1、 UDC 669.782 H 81 共GB/T 14139 93 Silicon epitaxial wafers 1993-02喃06发布1993-10-01实施白雪著毛主量才注盟主其毒发布(京)新登字023号中华人民共和国国家标准硅外延片GB/T 14139-93 e匀。，毛、当峰中国标准出版社出版(北京复外三里河)中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得翻印峰开本880X 1230 1/16 印张1/2字数11千字1993年9月第-版1993年9月第一次印刷印数-30司k书号，155066 1-9851 定价0.90元* 标自224-35飞、中华人民
2、共和国国家标准GB/T 14139 93 硅外延片Silicon epitaxial wafers 1 主题内容与适用范围本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层CN/N勺和在P型硅抛光片衬底七生伏的P型外延层(P/p+)的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件。2 51用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽祥表(适用于连续批的检查)GB 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB 12962 硅单晶GB 12964 硅单晶抛光片GB/T 13389 掺砌掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程GB
3、/T 14142 硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法GB/T 14145 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定柔探针电容电压法GB/T 14264 半导体材料术语YS/T 23硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 24 外延钉缺陷的检测l方法YS/T 28 磁片包装3 产品分类3. 1 导电类型产品按导电类型分为N型和P型。3- 2 规格产品按直径尺寸分为:;50.8mm、76.2mm、80mm、90mm和100mm。3. 3 外延片品向产品按品向分为、等。3. 4 产品牌号产品牌号表示为.局1993-02-06批准一一一一一一一一一一一一199
4、3-10-01实施l ., 飞孔1Sixx GB/T 14139-93 EW XX 一一I一一-一T一一直径尺寸，mm品向一外延片导电类型、结构硅单晶材料示例MSi-N/N+-EW世76，2表示N/N+结构晶向直径为76.2mm的硅外延层。4 技术要求4. 1 外延片衬底参数硅单晶衬底的电阻率应符合表l的规定，其他各项参数应符合GB12962的规定。表l硅单晶衬底的电阻率导电类型掺杂元素硅单晶直径，mm50. 8 Sb 76.2 80、90、100?喝乏二50.8As 76. 2 80、90、10050.8 P B 76. 2 80、90、1004.2 衬底晶向硅单晶抛光片衬底的晶间、几何尺寸
5、等参数应符合GB12964的规定。4. 3 外延层电阻率4. 3. 1 N型外延层掺杂元素为磷，P型外延层掺杂元素为棚。4. 3- 2 外延层中心电阻率及其允许偏差应符合表2的规定。表2外延层中心电阻率及其允许偏差中心电阻率.0.CTIl O. 53 310 1020 2 允许偏差.%土18+20 士25电阻率.，0 cm 不大于O. 012 0.015 。020.009 O. 01 0.015 0.009 0.01 0.015 GB/T 14139-93 续表2中心电阻率，.0 cm 允许偏差.%2050 士3050100 +35 4. 3. 3 外延层径向电阻率变化应符合表3的规定。表3外
6、延层径向电阻率变化中心电阻率，0.cm 径向电阻率变化RV，%运3运103 三三15 ( 1 ) i: - p, j 表中RV(%)=一亏了一X100 式中，jp;-p，j一平行和垂直于主参考面二条直径的r/2处。为半径)四个电阻率测量值吗中与p，值之差的最大值;p，-中心处的电阻率测量值。4.4 外延层厚度4.4. 1 外延层厚度及其允许偏差应符合表4的规定。表4外延层厚度及其允许偏差中心厚度，m厚度允许偏差.%550 士104.4.2 外延层径向厚度变化应符合表5的规定。表5外延层径向厚度变化中心厚度，m径向厚度变化TV，%550 E ( 2 ) jTT， j 表中TV(%)= ，宁一一X
7、100 式中，jT;-T，j一平行和垂直于主参考面三条直径的/2处(r为半径)四个厚度测量值T云中写7:值之差的最大值;T正一中心处厚度测量值。4.5 外延层缺陷4. 5. 1 外延层L错密度不大于3000cm寸。一一3 GB!T 14139-93 4.5.2 外延层堆垛层错密度不大于50cm70 4.6 外延层表面缺陷限度4. 6. 1 缺陷限度应符合表白的规定。表6外延层表面缺陷限度字号缺陷名柏:外延片直径，mm缺陷限度滑移线76.2 5条居t主运直径10条总t王三五2倍直径80、90、100外延层厚度，由运15 15-25 25 42 一在状缺陷个教三三50.86,7,10 76. 2
8、10 ,1 2, 15 80、90、10020 , 22.25 50.8 3 、3 凹J尼个数76. 2 4 80、90、1005 冠状边缘50.8 突起不得超过士外延层厚度二二50.8无如j痕1条电t主度半径情皮、波纹飞1裂纹、鸦爪无雾无8 崩边无沽污无4.6.2 表面缺陷区域系指直径不大于76.2mm的硅外延片除去边缘2mm环形区域、直径80mm、90 mm和100mm硅外延片除去边缘3mm环形区域的整个表面。4.6.3 表面点状缺陷包括符合GB/T14264的钉、粘附的微粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥。使用清洗技术能除去的微粒不属于点状缺陷。4. 6. 4 崩边是指外延片边缘在径向的缺损深
9、度大于0.3 mm的损伤。最大崩边径向深度不大于心，5mn1.累计崩边最大周边长不大子2.5mm。4.6.5 雾的定义见GB!T14261 4.6.g j占污包括色斑、手套印、尘埃、污迹和溶剂残留物。4. 7 外延片背商外延片背面应元1占污。4 GB/T 1413993 5 试验方法5. 1 外延层载流子浓度测量按GB/T14146的规定进行或按供需双方商定的其他方法进行。电阻率和掺杂剂浓度换算按GB/T13389的规定进行。5.2 外延层厚度测量按YS/T23的规定进行或按供需双方商定的其他方法进行。5.3 外延层位错、堆垛层错密度检测按GB/T14142规定进行。也可按GB/T14145规
10、定检测堆垛层错密度。5.4 外延片表面缺陷检验按GB6624的规定进行。在160001x条件下目测雾缺陷，其他缺陷只在大面积散射光照度430650lx条件下目测。6 检验规则6. 1 每批产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。6.2 每批产品的检验项目均采用抽样检验。产品采用GB2828般检查水平E、干次抽样方案抽样检查或按供需双方商定的方法抽样检查。6.3 合格质量水平(AQU规定为z外延层电阻率6.5 外延层厚度6.5 外延层缺陷累计6.5 6.4 需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准规定不符合时，在收到产品之日起三个月内向供方提出，由
11、供需双方协商解决。7 标志、包装、运输、贮存7. 1 包装、标志7. 1. 1 硅外延片按YS/T28的规定包装，或按供需双方商定的其他方法包装。7. 1. 2 包装箱外应有小心轻放防腐防潮气易碎字样或标记，并注明:a. 需方名称;b. 产品牌号; 产品数量$d. 供方名称。7.1.3 每批产品应附产品质量证明书，注明za. 供方名称pb. 产品名称和牌号; 产品批号Bd. 产品数量:e 电阻率测试方法;f. 产品品向;g. 各项检验结果及检验部门印记$h. 本标准编号;i 出厂日期。7. 2 运输、贮存7.2. 1 产品在运输过程中应轻装轻卸、勿挤勿压、并有防震措施。7.2.2 产品应贮存在洁净干燥环境中。一一十一-一-一一二一一一一一一-一字一一一一一十GB/T 14139-93 (f) ) , 附加说明:本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由上海第二冶炼厂负责起草。本标准主要起草人严世权、黄玉光。们叮H筒。版权专有不得翻印等nu-兀Ba ld-0 1唱9.-n 6-G0 5 5l 2z 号-价书-定 标目224-35
