风10.2.1 通风系统设置应满足生产工艺、劳动卫生、人员安全以及环境保护等方面的要求。10.2.2 有负压要求的房间采用机械方式送风时，
18、各房间的送风量与岗位送风量之和应小于排风量，房间应保证微负压。10.2.3 还原炉室与非防爆区相邻应保持微负压，其局部排风与整体排风应符合下列规定:1 还原炉室应设局部排风、整体排风与事故排风系统，总排风量不得小于6次/h的换气次数;2 排风机应设置在单独的机房内，并应按防爆要求采用防爆风机，电源应接入应急电源，应与氢气浓度检测探头连锁;3 事故排风机宜设置备用风机;4 事故吸风口上缘至顶板的距离不应大于O.lm;5 风管应采取防静电接地措施。 46 ,. 10.2.4 还原车间的管道夹层四周不宜设外墙，管道夹层上部结构梁内应设防止氢气聚集的导流管，导流管上边缘至楼板的距离不应大于O.lm;当
19、管道夹层四周设有外墙时，应设置整体通风与事故排风系统，并应符合本规范第10.2.3条的有关规定。10.2.5 生产工艺排出的酸性废气应符合下列规定:1 腐蚀清洗设备、配酸柜等设备排出的酸性废气应采用局部排风，所含酸性废气应采用酸雾净化塔进行处理;2 实验室通风柜排出酸性废气宜采用活性炭吸附装置进行处理。10.2.6 喷砂、硅棒破碎等生产工艺产生的粉尘应设置袋式过滤器除尘系统。10.2.7 硅芯炉泵房、石墨般烧炉泵房等应设置整体排风系统，通风换气次数应大于或等于6次/h。10.2.8 排除酸性废气及粉尘的系统设计应符合下列规定:1 酸性废气、粉尘等的净化处理装置宜设置在负压段;2 酸性废气净化系
20、统宜设置备用风机，电源应接人应急电源;3 风机宜设置变频装置;4 酸性废气及粉尘应处理达标后排入大气，排气筒高度应符合现行国家标准大气污染物综合排放标准)GB16297的有关规定;5 2台及以上废气处理设备并联运行时，宜在每台设备的人口设置电动或气动密闭风阀。10.2.9 排风系统风管材料应符合下列规定:1 排除有爆炸性气体或余热宜采用镀钵铜板风管;2 排除酸性、碱性废气宜采用难燃型耐腐蚀玻璃钢风管或阻燃型塑料风管;3 排除有机废气宜采用不锈钢风管;4 排除含有粉尘的空气宜采用碳钢风管。 47 -一一一10.2.10 洁净区排风管上应采取防止室外空气倒灌的措施。10.2.11 各动力站房应有良
21、好的通风措施，宜采用自然通风;当自然通风不能满足生产或安全、卫生要求时，应设置机械通风或自然通风与机械通风的联合通风方式。10.2.12 现场分析室应设置正压通风，正压通风系统应设置中效过滤。10.3 空气调节与净化10.3.1 厂房空气洁净度等级、温度、湿度的设计应满足生产工艺要求。10.3.2 存在下列情况之一时，空调系统应分开设置:1 净化空调系统与般空调系统;2 空气中含有易燃、易爆物质z3 容易产生交叉污染，对其他工序的产品质量造成影响;4 对温、湿度控制要求差别大;5 工艺设备散热量相差悬殊。10.3.3 保证空气洁净度等级的送风量应符合下列规定:1 5级8级洁净室送风量应符合现行
22、国家标准洁净厂房设计规范)GB50073的有关规定;2 生产太阳能级多晶硅的还原炉室，当空调系统为三级过滤时，其送风量应按换气次数大于或等于6次/h计算。10.3.4 空调系统新凤量应取下列两项中的较大值:1 补偿室内排凤量和保持室内正压值所需新凤量之和;2保证供给童内每人每小时的新凤量，洁净区不应小于40旷，非洁净区不应小于30旷。10.3.5 洁净室送风可采用集中送风或风机过滤机组送风的方式。10.3.6 洁净室与周围区域的压差应符合下列规定:1 不同等级的洁净区之间的压差不应小于5Pa;2 洁净区与非洁净区之间的压差不应小于5Pa;,. 3 洁净区与室外的压差不应小于10Pa。10.3.
23、7 洁净空调送风、回风和排风系统的启闭应连锁，正压洁净室连锁程序应为先启动送风机，再启动回风机和排风机;关闭时连锁程序应相反。10.3.8 单向流和混合流洁净室的空态噪声级不应大于65dB(A) ，非单向流洁净室的空态噪声级不应大于60dB(A)。10.3.9 还原车间应独立设置直流空调送凤系统，不应回凤。10.3.10 腐蚀清洗室、硅棒破碎室、配件清洗室的空调送风系统不宜回风。10.3.11 洁净空气调节系统的新风集中处理时，新风处理机组应符合下列规定:1 新风应经过粗效过滤器处理;2 严寒地区新风应先预热;3 送风机宜采取变频措施。10.3.12 空气过滤器选用、布置应符合下列规定:1 空
24、气净化处理应根据空气洁净度等级选用过滤器;2 空气过滤器处理风量不应大于额定风量z3 中效(高中效)空气过滤器宜集中设置在空调系统的正压段;4 亚高效和高效过滤器宜设置在净化空调系统的末端。10.3.13 风机过滤机组的设置应符合下列规定:1 应根据空气洁净度等级和送风量选用;2 送风量应能调节;3 应便于安装、维修及过滤器更换。10.3.14 净化空调系统的送风机宜采用变频装置。10.4防排烟10.4.1 多晶硅厂房防排烟系统的设计应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016的有关规定。 49 -一一一一一一10.4.2 机械排烟系统宜与通风、空调系统分别设置。排烟补风系统宜与通风、空
25、调系统合用。10.4.3 机械排烟系统应符合下列规定:1 排烟系统的密闭空间应设置补风系统，补风量不宜小于排烟量的50%，且房间疏散门内外的压差不宜大于30Pa;2 发生火情时应能手动和自动开启对应防烟分区的排烟口、排烟防火间，应同时启动排烟风机和补风机。10.5 空调冷热源10.5.1 冷热源站应根据总图规划、工艺布局、气象条件、能源供应状况、输送能耗等因素确定;集中冷热源站宜独立设置，也可在生产厂房内设置。10.5.2 冷摞设计应符合下列规定z1 具有常年余热蒸汽或热水时，应采用澳化鲤吸收式冷水机组供冷;2 元蒸汽或热水作为热源时，可采用电动压缩式冷水机组供冷;3 具有多种能源时，可采用复
26、合式能源供冷;4 夏热冬冷地区、干旱缺水地区的办公楼、宿舍楼、食堂等建筑，可采用空气源或地源热泵冷(热)水机组供冷、供热。10.5.3 热源设计应符合下列规定:1 应选用工厂余热作为供热热源，可加装热回收装置或热交换机组回收热能;2 采用城市集中供热热源时，供热管网及换热站的设计应符合现行行业标准城镇供热管网设计规范)CJJ34的有关规定;3 采用锅炉供热时，应符合现行国家标准锅炉房设计规范GB 50041的有关规定;4 工艺冷却水可以利用且经技术经济比较合理时，可采用吸收式热泵进行热回收供热。 50 飞F-10.5.4 制冷机设计应符合下列规定:1 当工艺需要的冷冻水参数与空调相同时，可使用
27、同一制冷系统。2 制冷机台数及调节性能应满足空气调节及工艺冷负荷需求，并应满足部分负荷运行的调节要求;不宜少于2台;仅设1台时，应选择调节性能优良的机型。3 选用电动压缩式冷水机时，制冷剂应符合有关环保要求。10.5.5 冷热源宜采用集中设置的冷热水机组，制冷机组及供热设备选型应符合现行国家标准公共建筑节能设计标准)GB50189的有关规定。10.5.6 冷热源站应远离有防微振要求的工艺区域。10.5.7 冷热水系统的设计应符合下列规定:1 宜采用闭式一次泵系统。冷冻水系统较大、阻力较高、各环路负荷特性或压力损失相差悬殊时，应采用二次泵系统。二次泵宜根据流量变化采用变速变流量调节方式。2 定压
28、和膨胀应采用高位膨胀水箱方式。3 冷水机组供回水设计温差不应小于5C，技术经济比较合理时，可加大供回水温差。4 保冷、保温材料的主要技术性能应按现行国家标准设备及管道绝热设计导则)GB/T8175的要求确定，并宜选用导热系数小、吸水率低、湿阻因子大、密度小的不燃或难燃的保冷、保温材料。 51 11 环境保护、安全和卫生11. 1环境保护. 11. 1. 1 多晶硅工厂环境保护设计应采用清洁生产工艺。11. 1. 2 多晶硅工厂环境保护设计应遵守国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。11. 1. 3 污染物处理应采用资源利用率高、污染物排放量少的设备和工艺，对处理过程中产生的二次污染应采取相应
29、治理措施。11. 1. 4 多晶硅工厂应设置生产废气回收处理设施，排放废气应符合现行国家标准大气污染物综合排放标准)GB16297中规定的排放限值后再对外排放。11. 1. 5 生产区内雨水和废水必须分流排放，生产废水应经汇集后处理符合现行国家标准污水综合排放标准)GB8978和当地环境保护规定后再排放。11. 1. 6 废渣、废液应根据不同情况分别处理.含氧硅院的废液和含镇的废硅粉必须无害化处理，污水处理产生的中性渣应外卖、渣场堆存或深埋处理。11. 1. 7 多晶硅工厂噪声防治设计应符合现行国家标准工业企业厂界环境噪声排放标准)GB12348的有关规定。11. 2安全11. 2.1 安全评
30、价应符合国家有关规定和当地要求，安全保护设计应符合批复的评价报告书的要求;劳动保护设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入使用。11. 2. 2 多晶硅工厂防火、防爆、消防等内容设计均应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016和石油化工企业设计防火,. -一规范)GB50160的有关规定，防爆设计还应符合现行国家标准爆炸危险环境电力装置设计规范)GB50058的有关规定。11.2.3 三氯氢硅合成、还原、四氧化硅氢化、还原尾气干法回收、制氢站、氯硅皖罐区等装置区内，必须根据物料的危害特性和工况条件设置仪表检测报菁、自动连锁保护系统、消防应急联动系统和紧急停车装置。11.3卫生11.
31、3.1 多晶硅工厂劳动卫生设计应符合国家和当地相关法律、法规以及标准的规定，并且劳动卫生设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入使用。11.3.2 类似氯硅皖贮罐区的装置区应设置紧急淋洗设施;有毒性物料的装置区内应采取防尘、防毒设施，工作场所有害物质浓度应符合国家现行有关工作场所有害因素职业接触限值的规定。11.3.3 防噪、防振、防暑、防寒、防潮设计应符合国家现行有关工业企业设计卫生标准的规定，对产生超标准噪声的设备应采取消声减振、隔振吸声措施。 53 -圃-12 节能、余热回收12. 1一般规定12. 1. 1 多晶硅工厂节能设计应贯穿在可行性研究、初步设计及施工图设计的全过程F可行性
32、研究、初步设计阶段能耗指标设计应根据原料性能、产品品种、质量及产量指标等综合因素确定节能技术措施、用电方案、预设能起指标及评价，也可提供不同工艺设备和采用节能技术措施前后能耗对比的数据。12. 1. 2 主要耗能设备宜选用高效节能型或低能耗产品，各专业设计应多方案技术经济比较，应选用节能效果好、技术可靠、经济合理的方案。12. 1. 3 各个生产装置间应符合安全间距的规定，并应按物料输送距离、管道长度和电缆长度较短的原则布置。12. 1. 4 多晶硅工厂各个工序的能起指标应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的规定和现行国家标准多晶硅企业单位产品能源消耗限额)GB29447有关准入值的规定。1
33、2. 1. 5 多晶硅工厂生产线所采用的中小型三相异步电动机、容积式空气压缩机、通风机、清水离心泵、三相变压器等通用设备，应符合现行国家标准中小型三相异步电动机能效限定值及能效等级)GB18613、容积式空气压缩机能效限定值及能效等级)GB19153、通风机能效限定值及能效等级)GB19761、清水离心泵能效限定值及节能评价值)GB19762、三相配电变压器能效限定值及能效等级)GB20052的有关规定。12.2生产工艺12.2.1 还原炉应选用高效率、低能耗的炉型。7 F卢卢一12.2.2 多晶硅生产应采用先进的精馆技术，并应将多晶硅生产各工序进行物料平衡和能量平衡计算，应确定能耗低、经济性
34、好、竞争力强的工艺流程。12.2.3 多晶硅生产应优化工艺、采暖、通风、空调参数及换热网络，应实现各种能量的梯级利用。12.2.4 多晶硅工厂应利用多晶硅生产过程中的副产物。12.2.5 多晶硅工厂必须同步设计余热利用系统;还原炉和氢化反应的余热回收应用于提纯精锢塔再沸器的加热，且余热利用系统不应影晌多晶硅正常生产，不应提高多晶硅能耗或降低产量。12.2.6 多晶硅生产过程应选用节水、节能型产品，并应符合现行国家标准节水型产品通用技术条件)GBjT18870的有关规定。12.2.7 设备和管道应选用保温性能良好的绝热材料，保温设计应符合现行国家标准工业设备及管道绝热工程设计规范)GB50264
35、的有关规定。12.2.8 各装置以及重要设备宜设置计量和检测仪表，并宜设置调节控制装置，以满足全厂和各个系统单独计量考核的要求。12.2.9 多晶硅工厂宜设置循环水系统、高纯水系统、脱盐水系统产生的洁净废水的回收和再利用设施。 55 附录A地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距表A地下管线与建构筑物之间的最小水平净距(m)U哇哇芒给水管(mm)雨、污排水管电力电缆电缆沟通信电缆热力管(沟d:(;200 d200 建(构)筑物基础外缘2.0 3.0 3.0 0.6 0.6 0.5 1. 5 围墙基础外缘1. 0 1. 0 1. 0 0.6 0.6 0.5 1. 0 乔木中心)及灌木1. 5 1
36、. 5 1. 5 O. 7 O. 7 O. 5 2.0 地上柱忏通信照明及电压小于1.0 1.0 O. 5 l. 0 0.5 1. 0 l. 0 或等于1kV)地上柱杆(电压大于1kV)3.0 3.0 3.0 4.0 4.0 l. 0 3.0 道路佩石边缘1. 5 1. 5 l. 5 l.0 1.0 0.5 l. 5 样直流电气化铁路钢轨(或坡脚)5.0 5.0 5.0 3 3 2.5 5.0 直流电气化铁路钢轨(或坡脚)5.0 5.0 5.0 10 10 2.5 5.0 架空管架基础2.0 2.0 2.0 1. 0 1. 0 O. 5 l. 0 沟渠外缘l. 0 1. 0 1. 0 l.0
37、1.0 l. 0 l. 0 注:特殊情况可酌减且最多减少1/2.应符合现行国家标准电力工程电缆设计规范)GB50217的有关规定。1. 5 1. 0 1. 5 l. 0 3.0 1. 5 5.0 5.0 1. 0 1. 0 1 附录B地下管线之间的最小水平净距表B地下管线之间的最小水平净距(m)给水管(mm)JE缩热力管通信电缆电力电缆(kV)管线名称空气(沟电缆沟d200 d200 管道直埋 0.25 0.25 通信电缆管道0.5 1. 0 1. 0 1. 0 直埋0.5 1. 0 1. 0 1. 0 电缆沟1. 0 1. 5 0.5 2 热力管(沟)1. 0 1. 5 1. 0 压缩空气管
38、1. 0 1. 5 23 注2特殊情况可酌减且最多减少1/2.应符合现行国家标准电力工程电缆设计规范)GB50217的有关规定。用隔板分隔或电缆穿管时可为O.lm。CJ1 00 工段还原后处理房间名称还原炉室中间库硅棒破碎室硅料分拣室腐蚀清洗室硅料包装室附录C主要房间空气洁净度、温度、湿度表C主要房间空气洁净度、温度、混度夏季冬季吊顶净高空气洁净度等级温度(C)湿度(%)温度CC)湿度(%)(m) 三级过滤28 GB12348 硅多晶)GB/T12963 电能质量公用电网谐波)GB/T14549 大气污染物综合排放标准)GB16297 中小型三相异步电动机能效限定值及能效等级)GB18613
39、节水型产品通用技术条件)GB/T18870 容积式空气压缩机能效限定值及能效等级)GB19153 通风机能效限定值及能效等级)GB19761 清水离心泵能效限定值及节能评价值)GB19762 F 三相配电变压器能效限定值及节能评价值)GB20052 太阳能级多晶硅)GB/T25074 多晶硅企业单位产品能源消耗限额)GB29447 城镇供热管网设计规范)CJJ34 自动化仪表选型设计规定)HG/T20507 控制室设计规定)HG/T20508 仪表供电设计规定)HG/T20509 仪表供气设计规定)HG/T20510 仪表系统接地设计规范)HG/T20513 仪表及管线伴热和绝热保温设计规范)
40、HG/T20514 分散型控制系统工程设计规范)HG/T20573 压缩机厂房建筑设计规定)HG/T20673 建筑变形测量规范)JGJ8 冻土地区建筑地基基础设计规范)JGJ118 石油化工自动化仪表选型设计规范)SH3005 石油化工控制室设计规范)SH/T3006 石油化工仪表供气设计规范)SH/T3020 石油化工企业照度设计标准)SH/T3027 石油化工企业职业安全卫生设计规范)SH3047 石油化工仪表接地设计规范)SH/T3081 石油化工仪表供电设计规范)SH/T3082 石油化工分散控制系统设计规范)SH/T3092 石油化工仪表及管道伴热和绝热设计规范)SH/T3126
41、盐渍土地区建筑规范)SY/T0317 导热油加热炉系统规范)SY/T 0524 63 -飞F卢卢-中华人民共和国国家标准多晶硅工厂设计规范GB 51034 - 2014 条文说明-r 制订说明多晶硅工厂设计规范)GB51034-2014，经住房城乡建设部2014年8月27日以第530号公告批准发布。在本规范编制过程中，编制组经过了广泛深入的调查研究，认真总结了我国多晶硅行业多年发展积累的经验和成果，借鉴了相关国家、行业的先进标准，并在广泛征求意见的基础上，通过反复讨论、修改和完善，最后形成本规范。为了便于广大设计、科研、企业等单位有关人员在使用本规范时能正确理解和执行条文规定，(多晶硅工厂设计
42、规范编制组按章、节、条的顺序编制了本规范的条文说明，对条文规定的目的、依据以及执行中需要注意的有关事项进行了说明，还着重对强制性条文的强制性理由作了解释。但是，本条文说明不具备与规范正文同等的法律效力，仅供使用者作为理解和把握规范规定的参考。 67 .。干- 目次1总则(71 ) 2术语(72 ) 3 基本规定( 73 ) 4 厂址选择及厂区规划( 74 ) 4. 1 厂址选择( 74 ) 4.2 厂区规划( 75 ) 5 工艺设计( 77 ) 5. 1 一般规定( 77) 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化(78 ) 5.3 氯硅烧提纯( 79 ) 5.4 三氯氢硅氢还原(79 ) 5.5
43、还原尾气干法回收(80 ) 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理(80 ) 5.7 分析检测( 80 ) 6 电气及自动化 6. 1 电气(81 ) 6.2 自动化( 82 ) 7 辅助设施( 84 ) 7.1 压缩空气站( 84 ) 7.2 制氮站(84 ) 7.3 制氢站(84) 7. 4 导热汹(85 ) 7.5 纯水制备( 85 ) 7.6 制冷(85 ) 69 7.7 蒸汽(85 ) 8 建筑结构( 87 ) 8.1 一般规定( 87 ) 8.2 主要生产厂房和辅助用房( 89 ) 8. 3 防火、防爆(归)8.4 洁净设计及装修8. 5 防腐蚀8.6 结构设计( 95 ) 9 给水、
44、排水和消防(97 ) 9. 1 给水(97 ) 9.2 排水(97) 9.3 废水处理.刊们9.4 循环冷却水系统(98 ) 9.5 消防(99 ) 10 采暖、通风与空气调节(10 10. 1 一般规定(100)10.2 通风(100)10.3 空气调节与净化(103) 10.4 防排烟(105)10.5 空调冷热源(106)11 环境保护、安全和卫生(凹的11. 1 环境保护(凹的11. 2 安全凹的11. 3 卫生(凹的12 节能、余热回收. (1 10) 12.1 一般规定(110)12.2 生产工艺(110) 70 1总则1. 0.1 本条提出的技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能
45、是国家的基本技术经济政策，也是多晶硅工厂设计应贯彻实施的方针;建设资源节约型、环境友好型社会，发展循环经济是国家经济发展的一项重大战略思想。1. O. 2 已经实现工业化生产的多晶硅生产工艺有冶金法、三氯氢硅氢还原法以及硅烧法等，其中三氯氢硅氢还原工艺成熟，适合大规模工业化生产，是目前国内外主流生产工艺，采用此方法的产能占多晶硅总产能的85%以上。本规范适用于三氯氢硅氢还原生产工艺;以歧化工艺为主的硅皖法的三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和精馆环节与三氯氢硅氢还原工艺基本相同，也按本规范的有关规定执行。 71 2术语2.0.4 四氯化硅氢化是将多晶硅生产中大量副产的四氯化硅转化成三氯氢硅的工艺，目前已经实现工业化生产、比较成熟的氢化工艺有热氢化、冷氢化。其中热氢化是在1250C低压条件下，四氯化硅和氢气直接反应生产三氯氢硅的工艺，该工艺具有易操作、反应无杂质带入、后续精馆简单、电耗高、转化率低等特点;冷氢化是
