硅外延片

1、范围在(l0 10 atoms/cm 的Na、Al、K和Fe的测试。
本方法的检测限取决于空白值或计数率极限，因仪器的不同而不同。
1.5本测试方法是对以下测试方法的补充:1.5.1全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)，其能够检测表面的原子序数Z较高的金属，如Fe，但对Na，Al、K没有足够低的检测限（ll atoms/cm)。
1.5.2对表面的金属进行气相分解(VPD)，然后用原子吸收光谱仪(AAS)或电感搞合等离子体质谱仪(ICP-MS)测试分解后的产物，金属的检测限为(1010 )atoms/cm。
但是该方法不能提供空间分布信息，并且金属的气相分解预先浓缩与每种金属的化学特性有关。

2、8-01实施国家技才走监督局发布G/T 17169-1997 前言目前尚无检索到镜面状半导体品片表面缺陷光反射元损检验的国际标准或国外先进标准。
本标准利用近代激光技术、先进的光学接收装置，经过信息处理系统，可快速、无损完成对镜面状试样表团状态分析，试样表面缺陷的图像可直观地在屏幕上显示出来。
本标准检验显示出的缺陷图像巳编成图谱。
本标准可实现对半导体硅抛光片、外延片表面直观、灵敏、快速、无损检验.本标准是光电子技术与微电子技术相结合应用于表面质量检验的研究所取得的重要成果。
本标准于1998年8月1日起实施。
本标准由中国有色金属工业总公司提出。
本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口.本标准由南开大学、天津市半导体材料厂负责起草.本标准主要起草人2李增发、王宏杰、张福祯、颜彩察、张光寅、邓江东。
本标准于1997年12月22日首次发布。
I 中华人民共和家标准硅抛光片和外延片G/T 17169一19972 范围表面质量光反射测试方法Test rnethod for the surface quality of polished silicon wafers an。

3、底片批的检查GB/ T 14 0 1 5 92 。
SJ 2446 非本征半导体单晶霍尔迁移率的测试方法硅外延层厚度，层错密度，硅片上的缺陆和沾污准和规程术语。
见附录A。
S技术3.1衬底蓝宝石抛光衬底片的技术要求应符合GB/T 13843.2掺杂剂及导电类型3.2.1 掺杂剂为铝、棚或隅。
3.2.2导电类型为P型或N型。
3.3外延层厚度3.3.1 外延层厚度为0.4-5m。
3.3.2径向厚度不均句性:40 cm2/ V. s。
3.6载流子浓度范围:1014 _1018 at/ c m30 3.7表面缺陷的最大允许值应符合表1的要求。
项自层错密度沾污伤国家技1992-12-28批准表1最大允许25个!cm2 无总长度为R!21993-08-01实GBjT 14015 92 1 项自最大允许值弦长为3mm以上的无崩边弦*为0.38- 3 mm的3个弦长为0.38mm以下的不计 50 .8 m m ( 2 i n)衬, 5个蚀坑和凹坑76.2mm (3 in)衬, 10个桔皮无纹无雾无滑移无注z边缘2mm环形区为免检区。
3.8硅外延层厚度、层错密度、硅片上的缺陷。

4、t;，.，.IJ.，OOOOOIa-I，._，. 本图集汇集了011晶向且/n+t日p/p+硅外延片常见的具有典型性的宏观表面缺陷及在表面观察到的微观缺陷。
按缺陷种类分为片子外形缺陷、表面突起缺陷、表面凹坑缺陷、雾状表面缺陷及晶格缺陷等五类，共26种。
本图集统一了典型缺陷的名称，简述了其外貌及其可能产生的主要原因。
可作为外延片表面质量检测及改进外延工艺的依据。
1.样品制备1.1硅片清洗z硅片采用有机降剂进行清洗或对硅片表面进行擦拭，以获得清洁无尘埃的表面。
1.2硅片择优腐蚀z采用希尔(Sirtl)腐蚀液(50克CrOs+100毫升日20): HF = 1 : 1 (体积比)J对清洁无尘埃的硅片进行腐蚀，以显示硅外延材料的微观缺陷。
腐蚀液使用的化学试剂应为分析纯，水应采用去离子水。
1.2.1用希尔腐蚀液对硅片进行30秒处理。
1. 2. 2用希尔腐蚀液对硅片进行35分钟处理。
2.观察方法2.1肉眼直观z在足够亮度的日光灯或白炽灯。

5、坑，整片允讯有五个麻坑。
( 4 )方片在内切圃2/3半径的同心圆内不允许有划痕和麻坑，同心圆外不允许有大于半径的划痕，允许有一条小于半径的划痕，两个麻坑。
2. 1. 2检验方法:按SJ 1550一79第4条规定进行。
2.2电阻率2.2.1要求z电阻率应符合本标准1.1条表12.2.2检验方法:按SJ1550一79第1条规定进行。
2.3 。
SJ 1549一79共5页第3页2.3.1要求2层厚度应符合本标准1.2条表2的2.3.2检扭/Ja;: 按SJ1550一79第2条规定进行。
外延层厚度的片允许偏差可按五点(中心一点及三条互相垂直的中心线上i边缘4mm处4点的测量值来计算。
2.4层错密度和位错密度2.4.1要求g层错密度、位错密度应符合本标准1.3条的规定。
2.4.2 按S11550-2.5夹层3条规定进行。
2.5.1要求z在0.5mA下测量时，其夹层电压应小于100V。
2.5.2检验方法g1 1550一79第5条规定进行。
2.6对衬底单晶的要求2.6.1衬底单晶的掺杂剂及电阻率应符合表3: 外延片结构材底单品掺杂JliJ电阻事，Q-cm镑;。

6、不得翻印峰开本880X 1230 1/16 印张1/2字数11千字1993年9月第-版1993年9月第一次印刷印数-30司k书号，155066 1-9851 定价0.90元* 标自224-35飞、中华人民共和国国家标准GB/T 14139 93 硅外延片Silicon epitaxial wafers 1 主题内容与适用范围本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层CN/N勺和在P型硅抛光片衬底七生伏的P型外延层(P/p+)的同质硅外延片。
产品用于制作半导体器件。
2 51用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽祥表(适用于连续批的检查)GB 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB 12962 硅单晶GB 12964 硅单晶抛光片GB/T 13389 掺砌掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法GB/T 14145 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定柔探针电容电压法GB。