1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准SJ 20073-92 半导体集成电路J.!8254型可编程定时计数器详细规范19921119发布1993-0501实施中华人民共和国机械电子工业部发布目次111A1iq申?7hqM句3呼3A叶A呻A呻AUQVATI7M瓦M咛I/叮17叮/0000起寸H规义尺般定形HHHHHHHHH一川和外覆分验的号涂对川HH检HHH川量符构和求的炖验如矢川容阔求结料要组州州检n验致法求试料明-13市件耍、材性验路诅和检一方备要项测资说性题用类文细计线特试志电惧样选定睡一脸准忧民事于货能代作捆主适分阳球详设引也电杭微榻抽筛鉴质检货包明关订功瞥操LYgm万质交说1i吁刷、3
2、1iqh句JA叶在J瓦U周/l句，句3A斗气旷111句JM句JA叶F、Jti-titi句，h句31时叫31旷句31w句31wA呻A呻A斗A丛TAUTA叶、气w瓦U瓦U瓦U正瓦U瓦U中华人民共和国电子行业牢用标准半导体集成电路SJ 20073-92 J8254型可编程定时计数器详细规范1 范围1. 1 主题内容本规范规定了半导体集成电路J8254型可编程走时计数器(以F简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和1采购。1.3 分类本规范对微电路按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推荐工作条件米分类。1. 3. 1 器件编号器件编号应按GJB597 (微电路总规范第
3、3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件用号器lj:刑号如下:器件型号器件;g称54 可编程定时计数器1. 3. 1. 2 器件等级拇件等级为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的日l级。本规范中未对日1级另加说明的条款应理解为与B级相同。1. 3. 1.3 封装形式封装形式如下:于母D 封装形式1)D24L3 (24号|线陶能双列封装)C C28P3 (陶瓷无引线片式载体封装)、lf:1)技GB7092 (半导体集成电路外形尺寸。1.3.2 绝对最大额定值绝对最大额定值如-r:中华人民共和l型机械电子工业部1992什卜19发布1993-001实施s也2007才92最数符号数值单
4、位最小最大任一引出端相对于Vss端电压VpG 甲0.57.0 V 贮存榻度罔Tstg 65 150 。c功耗PD W iJI钱耐焊接温度(5s) Th 270 。c结抛(Tc叫250C)T 150 。c1.3.3 推荐工作条件推挥工作条件如下:参数符号数值单最小位最大电源也!王VDD 4.5 5.5 V 输入高电平电压川2.0 VDD +0.5 V 输入俄电平咆压V1L 叫0.50.8 V 工作频率fcp DC 8 MHz 外壳士作温度ru:防|Tc 四55125 。c时钟上升时间tr 100 ns 时钟下降时间tr 100 ns 2 引用文件GB 3431.1-82 半导体集成电路文字符号电
5、参数文字符号GB 3431.2-86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号。B459命84半导体集成电路机械和气候试验方法GB 7092-93 半导体集成电路外形尺寸GJB 548 88 微电子器件试验方法和程序。JB597 88 徽电路总规拖。JB!Z105 电子产品防静电放电控制手册3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定。3.2.1 引出端排列引出端排列!现符合图l的规定。引出端排列为俯视圆。吁中SJ 20073-92 m Q V咖-m阳一Al AO CP2 OUT2 GATE2 C
6、Pl GATEl OUTl 17 16 13 24 22 20 19 18 23 21 2 4 6 8 9 Vss ? 3 5 。407 06 02 00 CPO 05 D3 01 cs M CP2 O盯ZGA1E? NC u Z 、白S回白白15 14 10 11 12 OUTO GATEO 时如叫MHd飞mHHPO 双列封装引出端排列片式载体封装引出端排列引出端排列阁13.2.2 功能框图功能框阁应符合图2的规定。4叫一CPO一血GATEO叩甲甲町OUTO】叫一CPl-GATEl 一.OUTO 令叫一嗣CP2+-白白-GATE2 同町白协OUT20700 RD-+ WR一一哺AO-一，Al
7、白白白+CS 句、JW功能根囱3.2.3 功能说明、符号和定义功能说明、符号和定义，应符合本规泪6.3条的规定。3.2.4 封装形式封装形式应符合本规市1.3.1.3条的规定。3.3 引线材料和涂覆引线材料和涂覆，应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4 电特性医臣、r、.r-、，r;: lsl :二;1;MM14 04 )J口ijdma五D3JJmJ D2J汇35tA101 :(J t五DOE:U CP035:3E NC)咱F吨，均川川川俨JMMh41!hsi iw;iw; 叫阳俨也吨= .蝇，35号2C!:I 图2SJ 20073-92 山特性应符合表1的规定，若无其它规定，远合于全工
8、作泪度市罔。3. 5 电试验要求各级器件的电试验要求，应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。3. 6 fii占标志!迎战GJB597第3.6条的规定。3. 7 微电路细的划分本规范所捞及的器件为第107微电路组(见GJB597附录E)。表l电特性序号1)特性符号条件2)姐l也值单位波形最小最大阁输入低电子111示，VL 0.5 0.8 V 2 输入高电平电压川日2.0 VoO.5 V 3 输出低电子电脑iVOL IOL = 2.0 mA 0.45 V 4 输出高F平也应VOH IOH=四400A2.4 V 5 输入负载电流A 问=VooJU 0 V 斗。10 A 6 输出二王志
9、漏r1!，流102 VO VDD到。的V10 10 IlA (仅DOD7)7 电拥电流IDD 170 mA 输入电容C, j七p=1MHz, Tc时250C，10 pF VDD=O V . 9 输入/输出电容GIIO Tc=25吧，VDD=O V，未20 pF 测试端接Vss10 瓦5前地址建立tsu(AV-RL) 45 ns 8 时间11 RD前的CS建tsu(CSL-RL) 。ns 8 立时间12 RD后地址保持VoH=2.0 V 。th(RH-AV) 一ns 时间VoL=0.8 V 13 议。脉宽tw(RLl 150 ns 8 14 数据延J时间td(RL-DV) 一120 ns 8 (
10、从RD开始)4 SJ 20073-92 续农1序号1)特性符号条件2)规范值单位波形最小最大图15 数据延迟时间td(AV响。V)一220 ns 8 (从地址有效开始)VoH=2.0 V 16 RD到数据挥出VoL=0.8 V 5 90 8 tdIRH-OZ) ns 17 读命令恢复时间treclRHl 200 ns 9 18 WR前的地址tsu(AV叩WL)。ns 7 建立时间19 讯前的础建tsu(CSL-WL) 。一ns 7 立时间20 WR后地百保th(WH肿AV)。ns 7 持时间21 WR脉宽tW(WL) 150 ns 7 22 WR前数据建tsu(OVWH) 100 一ns 7
11、立时间23 WR后数据保th(WH-OV) 。ns 7 持时间24 写命令恢复时间trec(WH) 2 一ns 9 25 时钟周期tc 125 DC ns 10 26 时钟高电平脉宽tWICH) 60 一ns 10 27 时钟低电平脉宽tW(CL) 60 ns 10 28 时钟上升时间tr 一100 ns 10 29 时钟下降时间tf 100 ns 10 30 门高电平脉宽IW(GAIEm 50 一ns 10 31 门低电平脉宽tWiGATEL) 50 一ns 10 32 门建立时间(到tsu(GATEH-CH) 50 ns 10 日于)tsu(GATEL-CHl 33 日干后门保持时th(C
12、H - GATEL) 50 一ns 10 间th(C曰-GATEHl34 输出延迟时间td(CL-OV) 125 ns 10 (从CP开始)35 输出延迟时间td(GATEL-OV) 一120 ns 10 (从GATE开始)注:1)本进中的参数的序号时序回中参数的编号是一致的:2)若无其它规定，VDO出5士0.5V, Tc55 125 oC , Vss据OV.P、-w试验要求中间(在化前)电测试(方法5004) 最终l测试1)(方法5004)SJ 20073-92 表2山试验要求分组(见表3)B级器件Bl级器件Al, A7 At. A7 AI, A2 , A3 , A7 , A8 , A9 ,
13、 A10 , A1. A2 , A3，人7，A9 A11 A组试验要求2)AL人2，A3，人4，A7 , A8 , A9 , Al , A2 , A3 , A4 , A7 , A9 (方法5005) AIO , A11 B组VZAP试验见本规班4.5.3条见本规?在4.5.3条C组终点l测试人2，A3 , A8 A2 , A8 (仪1250C)(方rt5005) C组检验增加的分组不要求A10 , All D细终点也测试A2 , A8 (仅1250C)A2 , A8 (仅1250C)(方法5005)注:1) Al、A7分姐要求PDA计算(见本规地4.2条)。2) A4分组(Cr、CI/O)仅用
14、于鉴定(见本规范4.4.1条)。表3A组电测试分组7汇J1 4 符号条件规范值单位被形最小最大因Al VL 0.5 0.8 V 2 川日2.0 VDD+0.5 V 3 VOL 10L =2.0mA 0.45 V 4 VOH 10阴阳400A2.4 V 5 4 问=VDD到OV一1010 A 6 loz VO= VDD到0.45V 一1010 A 7 IDD 170 mA A2 除Tc=1250C外，参数、条件、规施值均同Al分姐。A3 除Tc=-550C外，参数、条件、规范值均同Al分姐。A4 8 C, fcp=1 MHz , VDD=O V 一10 pF 9 CI/O VDD口OV，未测试端
15、接Vss20 pF A7 技6.2条规定，Tc=250C，在VDD=5 .5 V和VDD=4.5 V下分别进行功能测试。A8 除Tc=-550C和1250C外，均同A7分组。A9 10 tsu(A,YRll45 ns 8 11 tsu(CSL-RL) 。ns 12 VOH=2.0 V 。8 h(RH-AVj ns VoL=0.8 V 13 tW(RLl 150 ns 14 tlll.l.:Df_) 120 ns 8 -6一分组A9 A10 Al1 序号15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 符号Id(AV-D
16、V) Id(RH-D2) (rec(RH) tsu(AVWL) Isu(CSL仰WL)th(WHAVl tW(WLl Isu!DV-WHl fblWH-DVl Irec(WH) t巳IW(CHl tW(CLl tW(GATEH) IW(GATELl Isu(GATEH-CH) tsu(GATELCHl Ib(CH - GATEL) th(CH - GATEH) Id(CL-OV) td(GATEL-OVl SJ 20073-92 续表3条件VOH拮2圃OVVOL=0.8 V 除Tc叫250C外，参数、条件、规111值均同A9分组。除TC=-550C外，参数、条件、规范值均间A9分姐。规陆债单位
17、被形最小最大四220 ns 5 90 ns 8 200 ns 9 。一ns 7 。ns 7 。一ns 7 150 ns 7 100 ns 7 。ns 7 200 ns 9 125 DC ns 10 60 ns 10 60 ns 10 100 ns 10 100 ns 10 50 ns 10 50 ns 10 50 ns 10 50 ns 10 125 ns 10 120 ns 10 7 SJ 20073 92 | 电源|巳工3叩归心问。一一-c二3一一一Rl 中ClR2 接被测器件VZAP 注:Rl取合适的限流电阻，R2= 1.5 kn; Cl皿100pF:!:20%; 几AP叫OOV，在器件
18、输入端上测得;脉冲转换时间(tTLH)延50ns (10%-90%)。即3高电服(几AP)试验电路5V nxu ;在化开始理位:Al AO 07 。2.4 。0.8 唰-Alcs 1(蟹总裁Q( SJ 20073-92 06 。5。403 。因4老化和寿命试验线路阁:阳:因5交流测试输入/输出波形罔E1c222:l F 4 注:1) CL 包括夹具电容。因6交流测试负载电路阁7写周期时序图。2。l。-9一州、啕-A1cs 即数据总战阳阳RD、WR4 质最保证规定4. 1 抽样和!检验sJ 20073-92 国8读周期时序阵| 因9恢复时序囱因10时钟与门时序因若无其它规定，抽样和检验程序应按G
19、JB597罪nGJB 548方法5005的规定。4. 2 筛选在J鉴定和l质量一致性检验之前，全部器件应按GJB548方法5004和农5的规定进行筛边。一10SJ 20073-92 表5筛选程序若无其它规定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。项目方陆和条件说明日银器件Bl级器件内部自检方法2010，试验条件B方法2010，试验条件B稳定性烘;情(不方浩1008，试验条件方法1008，试峨条件要求终点测最)C: 24 h, 1500C C: 24 h, 1500C 温度循环方法1010，试验条件C方法1010，试验条件C可用方陆1011试验条件A替代。恨定加速度方法2001，试验条件方法
20、2001，试验条件E，仪Yl方向D，仅Yl方向目枪可在密封筛选后进行。号|钱脱薄，外先破裂、封盖脱落为失效。中间(老化前)Al , A7分组Al , A7分组自制造厂选择是沓进行。电测试者化方出1015，试验条件D方法1015，试验条件D采用本规范围4所示的钱路成E，125吧，160 h 成E，125吧，160h 戚与其等效的线路。中间(老化后)Al , A7分组AI. A7分组电测试PDA计算5% 10% 按Al、A7分组，者老化前未进行中间电测试，那么老化眉Al、A7分组检出的所有失效数都应计入PDAo者者化前进行中|回电测试，那么老化筛选前引起的失放数不计入PDA。最终也测试A2、A3，
21、A8、A9、AI0、A2 , A3、A9本项试验后，若改变器件的Al1 引线、油穰或者j层工，则应再进行Al和A7分组试验。密封方法1014方法1014细检漏粗枪漏外部目检方法2009方法2009搭起成质i在一致方法5005方法5005性检验的试瞌样3.5条3.5条品抽取4. 3 鉴定检捡鉴定检验应按GJB597第4.4条的规定，所进行的检验应符合GJB548方法5005和11叩SJ 20073-92 本规范A、日、C、D组检验(见本规币4.4.14.4.4条)的规定。4.4 质量叫到(性检验质量一致性检验应按GJB597第4.5条不11本规范的规定。所进行的检验问符合GJB548 方法500
22、5和本规范A、日、C、D细检验(本规4.4.14.4.4条)的规定。4.4.1 A细检验A细检验问按表6的规定。山试验要求按本规范农2的规定，各分细的山测试技本规范表3的规定。得分细的测、成可用同一组样本进行，哨所要求的样本大小超过批的大小时，允许100%检验。合格判定数(C)最大为20表6A H.检验LTPD 试捡8级器件B1级器件A1分组2 2 250C下静态测试A2分组3 3 1250C下静志测试A3分组5 5 -550C下静态测试A4分组2 2 250C下的功态测试A7分ll2 2 250C下的功能测试A8分组最高和最低t作植度下的功能测5 不要求试A9 :组2 2 250C下的开关测
23、试AI0 :Hll 3 不要求1250C下开关测试A11分组5 不要求一550C下开关测试训A4分组仪征初始鉴定时和工龙成设计员:改日进行。 A9、AI0、All分组的验证参敷仅在初始接定时和丁艺又设计更改后进行。4. 4. 2 日细检验B tH检验所技表7的规定。不要求终点测试的分细可用同4检验批中山性能不合格的器件作为样本。一12SJ 20073 92 表7日细检验若无其它规定，我中采用的方法系指GJB548的试验方法。试验方法和条件样品数/(接收数)B级革rJBI级梯件成LTPDBI分组2/(0) 尺寸方法2016B2分组4/(0) 抗陷料;方法2015B3分割15 可焊性方法2022成
24、2003，焊接插i皮245土50CB4分组1/(0) 内部口价和机械检查方法2014B5分细7 键合强度方法2011，试验条件C1 ) 热)长焊戒。2) 超声焊B8分组15/(0) 1 ) Il!测试A1分组(见本规地表2不03丧3)2) 静Il!放电灵敏股GJB/Z 105 3) rt!测试A1分组(见本规m表2和表3)B9分组15 VZAP 试验技本规范第4.5.3条4.4.3 C细检验C纽检验应按表8的规定。说时jLTPD系对rJI钱数1M亩，但被试器件数不应少于3个。LTPD系对键合数JITf亩，但被测器件数E少4个。仅在初始鉴定成产品;熏新设计时进行。附加分组。13 SJ 20073
25、-92 表8C细检验若无其它规定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。试验方注和条件n品数I(接收数)日级器件81级器件就LTPDCI分组5 稳态寿命方法1005，试验条方法1005，试验条件。，1250C, 1000 h 件。，1250C, 1000 h 终点11.1测试A2 , A3和A8分组i人2、A3(仅1250C)C2分割15 抛度循环方法1010，试验条方法1010，试验条件C件C固定加速度方法2001，试验条方法2001，试验条件E，Y1方向件D，Y1方向密封方法10141014 纠I!枪漏和l检漏tj，怡技方法1010戒1011技方法1010成1011的目检判据的目检判据
26、终点rl.1测试A2、A3和A8A2、A8(仅1250C)C3分组125 oC下开关测不要求A10分组试C4分组一550C开关测试不要求AII分组4.4.4 D组检验D细检验应按表9的规定。不要求终点电测试的分组可用问一检验批中山性能不合格的器件作为样本。一14一说rYJ SJ 20073 92 表9D组检验若无其它规定，我中采用的方法系指GJB548的试验方法。方法和条件样品数/试验Bl级棒件(接收数)8级椿件成LTPO01分组15 尺寸方法2016方法201602分组15 引线牢固性方法2004.试验条方法2004.试验条件B2件B2密封方法1014方怯1014细检漏粗检漏03分组15 热
27、冲击方法1011.试验条方法1011.试验条件B.15次循环件A.15次循环谧度循环方法1010.试验条方法1010.试验条件C.100次循环件C.10次循环抗潮耀方法1004方法1004密封方法1014方法1014细检漏粗检漏目检技方法1004和1010技方法1004和1010的目检判据的目检判据终点也删试A2 , A8 (仅1250C)A2 , A8 (仅1250C)04分组15 机械冲击方法2002.试验条方法2002.试验条件B件A变频振动方法2007，试验条方法2007，试验条件A件A恒定加速度方法2001，试验条方法2001，试验条件E，Yl方向件0，Yl方向密封方法1014方法1
28、014细检漏粗检漏目输按方法2002成2007按方法2002戚2007的目检判掘的自检判据终点也测试A2 , A8 (仅1250C)A2 , A8 (仅125OC) 说明片式载体采用试验条件D做抗潮搜试验时，对片式载体不要求引线弯曲威力的预处理。Bl级棒件可用GB4590第3.6条瞥代。时间:56 d 可在抗潮幌试验后和密封试瞌前进行。用于03分组的样品可用04分姐。15由Sj 2007:f92 续表9若无其它规定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。方法和条件样品数/试验(接收数)8级器件BI级器件成LTPO05分组15 故事手方法1009，试验条方t1009，试验条件A1L A 密封
29、方法1014方出1014细价漏啊!柿漏H柿控方法1009的时枪技方法1009的目价判据判据06分组3/(0)成内部水汽fT方出1018，100 oc 不要求5/(1 ) 量时最大水汽含;量为5000 ppm 07分组15 31线涂覆粘方法2025方法2025附强度4.5 检验方法检验方法按下列规定。4. 5. 1 也照和电流说|川j片式载体不要求J1纯13由fY.力的顶处础。对B1级器件，叫i使用万不赏，求时，盐第试验叫小做。当试验3个器件111JIL 1个失效时，可力n试两个棉件并且不失效。1次试验样品(3个l!x5个器件)失效，rJItf鉴定机构认同的另一实验室进行第二次试验。若试验通过，
30、则该批应被接1&，LTPO系对引线敬而j古不适用于片式载体。若无其它规定，所有给山的电压均以器件地端为基准。所有电流均以流入引出端的山流为lEo4. 5. 2 者化和i寿命试验冷却程序被试器件CDUT)，在完成老化和寿命试验后，阳光冷却到35吃，然后再去掉偏置，最后在250C下进行电参数终点也测试。4. 5. 3 输入保护电路的高压(几AP)试验被试器件CDUT)的所有输入端(最多四个)，问经受由充电到400V的100pF也与丰产生的山压脉冲。该破坏性试验应按F列规定进行:a. 在250Cf，按表3的规运测量选定输入端的IIL手1l1lHob 把试验也应(VZAP=400 V)加到边作漏电流测
31、挝的同端子上。按如下的顺序如剧3的试验线路施加VZAPO一161)输入(一)VSSo 2)输入(+)至几soSJ 20073-92 C. 在24h内披上述操作最复测量同一引山端的I1L不11I1Ho 如果VZAP试验后，被试器件(DUT)的漏电流超过规定的规范值，则该器f!j:视为失效。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB597第5.1条的规定。6 说明事项6. 1 关于测试矢茧的般规定用于宽流参数、交流参数和功能测试的欠量表，由制造厂自行规定。测试欠量农应保证检验电路的全部功能以及满足直流参数和交流参数测试的要求。为了便于使用和提高测试效率，建议将欠最表分为若干段，以适应各个分细
32、幸11各个类刑测试对测试欠量的要求。6. 2 订货资料采购文件应规定F列内容:a 完成的器件销号(见本规范1.3.1条)b 需要时，对器件制造厂提供与所交付器件相阳的检验批质量一致性数据的要求。C. 需要时，对合格证书的要求。d. 需要时，对产品或工艺更改时通知采购单位的要求。e. 需要时，对失效分析(包括GJB548方法5003要求的试验条件)、纠正措施和结果提供报告的要求。f 对产品保证选择的要求。g. 需要时，对特殊载体、引线长度IlJZ引钱形式的要求。h. 对认证标志的要求。i. 需要时，其他要求。6. 3 功能说明、符号和定义本规范所用的功能说明、符号和定义按GB3431.1、GB3
33、431.2和GJB597的规定，并作t;3U补充:17一SJ 20073 92 符号名称输入/输出功能说明07-00 数据I10 -恋现向数据总钱，接系统数据总线CPO 时钟。计数器。的时钟脉冲输入OUTO 输出。计数器。的输tHGATEO 门控。计数器。的门控输入Vss OV电源VDD 5V电源WR 写控制CPU写入操作期间，此输入低电平WR 读控制CPU读性1操作期间，此输入低电平CS 片选输入f且也干启动8254响应RD和WR信号，否则RO和WR无效。Al , AO 地址用来选择三个计数器中的一个成选择控制字寄存器以供读吨，通常接至地址总钱。Al AO 选择。计数器。计数器1。计数器2控
34、制字寄存器CP2 时钟2计数器2的时钟输入OUT2 输出2。计数辑2的输出GATE2 门控2计数器2的门控输入CPl 时钟l计数器l的时钟输入GATEl 门控l计数器l的门指输入OUT1 输出1。计数器l的输出6.4 替代性本规范规定的微电路，其功能可替代普通工业用器件，普通工业用器件不能替代本规范规定的器件。6. 5 操作MOS微处理器件的操作必须采取定的防护措施，以避免由于静电积累引起的损坏。虽然在芯片中己设计有输入保护电路，具有定的抗静电能力，但还需推荐下列操作措施:a. 器件应在具有导电和接地表面的工作台上操作。b. 试验设备和器具应接地。C. 测试者要通过导线接地，并尽量不触摸器件引线。d嗣器件应存放在导电泡沫材料成容器中。e. MOS器件避免使用塑料、橡胶、丝物。一18一sJ 2007J-92 附加说明:本规范由中阔电子工业总公司科技质单间提山。本规?自由机械电子工业部电子标准化研究所川口。本规范由机械电子叫1:业部第四十七研究所负本规范主要起草人:张继勇崔艳玲央佑华李振丰。计划项目代号:BOI050o 19一
