SJ T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片.pdf

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1、ICS 29 . 045 H83 备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/ T 11396-2009 氮化稼基发光二极管蓝宝石衬底片The sapphire substrates for nitr ide based I ight-em itting diode 2009-11-17发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 , . ,. 筒、. . , 二.嘈.飞一. .二.一-合. , . -町一.-., . . 咀一二.一-,丘啕.凰,0 . - ; .侄. 电,.、a电. . ,- 1 一.一-. -. 、 ! 、 , . . . , ,俨二一哺-今_二、自E.号.

2、二一-一_、电。,一. .一. . ,. -, .-.、.; !; 二. ,.一IJ .飞、飞. 一. . ., 吨咽了., 可二 ._. 气可、. -、,. -.一一一二-、-一_. ,牛且. 一, .0 一-二-_.一二二_. , _. 、.民 ._、. ; &T 11396-2009 . ,., . 1、. . . . . . 亏吨. . . SJ/T 11396-29 :一氮化稼基发光二极管蓝宝石衬底片1 范围3 术语、定义和符号、GB/T 14264-1993确立的术4 要求4. 1 化学组成为高纯的。-A1203,总杂质含量应小于1X 10-4 . 4. 2 结晶完整性要求在所有且

3、径范围内都是单晶,位锚应小于l(t个每平1i国米.双晶摇摆曲线的半峰值宽(FWIDO应1;.c. 4.3 制备衬扁片所使用的蓝宝石单晶的生长方法按合同现方的规定-4.4 表面取向和参考面取向应符合表1的规定也石单晶抛光衬j民片以下简f白衬底片ff)。2 规范性引用文件F列文件中的单(不包括勘误的内可使用这些文件的GB/ T 1031-GB/ T 1 GB/T 划GB/I 6619 GB/ T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 . . . -、-.二-:,. -罚. . .二, . SJ/T 11396-2009 . e 襄1表面取向C丽R面气.一_.俨.飞牛一.-一., -_

4、牛、飞. . 二一、.、一J -.-. . -. . . . . .、- . . . 、且. . . -J . . . . 10 SJ/ T 11396-29 , . 附景E(资料性附景)蓝宝石笛学圈e二 , . 目飞、 、也-, -、-一, 一.、. F . 蓝宝石结晶学阁见固E.IDE. 1 结拘捕政矿绚学符:号1 1102 Jt:-1、县、E占r O 12 F r 1012 ,:. -J3F , r r .-, 旷., . . 旧1、,c ,旷 10 10 1 . . E唱E 吨V1120 11 2 。. -1 10 II 囚自, 2113 同气1 1二t.,11 n 囊1. C辅饵U嗣 .IIZ I.U 圃 1111 IO n U 1111 11_ lJllI . C丽R画Ii( 1102) A商(1120)C面t倒。A3 Al J 、,, -, -二一.、:., l . , , -、, , 飞啕-3气, -4、 . 、. , F , , , . . , 11 . . SJ!T 11396一-200912 .斗,背面撒光打标志位置见图f.1.飞., 二-.飞.、?、.附最FI资斜性附景)前面泪光打标志位置,考面回F.1SJ/ T 11396-2创始

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