1、1 范围1.1 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体详细规范内容Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N cbannel deplition mode field effect transistor of type CS10 GP、GT and GCT classes SJ 20013 92 一本规范规定了CSIO型硅N沟道结型场效应晶体管以下简称器件的详细要求，该种件按GJB33 85Z5C时，按O.66mW/C的速率线性一件外形尺寸中的A3-
2、01B型及如下规定，见图符A 如b2 VGS CV) 25 引出端极性:L摞极2.捕极3.栅极单位:mmA3-01B 口llllnom max i 4. 32 一一一2. 54 I 1. 01 O. 407 I O. 508 VGF T.mb和T咆(mA) CC) 10 55.-J+175 一2一SJ 20013-92 . .4 主要电特性(TA-250C)一一一符号(单位试条件一?一一一一斗一一一一一一一一气一! ; 最小岱一一一一一一一一一-l严一一一山一一一1一一一型号极限在参数大直十Iossl) (mA) VDS=10V V05=O CS10A CSIOB 0.05 0.35 CS10
3、C CS10D O. 3 1 3 1.2 3.5 10 , V 05(011) (V) VDS=lOV ID=lA 其他型号-4 四Vn12) (oV/ z) Voo=10V ID=0.3mA f=-=10Hz CSIOD I -6 JJ 型-3号千f一昕一i1ii|80 Vos-10V V nZ 2) (0 V / -/百二)ID=0.3mA f=1kHz 所有型号30 一一IYf.ll!) (S) V凶=lOVVGS=O f-1kHz CSIOA CSIOB CSIOC CSI0D 500 1000 2000 3000 3000 4000 5000 6000 一一-一一一一一寸一一一一十一
4、u一号叫UE有一rn叫arnluWL山-11AUaAM-一一-ummm一一-vvf一4 Ci幅(pF)一一Cr. (pF) VDS= 10V VGS-O f-lMHz 所有型号2 国酌咀注，1)脉冲法(见4.5. 1) 2) A档，在VGS=O条件下测试。2 引用文件GB 4586 84 场效应晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸3一SJ 20013 92 GJB33 85 半导体分立器件总规范GJB128 86 半导体分立3 3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规施的规定。3.2 设计结构和外形尺寸器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1
5、 引出端材料和涂引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或漫锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定(见的。3. 3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规班的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规施表l进行，超过规定极限的器件不应接收。筛选测试或试验GJB33表2GT和GCT级寸3.热冲击低应为55C , 应为+175C5.密封不要求6.高反偏不要求7.中间试IGSS1、Inss和1Yf. 11 8.电老化见4
6、.3. 1 后测试本规范表1的A2分组;9. IDSS一初始值的士10%; Iyfo 11 =初始士20%4. 3. 1 功率老化条件VGs=-20V; Vns 0; 1A = 150C 4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验-4一SJ 20013 92 A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。表4的步辄且lJ。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试脉冲测
7、试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。表1A组检验试和变化量()要求应按本规范试和变化量()要求应按本规范检验LTPDI符号极限值最小单位GB 4586 方法|条件A1分组IGJB 128 外观和机构检验I2071 5 一A2分组5 E , 击穿电压G1 I V (隙)G部|25 V hs=-1A Voo=O 止电流2. 1 Vns=O lGSSl 10 nA VGS= 10V 电3 loss VDs=10V VGS 0 冲法(见4.5. 1) CS10A CS10B CS10C 0.05 10.35 O. 3 I 1. 2 1 I 3. 5 AAA mmm CS10D mA 电压5
8、Voo-10V VGS例。100 1A CS10A 4 V CS10B 4 V CS10C 4 V CS10D 6 V 一5一SJ 20013 92 续表1A组检验GB 4586 极限值单检验或LTPD 符号位|最小值:大值方法条件A3分组5 高作:T.mb-125C 止电流2. 1 IGSSZ 10 A Vns=O VGS 10V A4分组5 小信号共源短路10 Vns 10V I Yf.ll 正向跨VGS=O f=1kHz 脉冲法见4.5.1) CS10A 500 3000 S CS10B 1000 4000 S CS10C 2000 5000 S CS10D 3000 6000 S 小信
9、号共摞短7 Vns 10V Ciaa 4 pF 入电容VGS=O f-1MHz 小信号共源短路11 Vns=10V Cr回2 pF 反馈电容VGS=O f=1如1Hz等效入噪声电、12 Vns 10V Vn1 80 V /./Hz fo=0.3mAl) f=10Hz Vns=10V Vnz 30 v /./Hz 1 -0. 3mAl) f=1kHz A5和A6公组不适用A7分组10 低温工作:T.mb= 55C 小倍号10 Vns-lOV , I Yf.1 z 正向跨VGS=O f=lkHz 脉冲法见4.5. 1) 一6一SJ 20013 92 表GB 4586 检验或试验LTPD 符方法条件
10、CS10A CS10B CS10C CS10D 注:1) A档，在VGS=O条件下测试。或试验B1分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(温度循环)密封a.细检漏b.粗检后测试的分组稳态工作寿命(高温反偏最后测试时分组开帽内部观检设计核实)键合强度 一7一方法2026 1022 十表2B组检验GJB 128 条件1051 I试验条件C.但温度应为TA=一55CTB= +175C 1071 见表4，步骤1、3和41027 I TA=150oC VDS=O TGs= 20V 见表4.步骤2、3、4、5和62075 2037试验条件A每个器件所有的内部引线分别进行拉力试验极限值单号位l最小值最大值45
11、00 S 6000 S 7500 S 9000 S .L. LTPD 15 10 5 每批l只器件，0失效20CC-Q) 检验B5分组不适用B6分组高寿命不工作后试检验或试验C1分组外形尺寸C2 冲击玻应力引出端度密封a.细检b.粗综合度/温度期试验外观及机械检验后测试C3分组冲击变频振动恒定加速度后测试盐气(当不适用C4 C5 时SJ 20013 92 续表2B组GJB 128 方法条件1032 TA-175C 见表4.步2和6.表3C组检验GJB 128 方法条件2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 见图1试验条件A试验条件E|
12、见表4.步1、3和4见表4.步骤1、3和4LTPD 7 LTPD 15 10 10 15 -8一检C6分组稳态工作寿命试:步测试1 止电流2 止电3 零压极电CSI0A CSI0B CSI0C CSI0D 4 小信号短正向跨9一方法2. 1 2. 1 3 10 方法1026 SJ 20013 92 3 C组检验GJB 128 条TA= 150C Vos 0 V-20V 件见表4.步骤2.3.4.5和6表4B组和C组的试GB 4586 极符号条件短路IGSSl V凶一0IVGS一10V 短IGSS3 Vos 。VGS 10V I蹄V凶-10VVGS-O 脉冲法见4.5.1) 0.05 0.3 1
13、 3 Vos 10V I YI.ll VGS一0f-lkHz 脉冲法见4.5. 1) LTPD =10 限值单位10 nA 20 nA 0.35 mA 1. 2 mA 3.5 mA 10 mA SJ 20013 92 续表4B组和C组的最后测试步GB 4586 测试符方法条件CS10A CS10B CS10C CS10D 5 零压电流3 栅源短路t:.loss Vos 10V VGS一0脉冲法见4.5. 1) 6 号共路10 Vos-10V t:. 1 Yf. 11 正向导VGS=O f-1kHz 脉冲法见4.5. 1) 5 交货准备包装要求应按GJB33的规定。6 说明事项合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。CS10与厂用型号3DJ4对mz CS10A 3DJ4D CS10B 3DJ4E CS10C 3DJ4F CS10D 3DJ4G、H附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起甲。本规范主要起草人z王长福、吴志龙、张宗国、刘美英。计划项目代号:B91019.极限单1、值位500 3000 S 1000 4000 S 2000 5000 S 3000 6000 S 初始值的士15%/ 初始值的士25%一10一
