1、道昌ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准G/T 29055-2012 、，J太阳电池用多晶硅片岛1ulti-crystallinesilicon wafer for solar cell 、62013-10-01实施2012-12-31发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会hu叭JG叫-寸中华人民共和国国家标准太阳电池用多晶硅片GB/T 29055-2012 * 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里河北街16号。00045)网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读
2、者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销昏开本880X 1230 1/16 印张0.5字数9千字2013年4月第一版2013年4月第一次印刷 书号:155066. 1-46637定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107GB/T 29055-2012 目。吕本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会CSAC/TC203/SC 2)归口。本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、元锡尚德太阳能电力
3、有限公司。本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、孙世龙、游达、朱华英、刘林艳、段育红。I pyu / / / / / / / / 、飞、-/ / / a 飞.GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片1 范围本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于铸键多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。3 4 外形尺寸分类太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商。表1太阳电池用多晶硅片规格系列外形尺寸/mm125 X 125 156 X 156 160 180 硅
4、片厚度/m200 220 1 GB/T 29055一20125 要求5. 1 表面质量5. 1. 1 硅片外观要求表面洁净，无沽污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷。5. 1. 2 硅片表面允许有深度10m5.3 性能5.3. 1 电阻率z范围为(0.53. 0)0. cm，或由供需双方协商。5.3.2 导电类型:P型或由供需双方协商。时硅片线痕数量应10条5.3.3 间隙氧浓度:间隙氧浓度应小于8X 1017 atoms/ cm3 ，或由供需双方协商。5.3.4 代位碳浓度z代位碳含量应小于5X 1017 atoms/cm3，或由供需双方协商。5.3.5 少子寿命:平均少子寿命应大于1s，或由
5、供需双方协商。6 试验方法6.1 表面质量:在430lx650 lx光强度的荧光灯或乳白灯下目视进行。6.2 外形尺寸z用游标卡尺或相应精度的量具进行。6.3 厚度测量及TTV测量按GBjT6618进行。6.4 弯曲度检验按GBjT6619进行，或由供需双方协商。6.5 相邻两边的垂直度:用万能角尺或相应精度的量具进行。6.6 线痕深度取单条线痕最大处用表面粗糙度测试仪在垂直线痕左右5mm范围内测量该线痕的极、- 飞，差值CRy)，当存在多条线痕时应进行多次测量取最大值。6. 7 电阻率检验按GB/T1551或GB/T6616进行。6.8 导电类型检验按GB/T1550进行。GB/T 2905
6、5-2012 6.9 间隙氧浓度的检验参考GB/T29054中太阳能级铸造多晶硅块的间隙氧含量的测量结果。6.10 代位碳浓度的检验参考GB/T29054中太阳能级铸造多晶硅块的代位碳含量的测量结果。6. 11 少子寿命的检验参考太阳能级铸造多晶硅块少子寿命的测量结果或SEMIMF1535中太阳能级铸造多晶硅片的载流子复合寿命的测量结果。7 检验规则7. 1 检验和验收7. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。7. 1. 2 需方可对收到的产品按本标准(或订货合同)进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收
7、到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2 组批每批应由相同尺寸和相同电阻率范围硅片组成。7.3 检验项目硅片检验的项目有z导电类型、电阻率范围、表面质量、外形和几何尺寸等。7.4 抽样及检验结果的判定硅片抽样按GB/T2828. 1正常检查一次抽样方案进行，具体的抽样项目、检查水平和合格质量水平如表3所示，或由供需双方商定。表3检测项目、检查水平和合格质量水平序号检验项目检查水平合格质量水平(AQL)1 外形尺寸E 1. 0 2 倒角尺寸E 1. 0 3 硅片厚度E 1. 0 4 总厚度变化E 1. 0 5 弯曲度E 1. 0 6 线痕深度E 1. 0 7 相邻两边的垂直度E
8、 1. 0 8 导电类型S-2 0.01 9 电阻率范围S-2 0.01 崩边/缺口E 1. 0 硅片外观及硅片边缘E 2.5 10 表面质量表面质量E 1. 5 累计2.5 NFON-mmoNH阁。GB/T 29055-2012 标志、包装、运输和贮存8 标志、包装8. 1. 1 产品封装于相应规格包装盒及包装箱内，并在包装盒、箱内填满具有减震作用的填克物，防止硅片和包装盒松动。特殊包装由供需双方协商。8.1.2 包装箱外应标有小心轻放、防腐飞防潮字样或标志，并注明:a) 需方名称，地点;b) 产品名称及规格50 产品毛重、净重zd) 产品件数Fe) 供方名称。8.1 运输、贮存产品在运输过
9、程中应轻装轻卸，严禁抛掷，勿挤压，且应采取防震、防潮措施。产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8.2 8.2. 1 8.2.2 质量保证书每批产品应有质量证明书，写明:a) 供方名称;b) 产品名称及规格;c) 产品批号;d) 产品片数;e) 各项参数检验结果和检验部门的印记Ef) 本标准编号;g) 出厂日期。8.3 订货单(或合同)内容订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容:a) 外形和尺寸;b) 型号;c) 数量;d) 本标准编号;e) 其他。9 侵权必究盯一一兀一04-nu i-a斗 nu-F气u-号一价书一定版权专有GB/T 29055-2012 打印日期:2013年4月18日F002
