1、w导，、日l玉SJ/T 10250 91 利IJDetail specification for electronic components Semiconductor integrated circuit-type CB565 analog phase-locked loop (可供认证用)1991-11一12发布1992-01-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CB565型模拟锁相环SJ/T 10250 91 Detail specification for electronic components Semiconducto
2、r integrated circuit type-CB565 analog phase - locked loop (可供认证用)本规范规定了半导体集成电路CB565型模拟锁相环质量评定的全部内容。本规范符合GB4589.1 :5.13 , 5.15 注:1)允许相关测量。一6一检验要求i见也值标志清晰，表面无损伤和气孔有锁相功能按才正规范5.2，5.4, 5.15 , 5.14, 5.17 同A3分组(除5.15外)|司A3分组(除5.15外)按本规范5.6军5.13.5.16 检验或试验B1分组)寸B4分红l口J焊性B5分组温度快速变化(U EiT封器件温度快速变化随后进行Il!.测量(
3、1司A2和A3分组)密主f:纠1I半n检漏(b)非宅封及环氧封的雪封器件温度快速变化外部口检稳定1，1)热山测量(|司A2和A3分组)B8分组It!.耐久性( 168 h) 最后测量(1口JA2、A3和A45组)B21分组r1j)长蒸汽(D)(1非常封器件)最后测量SJ/T 10250 91 B组一逐批标有(D)的试验为破坏性的J 1用标准条件若尤其它圳定，几mb=25oc GB 4589.1 4.2.2 j;走附录BGB 4590 (半导体|技方法b(他问)集成电路机械和气候试验方法)2.5 TA=-650C, TB=150 oC GB4590, 3.1 循环次数:10次t=5 min n
4、A2和A3分组GB肌3.11或l按规定3.12 GB 4590, 3.13 GB 4590, 3.1 GB 4589. , 4.2. 1.1 GB 4590. 3.7 GB 12750 12.3 GB 4590, 4.5 按规定TA=-650C , TB=150吧，10次严格度A(85 oC , 85%R.H) 不加屯，24 h |司A2和A3分组几mbf交车;规iG4.4最大值其它ii本.wllL10.2 |司A2、A3和1A4分组t虫严格度C(24 h) (|叶A2和1A3分组)1讨A2和1A3分组CRRL分组1就B4，肘，B8和B21提供计数检查站果检验要求I见JG值按本规也第1.辛浸润
5、良好同A2和A3分组同A2和A3分组同A2、A3和A4分组同A2平nA3分组一7SJ/T 10250 91 C细一周期标有(D)的试验为破坏性试验检验成试验;)1用标准条件检验要求若JCIU卢圳定，Tamb =25 oC 规范值C1分组尺寸GB 4589.1 , t去本圳市第1京4.2.2及附录BC2a分组环境温度下的rg特性校本主、也5.3，5.5 按本规范5.3，5.5 C2b分组i坡肉和段低丁.作温度GB 14031 技牛;规范5.6，5.16 t去本规范5.6，5.16 下的rl!，特性C3分组。|线强度拉力(0)GB 4590, 2.1 外力I1)J2.1表l无损伤7亏rth(0)
6、GB 4590, 2.2 外加)Jf主2.2表2无损伤C4分组耐焊接热(0)GB 4590, 2.6 方法l最后测量( lrj A2和A3分组)n A2和A3分组llij A2和A3分组C5分组1) 温度快速变化(0)GB 4590, 3.1 TA=-650C , TB=150 oC (才tfE封及玉不氧封的循环次数:500次72封器件)t1: 5min 随后进行外部口检GB 4589. , 4.2. 1. 1 稳态w.热GB 4590, 3.7 严格度A(85 oC , 85%R.H) Il!, 量不力Ilrl!24 h (1司A2和A3分组)|司A2和A3分组|司A2和A3分组c65组1)
7、 稳态加速度(0)GB 4590, 2.10 加速度:196000 m/s2 (;可封器件)股后测量( rJ A2和A3分组)llij A2和A3分组同A2和A3分组一8检验旦试验q!用标准C7 j-组稳态IG热(0)a)节全f.带件I) GB 4590, 3.6 b) W绢封提到;轼封GB 4590, 3.7 的二7，H栋件1即可测量( I,;J A2平nA4分组)C8 j-组Il!，耐久性(1000h)GB 12750 12.3 段日测量(IriJ A2 , A3和1A4 分组)C9分组lbJ温贮存(0)GB 4590, 3.3 最后测量( 1叫A2、A3和A4分组)C11分组标志耐久性G
8、B 4590, 4.3 C23分组抗将iN:(0) GB 4590, 4.4 (非少百封器件)C24分组易燃性(0)GB 4590, 4.1 (非宁主J器件)SJ/T 10250一91续表条叫:若三tIL古队!定，Tamb=250C (见第4EZ)严恪)交D(56 d) 严格度A(85 oC 85%R.H) 1000 h In A2和A3分组IriJ B8 j-红l|叶A2、A3和A4分组1 000 h 温度技严格度C(1 500C) |司A2、A3和A4分组方法l济液:A型p GB 4590, 4.4.2 J虫:GB 4590, 4. 1.2 检验要求圳也值同A2和A3分组同A2、A3丰IA
9、4分组|司A2、A3和A4j-纫12主GB4590, 4.3.2 按GB4590, 1与4.4.2t去按GB4590, 4.1.2 CRRL分组就C2a，C3 , C4，口，C6，C7 , C8 , C9 , C1 1. C23和C24挺供计数检查结果。注:1)连续三次通过后，周期可放宽为年次。9DS且D纤|检验所在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次。9一SJ/T 10250 91 检验旦J;试验引用标准 、件检验要求规范值08 j纠IG8 12750 IL耐久性(0)12.3 II 类:2000 h III类:3000 h 段日测量Jt他nJ88分组l(叶A2，A3和A4同A2，A3
10、和A4分组同A2，A3手nA4 j)组分组l)10 附加资料10. 1 电牛守性测试10.1.1 采用GB14031 (半导体集成电路棋拟锁相环测试方法的基本原理的山特性测试。符61 测试方法盯TRAG8 14031 第2.1条!O(MAX G8 14031 第2.2条/j, !O G8 14031 第2.3条Ksvs G814031 第一2.5条VOHP-F GB 14031 第2.7条VODiDC GB 14031 第2.9条VOD(SW GB 14031 第2.11条q GB 14031 第2.8条THD GB 14031 第2.12条AMR GB 14031 第2.13条10. 1.
11、2 采用其他标准的电特性测试?合1且1一二2测试方法RlD G83442 (半导体集成电路运放(lti以)放大器测试方法的基本原理第2.12条ls GB 3439 (半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理第2.25条VOH GB 3439 (半导体集成电路TTLFlJ路测试方法的基本原理第2.2条VOL G83439 (半导体集成电路TTLlLi路测试方法的基本原理第2.5条lr G83442 (半导体集成电路运放(rLi)放大器测试方法的基本原理第2.22条t f G83442 (半导体集成电路运放(IL)放大揣测试方法的基本原理第2.22条10 SJ/T 10250 91 10. 1.
12、 3 VDD测试Vcc Rl 5.1 kQ 有AHH l AV Ez i i l AV AV OV 0.01F 8 10 -接数字屯ffi表测VDD2 。6 CB 565 4 j3 1 5 一9 士./1200pF /、IV、)VEE 10.1.4 IOL，IoH测试Rl Vcc 调节恒流源101，能1VOL 满足规范要求的最大101值，即为10L。调节恒流源102，能使VOH满足规范要求的最大102值，即为10HO5lkQ 101 8 AV l 2 K lkQ 3 1 1 kQ 9 呵/A斗2 CB 565 102 -一一1200 pF VEE 10.2 电耐久性试验线路Rll 15.1 k
13、Q Vcc=+12 V 2 8 10 0.15F FA l AV A AV CB565 叮/OJA斗319 lkQ lkQ 。.05F一一VEE=一12V 10.3 特性曲线制造厂内在产品手册中提供各种特性曲线。如电源电流与电源电ffi关系曲线，锁相范围与输入电压关系曲线，压控振荡器转换增益曲线，ffi控振荡器输出波形曲线。10.4 设计参考参数(Tamb=25 oC) 1i Ti SJ/T 10250 91 条JKU特性和条件符, 1 一典型值甲位J 10.4.1 中心频率最大值10(MAX) 500 kHz Ct=2.7 pF 10.4.2 中心频率温度系数fo 300 ppm/OC 10
14、=50 kHz 10.4.3 二二角波线性误差EL 0.5 % 10.4.4 解调输出最大峰峰屯I长VPP(ODl 2 V 10.4.5 解调输出端输出电阻ROD 3.6 kO 10.4.6 解调输ili失调ltI长温度系数100 V/OC YOO 10.4.7 方波七升时间tr 20 ns 10.4.8 方波下降时间tf 50 ns 10.4.9 解调输出调幅抑制比AMR 40 dB 1 1 型号说明11. 1 也原理图Ryco Vcc 甲幽皿-四-一一一一一一一一一一C2 OUTOEM OUTAEF VEE, CI CyCO! OUTyCO INpc INt, IN2 一一一千一一一一俨匀
15、，-A SJ/T 10250-91 11 . 2 引山端符号名称符号ij| 端名称符lJ号|出端名称VEE 负a源OUTBEF 基准输出IN1 相位比较器信号输入OUTDEM 调解输出IN2 相位比较器信号输入RyCO I长控振荡器外接rt!，阻OUTyCO !长控振荡器输;iiCyCO 压控振荡器外接电容INpc 相位比较器!入Vcc 正电源句、411 SJ/T 10250 91 附录A筛选(补充件)1 11类器件:制造厂应规定必要的筛选项目和条件。2 III类器件:按下述筛选程序进行。A B 内部目价内部目检GB 4590, 4.6 GB 4590, 4.6 1苟温稳定高温稳1GB 459
16、0, 3.3 GB 4590, 3.3 1500C , 96h 150oC, 48 h 温度快速变化温度快速变化GB 4590, 3.1 GB 4590, 3.1 -65150 oC , 10次一65150oC，10次稳态加速度1) 宿、态加速度1)GB 4590, 2.10 GB 4590, 2.10 辛苦封1) 密封1) GB 4590, 3.11或3.12GB 4590, 3.11或3.123.13 3.13 老化前f，测量老化前电测同A3分组同A3分组剔除不合格品剔除不合格品老化老化GB 4590, 4.7 GB 4590, 4.7 Tamb max 240 h 几mbmax168 h 老化后It!.测量老化后电测量nJ A3分组IIJ A3分组剔除不合格品2)剔除不合格品2)注:1)不适用于非雪封器件。2)斗、合格品大于5%，则该批拒收。一14一C 内部目检GB 4590, 4.6 老化db电同A3分组剔除不合格品老化GB 4590, 4.7 Tambm缸，168 h 老化后电间A3分组剔除不合格品SJ/T 10250-一91附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由上海元件五厂负责起草。本标准主要起草人:崔忠勤高信令。ZJ 唱i
