1、中华人民共和家标 宝石1. Silicoo 00 sapphire epitaxial wafers 1 主题内容与适用范围本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。2引用标准GB 6624 硅单晶抛光表面质量目测检验方法GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连GB/T 13843 蓝宝石单晶抛光衬底片批的检查GB/ T 14 0 1 5 92 。SJ 2446 非本征半导体单晶霍尔迁移率的测试方法硅外延层厚度，层错密度，硅片上的缺陆和沾污准和规程术语。见附录A。S技术3.1衬底蓝宝石抛光衬底片的技术要
2、求应符合GB/T 13843。3.2掺杂剂及导电类型3.2.1 掺杂剂为铝、棚或隅。3.2.2导电类型为P型或N型。3.3外延层厚度3.3.1 外延层厚度为0.4-5m。3.3.2径向厚度不均句性:40 cm2/ V. s。3.6载流子浓度范围:1014 _1018 at/ c m30 3.7表面缺陷的最大允许值应符合表1的要求。项自层错密度沾污伤国家技1992-12-28批准表1最大允许25个!cm2 无总长度为R!21993-08-01实GBjT 14015 92 1 项自最大允许值弦长为3mm以上的无崩边弦*为0.38- 3 mm的3个弦长为0.38mm以下的不计 50 .8 m m (
3、 2 i n)衬, 5个蚀坑和凹坑76.2mm (3 in)衬, 10个桔皮无纹无雾无滑移无注z边缘2mm环形区为免检区。3.8硅外延层厚度、层错密度、硅片上的缺陷、沾污观察标准和规程术语见附录A(补充件)。3.9蓝宝石结晶学图参见附录B(参考件)。3. 10 外延层硅膜取向参见附录c(参考件)。3. 11 特殊技术要求由供需双方商寇。.、_1.监. 川J.7J 玄4. 1 外延层厚度按照附录A(补充件)进行测定。4.2 电阻率按5J2446进行测定。4.3迁移率按5J2446进行测定。4.4载流子浓度按5J2446进行测定。4.5层错密度按附录A(补充件)进行检阅。4.6表面缺陷按GB662
4、4和附录A(补充件)进行检阴。5检验项目和检验规5. 1 检验项目5. 1. 1 本标准技术要求中3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8为必测项目。5.1.2本标准技术要求中3.1、3.2为保证项目。5.2检验规则5.2. 1 产品应由供货方的质量检验部门按本标准进行检验，并附有检验合格证。5.2.2使用方在收到产品时应按本标准规定进行验收，如发现产品不符合标准时，在到货之日起三个月内向供货方提出。5.2.3产品的交收试验应按GB2828采用一次抽样方案进行抽样，检查水平为II，合格质量水平AQL2.5。GB/T 14015 92 6 、包稿、贮存6. 1 产品出厂必须附有合格证，合格
5、证上应注明:a. 制造厂名zb. 产品名称、牌号与编号zC. 各项必测项目指标:d. 片鸳ll;e. 自径$f. 枪测员印章及检查日期。6.2 产品包装应具有防擦伤、防沾污、防碎a. 产品名孙b. 产品编号$C. 出厂日朋pd. 制造单位。，包装盒内应附有标签并标明E6.3产品运输过程中不得同碱性、酸性等腐蚀性物质混装。6.4产品应保存在无腐蚀气氛的清洁仓库内。GB/T 14015 92 硅外、沾污现附录B蓝宝石结晶学固(参考件)结构指数矿物学符号1010 0001 C 2110 1120 1010 m 1120 a / 1012 飞、Iinn0112 r 。11l, .l l23 1101
6、。1111011 s / 2113 n 01) 01 1210. lL. i10 。112 1102 的OU - 2113 。11011111 21111 1120 1010 GB/T 14015 92 I c I 1m I /iI / r t 30 n 57.6 、吉、ot c r-: , ( r) a a a ，、(c) 、，n r 鸭、J飞、, , , r -J n r C C平面a, a , a , 1, . , , A平面H平I0102 ) A f而(120)平面(0001) R平面图1典型晶向GBjT 14015 92 附加说明z本标准由中华人民共和国录C(参考件)(100)硅鹏面法线(1102)衬底法线-电子工业部提出。本标准由天津半导体技术研究所负责起草。主要起草人陈瓶、孙家龙、牛志强、步云英。向C袖01)面法线C输投影(110)硅醺面法线树底参考面法线
