1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。1.3本标准特别适用于位于晶片表面约5 nm深度内的表面金属沾污的测试。1.4本标准适用于面密度范围在(l0 10 atoms/cm 的Na、Al、K和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限，因仪器的不同而不同。1.5本测试方法是对以下测试方法的补充:1.5.1全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)，其能够检测表面的原子序数Z较高的金属，如Fe，但对Na，Al、K没有足够低的检测限（ll atoms/cm)。 1.5.2对表面的金属进行气相分解(VPD)，然后用原子吸收光谱仪(AAS)或电感搞合等离子体质谱仪(ICP-MS)测试分解后的产物，金属的检测限为(1010 )atoms/cm。但是该方法不能提供空间分布信息，并且金属的气相分解预先浓缩与每种金属的化学特性有关。
