1、内用中华人民共和标准半导体集成电路封装术Terminology of packages for semiconductor integrated circuits GB/T 14113 93 本标准规定了半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使用的基本术语。本标准适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。2 引用标准GB 9178 集成电路术语3 术语3.1 封装package 电路的全包封或部分包封体，它提供z保护F环境保护p外形尺寸。封装可以包含l出咽，电路的热性能产生影响。3.2底座heacler 封装体中用来安装半片并已具备了芯)、引线键合和引
2、出的基体。3.3底板base 在陶毒或金属封装中，构成底座的一种片状陶瓷。3.4 盖板(管帽)cap 能的部分，它是在陶资封装或金属底座上，采用金属或陶瓷制成片状或帽状结构，封接后对整个封装形成密封的一个零件。3.5 上框window frame 装在陶瓷封装表面上的一个金属或陶瓷件在其上可焊接一个用于密封的盖板。3.6 引线框架leadframes 采用冲制或刻蚀工艺制造，使具有一定几何图形和规定外形尺寸，提供陶瓷熔封或塑料封装引出线的一个或一组金属零件。引线框架各部位名称见图1a和国1b。国家技局1993-0个211993-08-01实标称框架长度标称行程度(成型前)GB/T 1 4 11
3、 3 93 恒集导轨外号|线内寻|线寻l线肩菠璃锁扣M 铝宽度| 51| 线引出精基本!驯标志宰位继-.-.-一框架切断线帖&:区镀铝区a 陶瓷熔封封装覆铝引线框架寇位孔上导孰10y槽口锁扣切割区精压区内寻l线。F导轨精接区号|线连筋引线台肩_jI L忡主中心线外号l线b 塑料封装铝引线框架图1t成型后)GB/T 14113 93 3. 7 引线lead 安装在封装底板上用于电接触的金属线。3.8 引出端terminal 上电接触的外接点，通常指引出线或端子。3.9 引出端识别标志terminal visual index 鉴别第一引出端位置的参考特征(例如标记、凹槽、缺口、切角、凹陷或键等)
4、。3. 10 引线键合wire bonding 为了使细金属丝引线与芯片上的规定金属化区或底座上的规定区域形成欧姆接触而对它们施加应力的过程。3. 11 芯片焊接(粘接)die bonding 对集成电路芯片与底座或引线框架上的规定区域内实施焊接(粘接)以形成欧姆接触而采用的工艺和过程。3. 12 引线间距lead distance 相邻两引出端的中心距网。3. 13 跨度span 双列式封装两侧引线的中心4 结构术语4.1 密封区seal area 。用于封接底座和盖板的封接面见图20图2密封区4.2 关键密封区cri tical seal area 陶瓷熔封封装从内腔拐角到陶资边缘的最短直
5、线的有限区域，见图3。因非关键密封区囚关键密封区图3关键和非关键密封区密纣区GB/T 14113 93 4.3 非关键密封区non-critical seal area 瓷熔封封装中在关键密封区以外的密封表面部分4.4 连接区contact pad 4.2条图拙。瓷封装结构上，对外引4.5 焊迹footprint 电气连接的金属化区域。盗结构封装中连接区的图形4.6 芯片粘接区die attach area 粘接芯片的区域。4. 7 区bondingarea 引架资底座的内引线上，离引线端点规定的距离以内，用于引区。4.8 精压区coined area 合的精压区或金属化陶瓷熔封封装或塑料封装
6、的引线框架上，被加工后的键合区表面(见第3.6条图1a或图1b)。4.9 指形焊点bond finger 在扁平封装结构中，用于引线键合的金属化区。4. 10 功能区functional area 塑封引线框架上的芯片粘接区和引线键合区的总称。4. 11 基准面datum plane 确定封装结构上几何要素几何关系所依据的面，即为基准面，如第3.6条图1a所示，M即为基准面。4.12 基面base plane 封装中的底面见图4。支座高度文庵高度4.13 安装面seating plane 基面安装面a针基面安装面- -b陶瓷封装图4为支座的特征平面(见第4.12条图4)或无支座时的基面。4.
7、14 支座standoff GB/T 1411 3 93 由封装结构特征所产生的基面和安装面之间的设计间隙(见第4.12条图4)。支座的应用和形状可由具体的封装结构来确定。4.15 平面度flatness 封装结构中一个表面对某一参考面的允许偏差，由包容实际表面且距离为最小的两平行平面的距来表示。4.16 共面性coplanarity 引线框架上各引线端相对于基准面的距离偏差。4.17 薄层layer 资封装的组成部分，是一种起隔离作用的，有或无金属化层的陶盗层。平面形状和功能完全相同的多层组合，则视为一个薄层。4.18 绝缘间隙isolation gap 封装中相邻两导电区之间无金属体的空阳
8、。5 技术、工艺术语5. 1 化metallization 在陶瓷基体上将某些难熔金属或合金浆料涂覆5.2 共烧cofired 几何图形的过程。将陶资和金属化层同时烧成的一种工艺和技术。5.3 后金属化pos t -metalliza tion 在完成陶瓷基片烧结后再进行金属化的一种工艺。5.4 耐熔金属化refractory metallization 用高熔点(典型值超过18000C)金属或合金浆料实施金属化的过程。5.5 毛剌burr 垂直或水平地附着在金属边缘上的母体材料碎屑或粘附在陶瓷边缘上的母体材料碎屑和异物粒。5.6 飞边fin 陶瓷或塑料基体边缘或拐角上的细小、轻微、有刃的羽状
9、突出物。5. 7缺口chip 瓷或塑料表面没有完深给出缺口尺寸(见图5)。个封装基体的缺损部位。在产品设计结构图中用长、宽和图5缺口L，-Ii:度H，宽度V，深度GB/T 14113 93 5.8 裂纹crack 延伸到表面的裂痕，不论其是否穿透整个陶瓷或塑料封装的5.9孔瞰voids 在陶资表面上所指定金属化区5.10 异物foreign material 粘附在封装各部位的非母体材料5.11 斑点stain 层的区域内，。有机或无机材料的外来物附着在封装表面上所形成的污点。5. 12 凸起projection 基体材料表面固有的突出部分。5.13 凹坑pit 基体材料上具有可浅凹陷或非设计
10、规定的压7院。5.14 回缩pullback 化层瓷基体边缘与金属化层或玻面之间的直线距离(见图的。国编图6回缩、塌陷和悬伸5.15 塌陷rundown 。层而产生的缺损。 .臼化层或玻璃层材料沿陶资5.16 悬伸overhang 直方向的延伸部分(见第5.14条图6)。玻璃层材料沿陶提基体水平方向的延伸部分(见第5.14条图的。5.17 压痕slug marks 基体材料上的任意的机械划伤、压印和外界杂质所引起的无序凹坑。5.18 气泡blister (bubble) 塑料封装体、陶瓷金属化层、玻璃层或金属化层中的或层中间的任何局部空I!TJ0 5.19 变色discolora tion 经
11、过规定的高温老炼后，封装镀层、金属化层或引5.20 分层delamination 陶瓷封装各瓷间的空胁。5.21 脱皮(剥落)peeling (flaking) 化层、玻璃层、电镀层等从基体材料上分问。5.22 引线偏移lead offset 封装两对边引线的准直性。5.23扭曲twist 覆铝层上颜色的任何变化。引线框架或条带的一端相对于另一端的角位移(见图7)。GB/T 1 41 1 3 93 扭曲尺寸扭曲尺寸A-接触平面，考图7扭曲5.24引lead twist 封引的键合区偏离引线框架条带方向的角度(见图的。8 图811线扭5.25 弯度(幡弯)camber 引线框架条带边缘在水平面内
12、的直线度(见图的。5.26 弓形bow 的引二J、r立;fiL 图9弯度-.Jt. 内的直线度(见图10)。基准画5.27卷曲coilset GB/T 14.113 93 _. ，/气JL., _.-字_. 基准画 4、/r-, 、/j-JL. 凸弓形凹弓形-_、俨-JL J产-JL , 、-./基准面 . . 4可.)LL，/_j. .-图10弓形塑料封装引线框架条带长度方向的弯曲见图11.精&面正面正向卷曲基准面*i生精&面背面基准面图11卷曲变形5.28槽弯crossbow 引线框架宽度方向的弓形弯曲见图12。GB/T 141 1 3 9.3 *，冒E正向卷曲毛边基准国反向弯曲图12横向
13、弯5.29 斜度tilt 精压区平面与基准面的角度偏差。5.30 蚀刻系数etch factor 蚀刻型引线框架的蚀刻深度与横向蚀刻(钻蚀)深度之比见图13。自2刻舷.层光刻跤涂层若且;系数，t为金属厚皮FU 向蚀刻(则E=O.5Xt/& 图13钻蚀和系散5.31 钻蚀undercut 蚀刻引线框架时，腐蚀剂对的横向浸蚀(见第5.30条图13)。5.32 壳温case temperature (Tc) 安装芯片的封装表面上所规定参考点的。5.33 安装表面温度mount temperature (T M) 器件热交换安装界面(或主要热交换表面)上规定点的5.34 结温junction temp
14、erature (Tj) 器件中主要发热部分的半导体结的5.35 热阻thermalresistance (R. JR) 。度载体或封装以及安装技术散逸热量的能力。GB/T 14113 93 附中文A 安装面. . . 4. 13 安装表面度. . 5.33 凹坑5. 13 B 斑点.5.11 层. . 4.17 变色.5.19 D 底板. . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 . . . . . 3.2 F 飞边. . . . . . . . . . . . . 5.6 封装. . . . . . . . 3.1 分层. 5.20 密封区. . . . . .
15、. . . . . . 4.3 G . . . . . . . . . . 3.4 共面性. . . . 4. 16 共烧. . . . . . . . . . . . . . . 5.2 弓形. . 5.26 功能区. . . 4.10 关键密封区. . 4.2 H 焊迹. . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 后化 5.3 回. . . . . . . . ._. . . . . . 5. 14 横. . . . . . . . 5.28 J 基面4.12 基准面. . . . . 4.11 A 51 考件. . . . 化. . . . . . . 区. .
16、 . 精压区. . . . . . . . . . 卷曲. K 度. 三ZJLO 孔纹. . . . . . . . . . . . . . . . . . . L . . . . . . 连接区. . . M 毛. . . . . . . . 密封区. . . . . . . . . . N 耐熔金化. . . . . . 扭曲. . P 平面度. Q 气泡. 缺口. . . . . . . . . . . . . . R . S 上框. . . . . . . . . . . 蚀刻系数. . 5.34 5. 1 4. 7 4.8 4.18 5.27 3. 13 5.32 。. 5.8 4.
17、4 5.5 4. 1 5.4 5.23 4.15 5. 18 5. 7 5.35 3.5 5.30 GB/T 1 4 11 3 93 T 陷. 凸起. 脱皮w 弯度. . x 斜度. 芯片粘接区. . . . . . . . .-. . . . JC，i、. . . . 悬伸. . Y 压痕. 英异物.引出端-. 5. 15 引出标志. . 5.12 引线 5.21 引线框架. . . . . . 引线间距. . . . . 号|白帽廿. 5.25 引线扭曲. . . . . . . . 引线偏移. . . . . Z 5.29 4.6 支座.3.11 指形焊点. . . . . . . 5.
18、 16 钻蚀. . . . 5. 17 附录B 文51 (参考件)B base . . . . . . . . . base plane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . blister bond finger . . . . . . . . bonding area . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . bow . .-. . . . . . . . 5. 10 3.8 3.9 3. 7 3. 6 3. 12 3. 10 5.24 5.22 4. 14 4.
19、 9 5. 31 3.3 4. 12 5. 18 4.9 4.7 5.26 bubble . 5. 18 burr . 5. 5 C camber . . . . 5. 25 cap . 3. 4 case temperature (T c) . . . . . 5. 32 chip . . 5. 7 cofired . 5. 2 coil set . . . 5. 27 coined area . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.8 contact pad . . 4.4 coplanarit
20、y . . . . . 4.16 GB/T 14113 93 crack . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.8 critical seal area . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 crossbow . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.28 D datum plane . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.11 delaminatio
21、n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.20 die attach area . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.6 die bonding 3.11 discolora tion . . . . . . . . . . . . . . 5.19 E etch factor . . . . . 5.30 F fin . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6 flaking . . 5.21 flatness 4. 15 f
22、ootprint . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 foreign material . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. 10 functional area 4.10 H header . . . . . . . . . .-. . . . . . . . . 3.2 E isola: tion gap . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.18 J junction te
23、mperature (Tj) 5.34 L layer 4.17 lead . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 7 lead distance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 12 leadframes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 6 lead offset . . . . . . . . . . 5.22 lead twist . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. 24 M metalliza tion . . . .
24、5.1 mount temperature(TM) . . . 5.33 GB/T 14 11 3 93 N non-critical seal area . . . .-. . . . . . . . . . 4.3 。overhang . 5. 16 P package . 3. 1 peeling . 5.21 plt . . . . . . . . . . 5.13 post-metallization . .,. . . . . 5.3 proJectlOn . . . . . . . . 5. 12 pullback . . . . 5. 14 R refractory metal
25、liution . . . 5.4 rundown . ._. . . 5. 15 s seal area . . . . . 4.1 seating plane . . . . 4.13 slug marks . . . 5. 17 span . 3. 13 stam . . 5.11 standoff . . . . . 4.14 T terminal . 3.8 terminal visual index . . . 3. 9 thermal resistance(RejR) 5.35 tilt . . 5.29 tWlst . . . . . . . . . . 5.e3 U undercut . . . .-. 5. 31 V voids . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-. . 5. 9 W window frame . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 5 bonding v. . . Wlre 3. 10 GB/T 1 411 3 93 附加说明:本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由机械电子工业部电子标准化研究所、国营六九一厂主要起草人陈裕垠、王先春、陈学礼。
