1、ICS 3318001M 33 Y口中华人民共和国通信行业标准YDT 20011-2009用于光纤系统的半导体光电子器件第1部分：基本特性和额定值Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications-Partl：Specification template for essential rating and characteristics(IEC 62007-1：2008，Semiconductor optoelectronic devicesfor fibre optic system applicat
2、ions-Partl：Specification templatefor essential rating and characteristics，MOD)2009-12-11发布 2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布目 次言-范I訇”规范性引用文件术语、定义和缩略语用于光纤系统或子系统的光发射二极管带尾纤的激光器组件用于光纤系统或子系统的PIN光电二极管带或不带尾纤的雪崩光电二极管(APD)用于光纤系统或子系统的PINTIA组件用于泵浦光放大器的激光二极管组件”用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件“用于光纤系统或子系统的LED阵列用于数据光纤传输的光调制器组件-Y
3、DY 200112009|一一|=二|一一：|：|罴兰兰|前23456789m他刖 吾YD厂r 20011_2009用于光纤系统的半导体光电子器件包括两个部分：一第1部分：基本特性和额定值；一第2部分：测试方法。本部分为第1部分。本部分修改采用IEC 620071：2008用于光纤系统的半导体光电子器件第1部分：基本特性和额定值(英文版)。为了便于使用，本部分作了如下修改：a)统一了表格的格式：b)极限值统一用表格表示和增加了ESD要求；c)删除了原文的前言，增加了本部分的前言：d)阿拉伯数字表示的角注用英文小写字母表示；e)按国内应用情况，作了如下修订：一激光器组件、用于泵浦光放大器的激光二
4、极管组件和用予光纤模拟传输系统或予系统的激光二极管组件结构中，增加量子阱和应变量子阱；一光调制器组件光电特性要求中，增加了线性度、响应度、尾纤偏振串音、带宽、残余强度调制、背向光反射、调制器电反射、分光比的要求。f)对原文中的错误作了如下修改：一原文表3(本部分表4)“LED极限值”中，55611节峰值发射波长和55614节调制下的峰值发射波长，55612节光谱辐射带宽和55615节调制下的光谱辐射带宽，符号均为h，按国家标准相关规定，光谱辐射带宽的符号应是k，对此作了修正，见本部分表4，序号6光谱辐射带宽和调制下的光谱辐射带宽：一原文的表10(本部分表12)“用于泵浦光大器的激光二极管组件极
5、限值”中，注a给出9510节至9513节的降额曲线或降额系数。但表中的9512节和9513节是针对光电二极管给出的反向电压和正向电流。参照第5章中的要求，我们认为给出9510节至9511节的降额曲线或降额系数是合适的，为此，本部分表12中的注a修改为：不带TEC的激光器组件，应给出序号11或12参数的降额曲线或降额因子，。一原文的表12(本部分表14)“用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件极限值”中，注a给出lO510节至10513节的降额曲线或降额系数。但表中的10512节是对ESD要求，10513节是对反向电压要求。参照第5章要求，我们认为给出10510节至1051l节的降额曲线或
6、降额系数是合适的。为此，本部分表14中的注a修改为：不带TEC的激光器组件，应给出序号11或12参数的降额曲线或降额因子，。一原文表15(本部分表17)“用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件光电特性”中的1 I56节和1157节，均为反向电流，但符号是Vr和IR，单位都是V。经分析，我们认为这是笔误造成的，按儿YD厂r 20011_2009给出的符号要求，修正为正向电压和反向电流。见本部分表17，序号6和序号7。一原文的表16(本部分表18Y数据光纤传输的光调制器组件极限值，中，注a给出1259节至12511节的降额曲线或降额系数。但表中的1259节是光纤轴向拉力试验，12510节是工
7、作时温度的变化，12511节是反向电压，这些是不必给出降额的，所以删除了原表中对降额的要求。本部分由中国通信标准化协会提出并归口。本部分主要起草单位：深圳新飞通光电子技术有限公司、武汉邮电科学研究院。本部分主要起草人：梁泽、镇磊、李春芳、杨现文、徐顺川、赵先明。lII用于光纤系统的半导体光电子器件第1部分：基本特性和额定值YD1-20011-20091范围本部分规定了用于光纤系统或子系统的下列半导体光电子器件的基本额定值和特性：一半导体光发射器件；一半导体光探测器件；一单片或混合集成的光电子器件和其他组件。本部分适用于半导体光发射器件、半导体光探测器件及单片或混合集成的半导体光电子器件和其他组
8、件。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分。然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。IEC 608251：2007 激光产品的安全第l部分：设备分类、要求和用户指南3术语、定义和缩略语31术语和定义下列术语和定义适用于本部分。311PIN光电二极管PIN photodiode用来探测发光的一种二极管。该二极管有一个厚的本征层(I层)夹在掺杂的P型与N型半导体层之间。312雪崩光电二极管avalanche p
9、hotodiode在一定反向偏压下，通过载流子的倍增，使得初始光电流在其内部获得放大的光电二极管。313相对强度噪声relative intensity noise在噪声功率相应的单位带宽内，噪声功率的均方值与平均功率的平方值2之比并取对数，单位dBHz，用符号RIN表示。RIN=IOIg载2 xD314光谱漂移spectml shift在额定管壳温度或正向电流下的峰值发射波长值与基准管壳温度，或正向电流下的峰值发射波长值的偏移绝对值，用符号AX表示。YD120011-2009注：一般基准温度是25(2。315输入反射系数input reflection coefficient高频反射电压与高
10、频入射电压的比值，一般用符号S11表示。316跟踪误差tracking error在额定管壳温度下的光功率值与基准管壳温度下的光功率值的偏离绝对值，用符号k表示。注1：规定的基准管壳温度一般指25C。注2：在2个规定的温度范围内(低于或高于规定的基准管壳温度)一般取晟大值(绝对值)注3：跟踪误差一般用基准温度下辐射功率的百分数表示317响应度responsivity光电流Ip与输入到光电二极管光功率的比值，用符号RD或R表示。注1：如果不引起歧义，可以用更简略的术语和字母符号。注2：“光电二极管”指为一个完整的器件，例如：一芯片：一带光口或尾纤封装的组件。318过剩噪声因子 excess no
11、ise factor由于雪崩载流子倍增的空间和时域的波动引起的噪声：增时的光电流散粒噪声功率的比值，用符号Fe表示。注1；基准反向偏压应该足够低无载流子倍增发生，但足够大32缩略语下列缩略语适用于本部分。它定义为规定的反向偏压下，噪声功率与倍使器件完全耗尽和达到它的额定速度及响应度。APD Avalanche Photodiode 雪崩光电二极管ESD Electrostatic Discharge 静电放电LED Light Emitting Diode 光发射=极管LD Laser Diode 激光二极管TEC Thermo-Electric Cooler 热电致冷器TIA Transim
12、pedance Amplifier 跨阻抗放大器4用于光纤系统或子系统的光发射二极管41类型用于光纤系统或子系统，带或不带尾纤的光发射二极管。42材料GaAs、GaAIAs、InGaAs、InP等。43外形图和封装的详细资料2a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号；b)封装方法：使用玻璃金属塑料，其他材料：c)引出端标识及引出端与管壳之间任何电连接的标记；d)光端u特性：相对于机械轴的方向、位置、范围、数值孔径e)带尾纤器件：有关尾纤资料、包层类型、连接器、长度；f)封装的散热信息。44极限值除非另有规定LED的极限值(绝对最大值)见表1。衰1 LED的极限值YDT 200112009
13、要求序母参数名称 符号 单位最小 最大l 存储温度 T。m X X 2 温度：环境温度或 T埘b X X 管壳温度 Tc X X 3 焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离) T，ld X 4 反向电压 VR X V5 直流正向电流降额曲线或降额因子 IF X mA6 在规定脉冲条件下重复的峰值正向电流(适用时) IFRM X mA降额曲线或降额因予(适用时)7 功耗降额曲线或降额因子(适用时) Pmt X mW8 管壳额定器件：结温(适用时) T(v，】 X 9 带尾纤的器件：尾纤弯曲半径(规定距管壳的距离) X10 冲击 X g，s11 振动 X g，Hz12 带尾纤器件拉力松套结构：一沿
14、光纤轴向的拉力 F X N一沿光纤轴向涂覆层拉力 F X N紧套结构：一沿光纤轴向的拉力 F X N13 ESD X V45光电特l生LED的光电特性见表2。表2 LED的光电特性测试条件T叽b或Tc。=25 蔓求序号 参数名称 符 n 单位(除非另有说明) 最小 最大l 正向电压 VF IF或中。按规定 X V2 反向电流 IR VR按规定 X mA3 微分电阻 rd 1F或m。按规定 X n4 总电容 CI VR，f按规定 X pFYD厂r 200112009寰2(续)测试条件TI。b或Tc。o=25C 要求序号 参数名称 符号 单位(除非另有说明) 最小 最小5 噪声参数相对强度噪声(适
15、用时)或 RIN 1F或吼、foAfN按规定 X dB，H2载噪比(适用时) C，N IF或也、fN、fm、m按规定 X dB6 输出参数辐射输出功率或 啦 I-按规定(直流或脉冲或两者) X X mW正向电流 IF o。按规定 X X mA7 0 X不带尾纤器件：发散角(适用时) IF或中。，角m按规定0 X8 小带尾纤器件：角偏差(适用时) 0 1F或m。角m按规定 X9 光谱辐射带宽 九 1F或m。按规定 X10 峰值发射波长 k 1F或中。按规定 X X1l 带宽开关时间 直流电流、输入脉冲电流、脉冲一上升时间 k 宽度和占空比按规定 X psX ps一下降时间 一延迟时间(适用时)
16、h(卸)取 X pshod X ps截止频率 IF或o。按规定 X MHz适用时46补充信息a)提供1)或2)的典型曲线或系数；1)辐射功率与温度变化的典型曲线或系数作方式：直流或脉冲)；2)辐射强度与温度变化的她型曲线或系数作方式：直流或脉冲)；辐射功率与正向电流变化的典型曲线或系数(应规定工辐射强度与正向电流变化的典型曲线或系数(应规定Tb)峰值发射波长与温度变化的lI型曲线或系数c)典型的辐射图：d)热阻。5带尾纤的激光器组件51类型激光器组件由下列基本元件组成：一激光二极管；一尾纤(适用时)；一光电二极管(适用时)；一热传感器(适用时)：一THC元件(适用时)。452材料与结构521材
17、料激光器组件由下列材料构成：一激光二极管：GaAs、GaAIAs、InGaAsP、InP；一光电二极管：Ge、Si、GaInAs(适用时)；一热传感器：(适用时)；一TEC元件(适用时)。522结构激光二极管结构为：一量子阱、应变量子阱等；一增益波导、拆射率波导、分布反馈等。53外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号；b)封装方法：使用玻璃，金属，塑料，其他材料；c)引出端识别和引出端与管壳之间的任何屯连接标记d)尾纤信息：光纤类型、包层种类、连接器、长度：e)封装的散热信息。54极限值除非另有规定，激光器组件的极限值(绝对最大值)见表3。表3激光器组件的极限值Y
18、DT200112009要求序号 参数名称 符号 单位最小 最大1 存储温度 TI X X 2 管壳温度 L卅 X X 3 工作热沉温度 Tl曲 X X 4 焊接温度(规定焊接时间和距管壳晟短距离) Tl】d X 5 尾纤弯曲半径(规定距管壳的距离) X6 冲击 X gS7 振动 X g，Hz8 沿光缆轴向拉力松套结构：一光纤拉力 F X N一光缆拉力 F X N紧套结构：一光缆拉力 F X N激光二极管9 反向电压 VR X V10 连续正向电流 IF X mA1l 连续辐射功率 中c X mW12 在规定频率和脉冲持续时间下，脉冲正向电流 IFp X mA5表3(续)要求序号 参数名称 符号
19、 单位最小 最大13 在规定频率和脉冲持续时间下脉冲辐射功牢 m。 X mW光电二极管14 反向电压 VR X V15 正向电流 IF X mA热传感器(适用时)16 功耗 P X mW电压 V。 X V热电致冷器(适用时)17 在冷却和加热时，致冷器电流 IPE X A。不带TEC致冷器的激光器组件，应给出序号10至序号13的降额曲线或降额因了。带TEC的激光器组件，Lub等于2555光电特性带尾纤的激光器组件光电特性见表4。表4带尾纤的激光器组件光电特性测试条件除非另有说明，带TEC激光器， 要求序号 参数名称 符号 Tom=25C； 单位不带TEC的激光器组件，Tmb或 最小值 最大值T
20、。=25CA激光二极管1 正向电压 V口 IF或中。按规定 X V2 闽值电流 1(1H】 X X mA3 闽值下的辐射功率 中eTH) IF2I(TH) X mW4 大于闽值时的正向电流 AIF m。按规定，T=Tcm或T。b晟大值 X mA(不带TEC的激光器组件)5 微分效率 rla 中。或IF按规定T=T蛐。或TI。b X X(不带TEC的激光器组件) 最火值6 光谱特性峰值发射波长 九PI 中。或IF按规定CW工作 X XXFWHM光谱辐射带宽或 r 毋。或IF按规定，CW工作 模距和纵模数 nm 中。或IF按规定，CW T作 X调制下的峰值发射波长 丸， 啦或IF，调制条件按规定
21、X X调制下的光谱辐射带宽 axb m。或IF，调制条件按规定 X7 附加光i特性中心波长 h，l o。或IF按规定CW工作 X X均方根光谱带宽或 Ak。 巾。或IF按规定 X模距和纵模数 ”m m。或IF按规定 X调制下的中心波长 妒 中。或IF、调制条件按Ji!I!定 X X调制下的均方根带宽 k。，6 中。或lF、调制条件按规定 X6表4(续)YDT20011-2009测试条件符 除非另有说明带TEC激光器，要求序号 参数名称 Tc“o=25C； 单位号 不带TEC的激光器组件，TIl-b或最小值 最小值Tc。=258 直接调制下的单纵模激光二极管组件光谱模宽 酿L 吼或1F、调制条件
22、按规定 X nm边模抑制比 SMSR 吼或Ip、调制条件按规定 X dB9 光谱漂移带TEC激光器组件的光谱漂移 k I补AIF2、中。l、0。2按规定 X一SRTEC激光器纽件的光谱漂移 k T-|lIb或Tco，L0或Tc。0按规定 X10 瞬态参数上升时间 k X下降时间 tf 偏置电流IF或中。、输入脉冲电 X和(或) 流、宽度和占空比按规定导通时间 kn X关断时间 kH X1I 截止频率 L 0。或IF按规定 X X MHz12 载噪比 C，N o。或IP、f、fm、m、fo按规定 X dBB监视。 )匕电二极管13 暗电流 IRD 叽=O，vR拔规定 X nA14 光辐射下的反向
23、电流 IRe1 叽或IF、vR按规定 X X 15 二极管电容或上升，下降时问电容或 Cmt VR和f按规定 X pF上升时间，下降时问 k r tf 啦或IF、VR按规定 X nS16 跟踪误差 ERl 饥或AI F、vR按规定温度范围 X 血跟踪误差 25到T。最低或T。山犀低和(或) ER2 啦或IF、vR按规定，温度范围 X dB跟踪误差 25到Lm最高或T。mb圾高C热敏电阻(适用时)17 阻值 R 热敏电阻电流I。按舰定 X X Q18 B值 R，R 热敏电阻电流I。、温度范围Tm、 X X kT帕0按规定D TEC电流(适用时)19 TEC电流 Ipe 蛾或I，按规定，温度范围T
24、 X A最低或T。最高20 TEc电压 VPe 中。或IF按规定，温度范围Tc懈 X V最底或T。最高CW工作；6在调制下56补充信息a)激光二极管的DC正向电流对应的【|0。oo7YDT20011-2009注：m咖是安装在热沉上的激光二极管芯片的辐射功率值，它使用tHN,佑U造技术，并遵循相同质量保证程序制造来的器件性能和可靠性的典型值。b)热敏电阻温度对致冷器电流变化的响应时间(适用时)；C)激光二极管结与管壳之间的热阻(不带致冷器)R。：d)S11参数：e)安全性见IEC 608251：2007。6用于光纤系统或子系统的PIN光电二极管61类型用于光纤系统或子系统，带或不带尾纤的环境额定
25、或管壳额定的PIN光电二极管。62材料Si、Ge、InGaAs等。63外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号：b)封装方法：使用玻璃，金属，塑料，其他材料：c)引出端识别和引出端与管壳之间的任何电连接标记；d)光端口(光学窗口)特性：相对机械轴的方向、安装位置、面积、数值7L径等e)带尾纤的器件：尾纤信息、光纤种类、包层种类、连接器、长度。64极限值除非另有规定，PIN光电极管的极限值(绝对最大值)见表5。表5 PIN光电二极管极限值要求序号 参数名称 符号 单位最小 晟大l 存储温度 Ts X X 2 温度环境温度或 TImb X X 管壳温度 Tc眦 X X
26、3 焊接温度(规定最长焊接时间和距管壳最短距离) Ts】d X 4 反向电压 VR X V5 功耗 P X W6 光敏面上的辐射功率 oe X mW7 带尾纤的器件：弯曲、半径(ji!I!定距管壳的距离) X8 冲击 X g，s9 振动 X g，Hz10 带尾纤器件的拉力松套结构：一沿着尾纤轴向的拉力 F X N一沿着光纤涂覆层上的拉力 F X N紧套结构一沿着尾纤轴向的拉力 F X N1l ESD X V65光电特性PIN光电二极管的光电特性见表6。表6 PIN光电二极管的光电特性YD厂r 200112009测试条件 要求序号 参数名称 符号 单位除非另有说明，Tm或Tn。-25 最小值 最
27、大值1 暗电流暗电流 IRD) vR按规定，O。=O X nA高温下的暗电流 IRD) VR按规定，中。-0，温度T啊b或Tc。 X nA按规定2 总电容 Ct VR、f按规定饥=o X pF3 噪声电流 ID VR、IR(“fo、AfN、RL、k、Ak按X nA规定4 不带尾纤的器件：沿规定机械轴上的响应度 Sm，S v”k、九、饥按规定 X X。响应度空间均匀性(适用时) AS V”k、A九、q按规定 X uA，mW5 带尾纤器件：响应度 Sm，S vR、k、乩、吼按规定 X X 删mW6 带宽开关时间一上升时问 V”k、九、脉冲底部中。I、脉冲 nSX下降时间 tf 项部中。2、RL按规
28、定 一 X ns一延迟时间(适用时) h)凡(甜) 一 X ns一存储时问或 k 一 X nS截止频率 VR、k、从、哦、RL按规定 X MHz除非另有说明，所有特性测试，vn应相同适用时t6术语和，或字母符号正在考虑中66补充信息a)不同温度下，暗电流与电压的典型曲线：b)电容与反向电压的典型曲线；c)响应度与波长的关系：d)响应度与温度的关系：最大功耗的降额曲线或降额因子。7带或不带尾纤的雪崩光电二极管(APD)71类型用于光纤系统或子系统，带或不带尾纤的雪崩光电二极管。72材料和结构721材料Si、Ge、InGaAs等。722结构9YD厂r20011-2009一体材料、量子阱；一平面、台
29、面。73外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准的编号；b)封装方法：使用玻璃，金属塑料其他材料；c)引出端识别和引出端与管壳之间的任何电连接标记：d)光端口特性：相对机械轴的方向，安装位置，面积、数值孔径e)尾纤信息(适用时)：光纤种类、包层种类、连接器、长度。74极限值除非另有规定，APD的极限值(绝对最大值)见表7。表7 APD的极限值要求序号 参数名称 符号 单位最小 最大1 光纤弯曲半径(适用时) X2 存储温度 T5 X X 3 温度工作环境温度或 T蛐b X X 管壳温度 L嘶 X X 4 焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离) Tsld X 5 环境
30、或管壳温度为25时的最大功耗、降额曲线或降额因予 Pt。 X W6 适用时沿尾纤轴向的最大拉力(光纤或光缆) F X N7 反向电流 IR X gA8 正向电流 IF X mA9 ESD X V75光电特性APD的光电特性见表8。除非另有规定，所有特性测试，vR应相同，应等1：09V IBRI。表8带或不带尾纤的APD光电特性测试条件 要求序号 参数名称 符号 单位除非另有说明TImb或To。=25 最小值 最大值l 击穿电压 VBRl 乓或啦=0，VR按规定 X X V2 反向暗电流反向暗电流 1R- Ec或啦=0，VR按规定 X nA高温下的反向暗电流6 IRc E或叽=O，vR按规定，T
31、=1kb最大 X nA或T。最大3 响应度响应度1 1 VRl6、O。、k、A九按规定 X X响应度。 R。 VR、中p k、九按规定 X X6pAmW4 倍增因子 M VR凡o。、k、九按舰定 X10表8(续)YD厂r200112009测试条件 要求序号 参数名称 符号 单位除非另有说明TImb或Tc删=25 最小值 最大值5 总也容 CmI Ee或o。=0，VR、f按规定 X pF6 小信号参数导通时间和截止时间 kn vR、九、RL、饥1：峰值辐射功率、 X nSk 中以：补偿辐射功率按规定 X lls小信号截止频率 L VR、k、九、中。和RL按规定 X MHz7 过剩噪声困予 Fc
32、VR产、V R、IP0、k、x、M、fo、fN X按规定8 噪声电流(适用时) In VR、k、监、f、fN按规定 X nA适用时：6vRI应很小，在该值下产生的载流子倍增可以忽略不计，或在该电压下器件全耗尽，并达到器件的额定速度：。术语字母符号正在考虑中76补充信息a)击穿电压与温度的变化曲线；b)响应度与波长的变化曲线；C)电容与电压的变化曲线：d)在不同温度下，倍增因子与反向电压的变化曲线e)在不同温度下，暗屯流与反向电压的变化曲线：f)光敏面相对管壳的位置(不带尾纤)；g)过剩噪声因子与反向电压的变化曲线(适用时)；h)噪声电流与反向电压的变化曲线(适用时)。8用于光纤系统或子系统的P
33、INTIA组件81类型PINTIA组件，由下列基本元件组成：一PIN光电二极管：一TIA电路；一尾纤、尾纤连接器、适配器(与管壳连接)。82材料PINTIA组件由下列半导体材料组成：一PIN光电二极管：Si、Ge、InGaAs等：一TIA电路：GaAs、Si、GeSi、lnP等。83结构PINTIA结构是：一PIN光电二极管：台面、平面等；一TIA电路：CMOS、BiCMOS、HBT、双极性等；YD厂r 20011-2009一电路类型：高阻抗、跨阻抗、宽带等；一光纤耦合类型：光锥、透镜等：一封装信息：尾纤、适配器(与管壳连接)等。84外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC或国家标准
34、编号：b)封装方法：使用玻璃金属，塑料，其他材料；c)引出端识别和引出端与管壳之间的任何电连接标记；d)光端口特性：相对机械轴的方向、安装位置、范围、数值孔径e)尾纤信息：光纤种类、包层种类、连接器、长度；f)连接器，插座信息。85极限值除非另有规定，PINr兀A组件的极限值(绝对最大值)见表9。表9 PIN-TIA组件极限值要求序号 参数名称符号 单位最小 最大l 存储温度 T| X X 2 工作温度工作环境温度或 1kb X X 工作管壳温度 T X X 3 焊接温度(规定焊接时阃和距管壳最短距离) TIId X 4 规定端口的电源电压 V叩 X X V5 光端口的辐射功率 饥 X mW(
35、W)6 尾纤弯曲半径(规定距管壳展短距离) X7 冲击 X g，S8 振动 X g，Hz9 沿光缆轴向的拉力松套结构一光纤拉力 F X N一光缆拉力 F X N紧套结构一光缆拉力 F X N10 ESD X V86工作条件除非另有说明PIN-TIA组件工作条件见表10(T。nb=25)。表10 PIN-TIA组件工作条件要求序号参数名称 符号 单位最小 最大1 电源电压 V X X V2 电流(L。b最大) I X mA3 负载电阻 RL X n1287光电特性PINTIA组件的光电特性见表11。采11 PIN-TIA组件的光电特性YD厂r 200112009测试条件 要求序号 参数名称 符号
36、 单位除非另有说明，T础或T_25C 最小值 履大值l 最小可探测功率 meD a)k、k、f曲、B和C，N按规定，或 X dBmb)k、九、速率、信号模式和比特差错率按规定2 输出噪声功率密度 kX RL、fm、B、m。、k，、九按规定 X WHz3 频率低频输出噪声功率密度 PX O。=o、RL、fm、B、k和k按规定 X WHzLP角频率 ， X Hz4 响应度响应度(组件) Ro k、从、RL、饥按规定 X 、P鼬响应度(仅适用于PIN RD VR、k、盐、0。按规定 X 枷光电二极管)(适用时)5 频率响应平坦度 ARoRo k、A九、饥、RL、f1和f2按规定 X6 带宽开关时问一
37、上升时间 k k、x、母。I、0钮、RL按规定 一 X nS一下降时间或 k X nS截止频率 丘 k、Ak O。、RL按规定 X MHz(GHz)7 电压偏移(适用时) VOE k、从、吼、RL按规定 X X V8 暗电流(仅适用于PIN 1R vR按规定，中。-0 X nA光电二极管)(适用时)8。8补充信息a)与波长有关的响应度；b)偏移电压的典型热变化(适用时)；c)等效电路的信息。9用于泵浦光放大器的激光二极管组件91类型泵浦光放大器的激光二极管组件由下列基本单元组成一激光二极管；一光纤(适用时)；一透镜(适用时)；一光电二极管(适用时)；一热传感器(适用时)；一TEC元件(适用时)
38、；YDT 200112009一隔离器(适用时)。92材料和结构泵浦光放大器的激光二极管组件由下列半导体材料组成：一激光二极管：GaAs、GaAIAs、InGaAs、InGaAsP、InP等一光电二极管j Gc、Si、InGaAs等(适用时)；一热传感器(适用时)；一TEe元件(适用时)。93结构泵浦光放大器的激光二极管组件的结构如下：一量子阱、应变量子阱等；一增益波导、折射率波导、分布反馈等。94外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准编号；b)封装方法：使用玻璃，金属塑料其他材料；C)引出端识别和引出端与管壳之问任何电连接的标识：d)光端口的特性：相对机械轴的方向、
39、安装位置、范围、数值孔径；e)光纤信息：光纤种类、包层种类、连接器和长度；f)封装的散热信息。95极限值除非另有规定，泵浦光放大器的激光二极管组件的极限值(绝对最大值)见表12。衰12用于泵浦光放大器的激光二极管组件极限值要求序号 参数名称 符号 单位最小 最大A通用条件l 贮存温度 Ts X X2 工作管壳温度 Tc眦 X X3 工作热沉温度(适用时) T蚍b X X4 焊接温度(应规定最高焊接时间和距管壳敏短距离) Ts X5 尾纤弯曲半径(规定距管壳最短距离) r X mm(cm)6 冲击 X gS7 振动 X g，Hz8 沿光纤轴向的拉力松套结构一光纤拉力 F X N一光缆拉力 F X
40、 N一紧套结构一光缆拉力 F X N9 ESD X V14表12(续)YD厂r 200112009要求序号 参数名称 符号 单位最小 =嘬小B激光二极管10 反向电压 VR X V11 连续的正向电流 IP X mA12 连续的辐射功率 中c X mWC光电二极管(适用时)13 反向电压 VR X V14 正向电流 lP X mAD热传感器(适用时)15 热传感器功耗或 P X W电压 V X VE热lb致冷器(适用时)16 致冷和加热时的致冷器电流 1D X A1不带TEC的激光器组件。应给山序号11或12参数的降额曲线或降额因子带TEC的激光器组件，T。b=25C9 6光电特|生用于泵浦光
41、放大器的激光二极管组什的光电特性见表13。表13用于泵浦光放大器的激光二极管组件的光电特性测试条件 要求除非另有规定，带TEC激光器序号 参数名称 符号 单位组件T|ub=25C：不带TEC激 最小值 最大值光器组件，TIm或Tc。=25CA激光=极管1 正向电压 V口 叽或IF按规定 X V2 正向屯流2 1 正向电流 I， 吼按规定 X mA2 2 高温下的正向f乜流 I口。 叽按规定，Tc。最大 X mA3 闽值电流 In) X X mA4 微分效率 m O。或IF按规定(Ale=lrllH) X X5 光谱特性峰值发射波长 P 饥或lF按规定，CW工作 X X光谱辐射的均方根带宽 。
42、啦或IF按规定，CW工作 X或光谱辐射的带宽(FWHM) 九 中。或IF按J；!|l定CW工作 X与电流或辐射功砗有关的光谱 AXC或 aIF、AIFb或中e、砒按规定 一 X nmmA漂移 X。 X nndmW与温度有关的光谱漂移(带TEC h T一、Tc。5、识或AIF按规定 X nm的激光器组件)与温度有关的光谱漂移(不带致 h Lmb。、TI。bb、或T。、Tc。6、 X nm冷_I的激光器组件) O。或IF按规定5YD厂r20011-2009表13(续)测试条件 要求除非另有规定，带TEC激光器序号 参数名称 符号 单位组件T|ub=25：不带TEC激 晟小值 最大值光器组件，T蚶m
43、或T。庐25B监视光电二极管(适用时)6 IRD 中o-0，VR按规定 一 X gA7 暗电流 Is(M， O。或IF、vR按规定 X X mA8 监视电流跟踪误差 Em o。或IF、VR按规定，温度范 一 X 跟踪误差 围：25至Tc。最小或Tmb最小跟踪误差5 ER2 m。或I”vR按规定，温度范 X 围：25至Tcm最大或Tmb最大C热敏电阻(适用时)9 阻值 R 热敏电阻电流1。按规定 X X n10 B值 胍 热敏电阻电流I。按规定，温 X X k度范围：T|ub。、T|ub6D TEC元件(适用时)11 TEc电流 IrE 中。或IF按规定温度范围： X ATc。最小或T。最大12
44、 TEC电压 VPE m。或Ip按规定，温度范围： X VTc。最小或T。最大1 CW-工作：6调制97补充信息a)在规定管壳温度和输出功率时的中值寿命；b)激光二极管的DC正向电流对应的中m；注：m啪是安装在热沉上的激光二极管芯片的辐射功率值，它是使用相同制造技术，并遵循相同质量保证程序，制造出来的器件性能和可靠性的典型值。c)热敏电阻温度对致冷器电流变化的响应时间(适用时)；d)激光二极管结和管壳问的热阻(不带致冷器的激光器组件)。98安全性见IEC 608251：2007。1 0用于光纤模拟传输系统或于系统的激光二极管组件101类型激光二极管组件由下列基本元件组成：一激光二极管：一尾纤(
45、适用时)；16一光电二极管(适用时)；一热传感器(适用时)；一TEC元件(适用时)；一隔离器(适用时)。102材料用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件半导体材料是：一激光二极管：GaAs、GaAlAs、InGaAs、InGaAsP、InP等；一光电二极管：Ge、Si、InGaAs等(适用时)：一热传感器(适用时)：一TEC元件(适用时)。103结构激光二极管：一量子阱、应变量子阱等：一分布反馈(DFB)、分布布喇格反射式(DRB)等。104外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC或国家标准的编号；b)封装方法：使用玻璃金属塑料其他材料。C)引出端识别和引出端和管壳之间任何电连
46、接的标识。d)光端口的特性：相对机械轴的方向、安装位置、范围、数值孔径。YDT 200112009e)光纤信息：光纤种类、包层种类、连接器和长度。f)封装的散热信息。105极限值除非另有规定，用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件的极限值(绝对最大值)见表14。表14用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件极限值要求序号 参数名称 符号 单位最小 最大A通用条件1 贮存温度 TtI X X2 工作管壳温度 Tcm X X3 工作热沉温度(适用时) Twb X X 4 焊接温度，应姚定虽高焊接时间和距管壳最短距离 Tm X5 尾纤弯曲半径(规定距管壳最短距离) r X mm(cm)6 冲击 一 X g，S7 振动 一 X gHz8 沿光纤轴向的拉力松套结构一光纤拉力 F X N一光缆拉力 F X N一紧套结构一光缆拉力 F X N7YD厂r 200
