1、中华人民共和国国家标准硅多晶气氛区熔磷检验方法Polycrystallioe silicoo Examination method-Zo酣皿elting on phosphorus uoder controlled atmosphere UDC 669. 782, 548 .2:543.06 GB 4059-83 本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多昂棒。检测杂质浓度有效范围0.0220ppba0N型电阻率范围102000Qcm o 1 方法原理1 . 1 原理利用硅区熔时硅中磷砌的存效分凝系数的差别及磷棚从硅中蒸发速率的差别。1.2 方法气氛区熔法。2 试
2、样和j备2. 1 取样部位除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头lOmm段外均可取样（如图1）。2.2 试样尺寸直径1040mm0长度70200mm02.3 试样处理2.3. 1 在化学纯丙嗣t:jl洗样去油。2.3.2 用化学纯乙醇清洗2030s后用电阻率大于！OMQ的去离子水冲洗。2.3.3 在优级纯HFHN03l( 3 5 ）休积的混合酸液中腐蚀2min0 2.3.4 在第二份优级纯HF,HN03t(35）的混合酸液中腐蚀2mi n。2.3.5 用电阻率大于！OM的去离于水冲洗试样至中性。2.3.6 将试样经超声波或用去离子水多次煮沸，洗涤，烘干，包装待用。3 仪器设备内热
3、式区熔炉。4 籽晶串lj备4. 1 籽晶规格电阻率大于300(2cm的N型111）硅单晶。切成5m5m50mm04.2 籽晶处理l司2.3试样处理。5 检验条件5. 1 气氛要求国家标准局19831220发布1984 12 01实施643 GB 4059-83 丁lOmm 上5. 1 . 1 气氛种类氧气、氢气戎氢氢混合气。5. 1 . 2 气氛规格露，占、低于一45。氧含量小于5ppm o 5.2 区熔次数l2次成单晶。5.3 区熔速度提纯速度68mm/min0成晶速度35mm/mino5.4熔区高度等f检验棒直径。5.5熔区行程大于10个熔区。5.6 检验结果尺寸卓径12士2mm。i:度大
4、于10个熔鼠。6 测试方法6. 1 导电型号的测试644 包国因1捆硅芯不尤L午l!l1障部位GB 4059-83 采用GBl历。一79硅单晶导电类型测定方法测试。6.2 纵向电阻率的测试采用GB1551一79硅单晶电阻率直流二探针测量方法测试。7 检部电阻率的取值硅多晶试样经区熔检验后姿求全部成N型单晶。测试结果纵向电阻率曲线分布接近理论曲线付日图2）。取从第熔区起到检验棒长的80%处的电阻率值为未扣除基棚补偿的检磷电阻率值。（Q cm) x 。图2L(m) 8复检z检验结呆的棒料测试为F型、混合型、电阻率分布很不正常或者在区熔检验过和中有放布、打火等现象均应进行复检。640 GB 405&-83 附录A（补充件）A .1由f硅多品产品标准对气氛区熔检磷的硅多晶有寿命参数的要求，本标准采用GBJ 55379（硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法测试。附加说明z本标准由中华人民共和国冶金工业部提出。. 本标准由峨帽半导体材料I负责起草。本标准主要起草人赵祖培。646
