1、中华人民共和国国家标准半导体集成电路料双列封装冲制型引线框架规范GB/T 14112 93 内Semiconductor integrated circuits Specification for stamped leadframes of plastic DIP 用范围本规范规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本规范适用于双列(DIP)冲制型引线框架，单列冲制型引线框架亦可参照使用。2 引用3 GB 4719 半导体集成电路新产品定型鉴定的程序规GB 7092 半导体集成电路外形尺寸GB/14113 半导体集成电路封装术语IEC 410 计
2、数检查抽样方案和程序3. 1 引线框架尺寸引线框架的尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。3.2 引线框架形状和位置公差3.2. 1 侧弯小于0.05mm/150mm(见本规范附录Al)。3. 2. 2 卷曲小于0.5mm/150mm(见本规范附录A2)。3.2.3 横弯小于标称条宽的0.5%(见本规范附录A3)。3.2.4 框架扭曲小于0.5mm(见本规范附录A4)。3. 2. 5 引线扭曲不超过了30，即在距离内引线端点0.25mm处测得扭曲值不大于0.02mm(见本规范附录A5)。3.2.6 在保证精压宽度不小于引线宽度80%的条件下，精压深度不大于材料厚度的3
3、0%(见本规范附录A6)。3. 2. 7 材料厚度为0.25mm肘，相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的问隔大于0.15mm(见本规范附录A7)。3.2.8 材料厚度为0.25mm时，精压区共面性(见本规范附录A8)应符合表1的规定。表1口1口1引线框架条宽压区共面性50.8 士0.253.2.9 受压芯片粘接区的斜度小于O.02mm/mm，不受压芯片粘接区的斜度小于O.Olmm/mm(见本范附录A9)。3. 2. 10 芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算，最大公差为士O.05mm(见本规范附录AIO)。3.3 引线框架外观3.3. 1 功能区3.3. 1.1 划痕最大尺寸IXb
4、Xh:O.050mmXO. 025mmXO. OlOmm，数量不超过1个。3. 3. 1. 2 垂直毛刺最大为O.025mm，水平毛刺最大为O.050mm(见本规范附录All)。3. 3. 1. 3 凹坑深度不应超过O.008mm，最大表面尺寸为O.013mmo3. 3. 2 其他区域3. 3. 2. 1 划痕最大尺寸IXbXh:O.150mmXO.075mmXO. 030mm，数量不超过3个。3. 3. 2. 2 垂直毛刺最大为O.025mm，水平毛刺最大为O.050mm(见本规范附录All)。3. 3. 2. 3 凹坑深度不应超过O.05mm，面尺寸为O.13mmo3. 3. 3 无镀层部
5、分应无锈蚀、发花等缺陷。3. 4 引线框架镀层3. 4. 1 镀层厚度3. 4. ,. 1 局部镀金引线框架，其3. 4. 1. 2 局部镀银引线框架，3. 4. 1. 3 全部镀银引线框架，其2. 5m，其他区域不小于1m。3. 4. 2 镀层外观金层厚度不小于0.7m(平均值)，任意点不小于O.6mo 度不小于3.5m(平均值)，任意点不小于2.5mo层厚度在功能区部分不小于3.5m(平均值)，任意点不小于3. 4. 2. 1 镀层表面应致密，色泽均匀并呈金属本色。不允许有划伤、斑点、异物、起皮、起泡、沾污、水迹、锈蚀等缺陷。3.4.2.2 全部镀银的轨条部分允许有不明显的发花。3.4.3
6、 镀层耐热性镀层经高温试验后应无明显变色。不允许有起皮、起泡、剥落、发花、斑点。其试验方法见本规范附录Bl。3.4.4 键合强度引线框架精压区应易于键合，键合强度大于40mN。其试验方法见本规范附录B2。3. 5 引线框架外引线强度引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。其试验方法见本规范附录B304检4. 1 检验批的构成一个检验批可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个生产批构呐。a. 这些生产批是采用基本相同的材料、工序、设备等制造出来的zb. 每个生产批的检验结果表明，材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的要求;c. 若干个生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周。
7、除非另有规定，但也不得超过一个月。GB/T 14112 93 4.2 鉴定4.2. 1 新产品定型鉴定时应参照GB4719的各项规定。4.2.2 定型鉴定后的引线框架必须按本规范4.3条的规定进行质量一致性检验。4.2.3 鉴定重新核实对于己鉴定的引线框架，当发生以下任一情况时，应进行鉴定的重新核实。a. 1珍改了引线框架设计图纸;b. 生产制造技术改变(包括生产场地的改变); c. 伸止生产半年以上(如果该生产线生产另一种己鉴定的引线框架，且主要工艺未作改变，则可以认为生产是连续的)。鉴定重新核实时，必须进行A组、B组和C组使用。没有结果之前，这些引线框架不得交付4.3 质量一致性检验致性检
8、验由A组、B组和C组检验组成。4. 3. 1 A组检验A组检验应逐批进行，其检验中的分组见表2。分组A1a A1b A2 引引4. 3. 2 B组检验或外观外观表2A组检验试验方法毛刺检验按本规范附录All.其他用满足测量精度的量具或工具进量目检B组检验应逐批进行，其检验中的分组见表30表3B组分组试验方法B1 引线框架尺寸用满足测量精度的量具或工具进行B2a I引线框架形状和位置公差|按本规范附录A中A1A4B2b I寻|状和位置公差|按本规范附录A中A5A10B3 镀层用X荧光测厚仪或其他镀层B4 耐热性按本规范附录B中B14. :t c细检盼检验要求按本规班第3.3. 1条按本规范第3.
9、3. 23. 3. 3条按本规范第3.4.2条检验要求按本规范第3.1条按本规范第3.2.13.2.4条按本规范第3.2. 53. 2. 10条按本3.4.1条按本3.4.3条C组检验为周期检验，应每三个月进行一次，其检验中的分组见表4。表4C组检验分组法一一- 一一一一一- -一一C1 键合强度| 按本规范附录B中B2C2 外引线强度| 按本规范附录B中B34.3.4 检验要求检验要求按本规范第3.4. 4条按本规范第3.5条GB/T 14112 93 A组检验采用AQL抽样方案。B组和C组检验采用LTPD抽样方案。抽样以条为计数单位。A组检验的抽样要求见表5。表5A组检验的抽样要求AQL
10、分组IL AQL A1a I 1. 5 A1b I 2. 5 A2 I 1. 0 B组和C组检验的抽样要求见表6。表6B组和C组检验的抽样要求分组LTPD B1 10 C1 30 B2a ,B2b 20 C2 30 B3 15 B4 30 采用AQL抽样方案时，应根据IEC410确定抽样方案;采用LTPD抽样方案时，应根据本规范附录C确定抽样方案。AQL(和检查水平)及LTPD值是对整个分组而言，而不是对其中某一单项试验而言。逐批检验的样品应从该检验批中抽取。周期检验的样品应从通过了A组和B组检验的一个或几个检验批中抽取。4. 3. 4. 1 批拒收判据不符合A组或B组检验要求的批为不合格批。
11、如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一分组中的一项试验要求，将使该批引线框架被拒收，质量一致性检验即可停止。如果一检验批在性检验中不符合A组或B组要求，而且未被重新提交，则该批即判为拒收批。4.3.4.2 重新提交的批如果技术上可能，对于初次提交的不符合A组或B组检验要求的批，可经返工后重新提交。重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架。每个检验组(A组和B组)只能重新提交一次。重新提交的批应与其他批分开，并清楚标明为重新提交的批。重新提交的批对初次提交的全部不合格试验分组，应采用加严检验，随机地重新抽样。B组检验不合格而重新提交时，应包括A组检验。4. 3. 4. 3 试验设备故障或操作
12、人员失误时的程序如果确认引线框架失效是由于试验设备故障或操作人员失误引起的，应将失效记入试验记录。管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架，替代的引线框架应进行规定的全部试验。4. 3. 4.4 周期检验不合格的程序如果周期检验不合格，且不是由于设备故障或操作人员失误所引起，则质量管理部门和生产技术部门应执行下述规定:a. 立即停止引线框架的放行;b. 调查不合格的原因，并根据调查结果对以后的生产批实问题的措施;GB/T 14112 93 c. 从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验。试验合格的批可以放行。只有连续三个检验批通过这些分
13、组的检验后，才能恢复正常的周期检验。4. 3. 5 放行批证明记录制造单位应编写放行批证明记录。质量管理部门应对记录的准确性负责。放行批证明记录的内容应包括:a. 制造单位名称、商标和地址;b. 引线框架的型号和规格;c. 放行批证明记录周期的起止日期;d. 所做的试验项目及试验结果。当引线框架的使用单位要求时，制造单位可提供有关放行批证明记录的副本。放行批证明记录中所含资料为制造单位所有，未经制造单位同意，任何人不得1巳阳。5 订货资料若无其他规定，订购引线框架至少需要以下资料:a. 型号、规格;b. 设计图纸的编号;c. 数量。6 标志、包装、运输、贮存6. 1 标志、包装6. 1. 1
14、包装中应有检验合格证，标明制造单位名称、产品型号和规格、数量、批号及检验批代码。6. 1. 2 内包装应采用化学中性的防潮纸包裹，并保证产品不受损坏和沾污。6. 1. 3 外包装应保证产品在贮存、运输过程中不受损伤，不变形。其上注明防潮飞防震字样。6.2.1 产品在运输过程中应防止雨淋、受潮。6.2.2 产品应贮存在环境温度为1035C，相对湿度小于60%，周围无腐蚀性气体的库房内。6.2.3 自生产日期起算，镀金引线框架保存期为六个月，镀银引线框架保存期为三个月。GB/T 14112 93 附A 51 (补充件)A1 A 1.1 目的量引线框架侧面的直线度。A1. 2 概述用满足测量精度的量
15、具或工具进行测量，其测量部位见图Al最大值部位。条长侧弯值图AlA2卷曲A2.1 目的测量引线框架长度方向的平面度。A2.2 概述用满足测量精度的量具，其测量部位见图A2。基准面精压丽卷曲值卷曲值4墨幽值条*基准面精压面图A2A3横A 3. 1 日的测量引线框架宽度方向的平面度。A3. 2 概述用满足测量精度的量具A4 框架扭曲A4.1 目的基准面毛边测量引线框架的翘曲度。A4.2 毛边GB/T 14112 93 ，其位见图A3。条宽模弯值模弯值图A3用满足测量精度的量具或工具进行测量。被测端的一边扭曲时，测扭曲时，测量部位见图A4b。图A4a;被测端的两边A5 引线扭曲A5.1 目的图A4a
16、压住扭曲值量引线框架内引线的扭曲阜。A5.2 概述闰二二=丘/引趣的框魏扭曲值=A-B图A4b3. 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X，Y移动轴平行;b. 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面;!呈位C. 把显微镜聚焦在内引线精压表面的边缘上，在距内引线端点O.25mm处对内引线进行测量。应确保在精压平面上聚焦，而不是在轧制边上。记下焦点高度为A;GB/T 14112 93 d. 转动测微计的轴，使平面移至规定的距离，并重新调节显微镜焦距，确保两个焦点均在精压平面上，而不在轧制边上，测出焦点高度B.其与焦点高度A之差即为引线扭曲值。雹原副唰-m刨赚回赛图A
17、6a和图A仙。图A5，其。工具A6.1 目的测量引线框架键合区的精压A6.2 概述用满足测度的压深A6 精压宽度精压宽度四世申圈事图A6bA7.1 目的测量引线框架精压区A 7. 2 概述a. 用投影仪的零中心线对准如图A71处的端点边，记录在零线的数据。再用投影仪的零中心线对准如图A72处的端点边，测微计读数之差即为相邻两精压区端点间的间隔;b. 用同样方法测图A73处的端点边与芯片粘接区4处间的间隔。点与芯片粘接区间的间隔点间，精压图A6a的间隔A7 4 1 图A7& GB/T 14112 93 A8 糟压区共A8.1 目的测量引线框架精压区是否处于同一平面。A8.2 a. 将夹具在仪器分
18、辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行;b. 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面;C. 把显微镜聚焦在如图A8引线连筋1处的中点，焦点高度为零。再将焦点移至另一引线连筋2处的相应点上，并重新聚焦。两个焦点高度的平均值为基准高度pd. 将焦点移至精压区3处，并在距端点O.254mm处重新聚焦，记录相对于基准高度的高度差，减去已知的精压深度，即得出实际的精压区共面性数值;e. 用同样方法依次对每个精压区进行测量，准确记录每个读数的正(+)或负(一)值。00门口。- 口口u口口零F飞、dEJ3、r-，.-、L_ 1._ 一基准面一-一-号l线连筋因A8A9 芯片粘
19、接区A9.1 目的测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度。A9.2 a. 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行;b. 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面;c. I朋试点应在距芯片粘接区切割边缘O.127mm处。把显焦在如图A9的目标l处，其焦点高度为零;d. 转动测微计的轴使其移至目标2处，重新调节显微镜焦距，测出焦点高度即为芯片粘接区的斜度;e. 用同样方法分别测量目标3和4，得出芯片粘接区的度。GB/T 14112 93 A10 芯片粘接区A 10.1 目的1 3 引线连筋测量引线框架芯片粘接区受压下陷的程度。A 10.2 概述4 n 图A9芯
20、片粘接区c: c a. 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y移动轴平行;b. 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面;c. 把显微镜聚焦在如图AI0的目标1处，焦点高度为零。再将焦点移至目标2处，并重新聚焦。两个焦点的高度差即为芯片粘接区下陷值;d. 用同样方法测量目标3和4处的芯片粘接区下陷值。3 4 2 1 连筋。芯片帖接区;二UUIU 4U 2 1 nhnti n l 2 0.25mm 。, 1.27mm I 号l线连筋I 1.27mm I ,0. 25mm 定位范围因AIOA11 毛刺A 11. 1 目的测量引线框架边缘垂直和水平方向上多余的母体材
21、料的高度和长度。A 11. 2 概述A 11. 2. 1 垂直毛剌GB/T 14112 93 8. 把显微镜聚焦在如图All的A点，焦点高度为零;b. 将显微镜移至毛刺尖部B点，并重新聚焦，焦点的高度差即为垂直毛刺值。A 11. 2. 2 水平毛8. 调节显微镜的零中心线，使其对准如图All的C点，记录读数;b. 水平移动显微镜的载物台，对准毛刺尖D点，该横向移动量即为水平毛刺值。D C水平毛刺E恻唰A 图All附录B引线框架高温(补充件)B1 试验B1. 1 目的评定引线框架镀层经受高温应力的能力。B1.2 概述8. 将镀层表面质量合格的受试引线框架放入450士100C的试验箱内保持2min
22、;b. 取出引线框架，在正常大气条件下恢复到室温后进行目测检验。B2 试验B2.1 目的确定引线框架镀层能否符合规范规定的键合强度的要求。B2.2 概述8. 从每条受试引线框架中任选2个单元框架，每个单元框架任取2个精压区;b. 用金丝球焊机将125m金丝与精压区键压后，在与框架平行方向用测力计测试。B3 外引线B3. 1 目的引线框架外引线经受弯曲力的能力。B3.2 概述8. 用测试台上的夹钳夹紧受试引线框架的引线连筋(见图Bla); b. 将重量为230g的夹钳夹在离引线根部一半处。夹具至少夹住L/2引线长(见图Blb); c. 调节测试台每25s循环次，每次循环规定来回90。弯曲，共循环
23、3次后取下引线框架进行目测检验。夫试验号l图BlaC1 GB/T 14112 93 ll线框架-l 国lHb附录C批允许不合格品率也TPD)抽样方案(补充件)本附录中规定的程序适用于所有的性检验要求。C1.1 样品的抽取夹住号l线的部位应从检验批或子批中随机抽取样品。在连续生产的情况下，只要符合检验批的构成要求，制造单位可在生产期间按确定的周期方式抽取样品。C1. 2 不合格一个样品在一个分组的一项或几项试验中不合格，则应判为一个不合格品。C2 抽样方法质量一致性检验数据(样品量和发现的不合格品数)应从单个检验批中累计，从而证明该批器件是否符合各分组的要求。C2.1 样品每个分组的样品量根据规
24、定的LTPD值由本附录的表Cl中查得。制造单位可以选取多于规定的样品量，但允许不合格品数不得超过表Cl中与所规定的样品量相应的合格判定数。C2.2 合格判定程序第一次抽样时，选定一个合格判定数，根据规定的LTPD值确定相应的样品量并进行试验。如果样品中出现的不合格数不超过预先选定的合格判定数，则判为该检验合格。如果出现的不合格数超过预选的合格判定数，可确定一个追加样品量，使总的样品量符合本附录C2.1的规定。表Cl适用于给定检验批给定分组的第一次抽样，也适用于包括追加样品量在内的总样品量的确定。C3 口口口制造单位可在原有样品的基础上追加一定的样品量，但每一检验分组只能追加一次，且追加的样品应
25、经受该分组所包括的全部试验。总的样品量(最初的加上追加的样品量)应根据表Cl中选定的新的合格判定数确定。C4 多重判据如果一组样品有一个以上的合格判据，则这一组样品中的全部样品应受约于这一分组的全部判据。GB/T 14112 93 在表Cl中，合格判定数应对应于规定的LTPD列中小于或等于实际样品量的最大样品量。C5 百分之百检允许制造单位对非破坏性的各检验分组进行百分之百检验。如果检验批的不合格品率超过规定的LTPD值，则该分组百分之百检验。C6 加严检验合格。经百分之百检验的加严检验应按表Cl中比规定的严一级的LTPD值进行。交时，必须按加严检验的LTPD值进行。因崎=44M-s(一次抽样
26、)(置信度为90%)LTPD抽样方案的最小的被试验样品表Cl等于所规定的LTPD的批量不会合格品LTPD或A50 30 20 15 10 7 5 3 2 1. 5 1 0.7 O. 5 0.3 O. 2 0.15 0.1 合格判定数(C) 最小样品量寿命试验所要求的器件小时数，应乘以1000) (r=C+ 1) 5 8 11 15 22 32 45 76 116 153 231 328 461 767 1 152 1 534 2303 。(1.03) (0.64) (0.46) (0. 34) (0. 23) (0. 16) (0. 11) (0. 07) (0. 04) (0.03) (0.
27、02) (0.02) (0.01) (0.007) (0.005) (0.003) (0.002) 8 13 18 25 38 55 77 129 195 258 390 555 778 1 296 1 946 2592 3 891 1 (4.4) (2. 7) (2.0) (1.4) (0. 94) (0. 65) (0.46) (0.28) (0. 18) (0. 14) (0.09) (0.06) (0.045) (0.027) (0. 018) (0.013) (0.009) 11 18 25 34 52 75 105 176 266 354 533 759 1 065 1 773 2
28、662 3547 5323 2 (7.4) (4.5) (3.4) (2. 24) (1.6) (1.1) (0.78) (0. 47) (0.31) (0.23) (0. 15) (0. 11) (0.080) (0.045) (0. 03 1) (0.022 (0.015) 13 22 32 43 65 94 132 221 333 444 668 953 1 337 2226 3341 4452 6 681 3 (10.5) (6.2) (4.4) (3.2) (2.1) (1. 5) (1. 0) (0.62) (0.41) (0.31) (0.20) (0. 14) (0.10) (
29、0.062) (0.041) (0.031) (0.018) 16 27 38 52 78 113 158 265 398 531 798 1 140 1 599 2 663 3997 5327 7994 4 (12.3) ( 7. 3) (5.3) (3.9) (2.6) (1. 8) (1. 3) (0.75) (0.50) (0.37) (0.25) (0. 17) (0.12) (0.074) (0.049) (0.037) (0.025) 19 31 45 60 91 131 184 308 462 617 927 1 323 1 855 3090 4638 6 181 9275 5
30、 (13.8) (8.4) (6.0) (4.4) (2.9) (2.0) (1. 4) (0. 85) (0.57) (0. 42) (0. 28) (0. 20) (0.14) (0.085) (0.056) (0.042) (0.028) 21 35 51 68 104 149 209 349 528 700 1 054 1 503 2107 3509 5267 7019 10 533 6 (0.22) (15. 6) (9. 4) (6.6) (4.9) (3.2) (2.2) (1. 6) (0. 94) (0.62) (0. 47) (0. 31) (0. 155) (0.093)
31、 (0.062) (0.047) (0. 03 1) 24 39 57 77 116 166 234 390 589 783 1 178 1 680 2355 3 922 5886 7845 11 771 7 (16. 6) ( L O. 2) (7.2) (5.3) (3.5) (2.4) (1. 7) (1. 0) (0.67) (0.51) (0.34) (0.24) (0.17) (0.101) (0.067) (0.051) (0.034) 26 43 63 85 128 184 258 431 648 864 1 300 1 854 2599 4329 6493 8660 12 9
32、95 8 (18. 1) (L O. 9) (7.7) (5.6) (3. 7) (2.6) (1.8) (1.1) (0.72) (.54) (0.36) (0.25) 0. 18) (0. 108) (0.072) (0.054) (0.036) 续表Cl。因时芷44M-sLTPD或50 30 20 15 10 7 5 3 2 1. 5 1 O. 7 0.5 0.3 0.2 O. 15 O. 1 合格判定数(C) 最小样品量(寿命试验所要求的器件小时数，应乘以1000) (r=C+ 1) 28 47 69 93 140 201 282 471 709 945 1 421 2027 2842
33、 4733 7 103 9468 14206 9 (19.4) (L 1. 5) (8. 1) (6.0) (3. 9) (2.7) (1. 9) (1. 2) (0. 77) (0.58) (0. 38) (0. 27) (0. 19) (0.114) (0.077) (0.057) (0.038) 31 51 75 100 152 218 306 511 770 1 025 1 541 2 199 3082 5 133 7704 10 268 15 407 10 (19.9) 02. 1) (8.4) (6. 3) (4. 1) (2.9) (2.0) (1.2) (0.80) (0. 6
34、0) (0. 40) (0. 28) (0.20) (0.120) (0.080) (0.060) (0.040) 33 54 83 111 166 238 332 555 832 1 100 1 664 2378 3323 5546 8 319 11 092 16 638 11 (21. 0) (L2.8) (8.3) (6. 2) (4.2) (2.9) (2. 1) (1. 2) (0.83) (0. 62) (0.42) (0. 29) (0.21) (0.12) (0.083) (0.06:) (0.042) 36 59 89 119 178 254 356 594 890 1 18
35、7 1 781 2 544 3562 5936 8904 11 872 17808 12 (21. 4) (L3.0) (8.6) (6.5) (4.3) (3.0) (2. 2) (1.3) (0.86) (0. 65) (0.43) (0.3) (0.22) (0. 13) (0.086) (0.065) (0.043) 斗38 63 95 126 190 271 379 632 948 1 264 1 896 2 709 3 793 6 321 9482 12 643 18 964 13 (22.3) (l3.4) (8.9) (6. 7) (4.5) (3. 1) (2. 26) (1
36、. 3) (0.89) (0.67) (0.44) (0.31) (0.22) (0.134) (0.089) (0.067) (0.045) 、40 67 101 134 201 288 403 672 1 007 1 343 2 015 2878 4029 6 716 10073 13 431 20 146 14 (23. 1) (L3.8) (9. 2) (6.9) (4.6) (3.2) (2.3) (1.4) (0.92) (0.69) (0.46) (0.32) (0.23) (0.138) (0.092) (0.069) (0.046) 43 71 107 142 213 305
37、 426 711 1 066 1 422 2 133 3046 4265 7 108 10 662 14 216 21 324 15 (23.3) (L4. 1) (9. 4 ) (7. 1) (4. 7) (3.3) (2.36) (1. 41) (0.94) (0. 71) (0. 47) (0.33) (0.235) (0.141) (0.094) (0.070) (0.047) 45 74 112 150 225 321 450 750 1 124 1 490 2 249 3 212 4497 7 496 11 244 14 992 22 487 16 (24. 1) (L4.6) (
38、9. 7) (7. 2) (4.8) (3.37) (2. 41) (1. 44) (0.96) (0.72) (0.48) (0.337) (0.241) (0.144) (0.096) (0.072) (0.048) 47 79 118 158 236 338 473 788 1 182 1 576 2364 3377 4728 7880 11 819 15 759 23639 17 (24. 7) ( L 4. 7) (9.86) (7.36) (4. 93) (3.44) (2.46) (1. 48) (0. 98) (0.74) (0.49) (0.344) (0.246) (0.1
39、48) (0.098) (0.074) (0.049) 50 83 124 165 248 354 496 826 1 239 1 652 2478 3540 4 956 8260 12 390 16 520 24780 18 (24.9) (L5.0) (10.0) (7. 54) (5. 02) (3.51 ) (2.51) (1.51) (1.0) (0.75) (0.50) (0.351) (0. ?51) (0.151) (0.100) (0.075) (0.05( 且。因叶斗晶44M-s续表ClLTPD A 50 30 20 15 10 7 5 3 2 1. 5 1 o. 7 o.
40、 5 o. 3 o. 2 o. 15 o. 1 合格判定数(C) 最小样品量(要求的小时数，应乘以1000) (r=C+1) 52 86 130 173 259 370 518 864 1 296 1 728 2 591 3702 5 183 8638 12 957 17 276 25 914 19 (25.5) (15.4) (10.2) (7.76) (5. 12) (3.58) (2.56) (1.53) (1. 02) (0.77) (0.52) (0.358) (0.256) (0.153) (0.102) (0.077) (0.051) 54 90 135 180 271 386
41、541 902 1 353 1 803 2705 3864 5410 9 017 13 526 18034 27051 20 (26. 1) (15.6) (10.4) (7.82) (5.19) (3. 65) (2. 60) (1.56) (1.04) (0.78) (0.52) (0.364) (0.260) (0.156) (0.104) (0.078) (0.052) 65 109 163 217 326 466 652 1 086 1 629 2173 3 259 4656 6518 10 863 16 295 21 726 32589 25 (27.0) (16. 1) (10.8) (8.08) (5. 38) (3.76) (2.69) (1.61) (1.08) (0.807) (0.538) (0.376) (0.269) (0. 161) (0.108) (0.081) (0.054) 注s样品量是根据普阿险指数二项式极限确定的。括号内所示为平均19/20批被接收所要求的最低质量(约等于AQL)，仅供参考。说明:本标准由全国本标准由上本标准主GB/T 14112 93 电路标准化分技术委员会提出。电十九厂，上海无线电七厂负人房华恩、方立明、叶曾达。
