1、ICS 0104071；71040。99G 04 囝国中华人民共和国国家标准GBT 2 1 636-2008IS0 23833：2006微束分析电子探针显微分析(EPMA) 术语Microbeam analysis-Electron probe microanalysis(EPMA)-Vocabulary2008041 1发布(IS0 23833：2006，IDT)2008-10-01实施宰瞀鹘紫瓣警瓣瞥霎发布中国国家标准化管理委员会议19前 言GBT 21636-2008IS0 23833：2006本标准等同采用国际标准ISO 23833：2006微束分析 电子探针显微分析(EPMA) 术语
2、(英文版)。为了便于使用，本标准做了下列编辑性修改：575的注中对ISO 23833：2006勘误将“Z43”改为“Z4”；删除了法文版。本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口。本标准起草单位：全国微束分析标准化技术委员会。本标准主要起草人：林卓然、李香庭、李戎、朱衍勇、庄世杰、柳得橹。GBT 21636-2008IS0 23833：2006引 言电子探针显微分析(EPMA)是微束分析技术中一个应用极为广泛的领域，是在高技术产业、基础工业、农业、冶金、地质、生物、医药卫生、环境保护、商检贸易乃至刑事法庭等行业中需要通过各种材料或产品的微米尺度成分和结构分析来进行质量管理和质量检验所不可
3、缺少的技术手段。电子探针显微分析(EPMA)是一门综合性的技术，涉及物理、化学、电子学等广泛术语。本标准只限于定义电子探针显微分析(EPMA)标准化实践中使用和直接有关的术语，其内容包括：电子探针显微分析用一般术语定义；描述电子探针显微分析仪器的术语定义；用于电子探针显微分析方法的术语定义。本标准是微束分析技术领域中为了适应电子探针显微分析(EPMA)标准化实践的基本需要而制定的第一个术语标准。扫描电子显微镜(SEM)，分析电子显微镜(AEM)，X射线能谱仪(EDS)等其他领域的术语标准也会相继制定。1范围GBT 21636-2008IS0 23833：2006微束分析电子探针显微分析(EPM
4、A) 术语本标准定义了电子探针显微分析(EPMA)实践中使用的术语，包括般概念的术语和按技术等级分类的具体概念的术语。本标准适用于所有有关电子探针显微分析(EPMA)实践的标准化文件，部分适用于相关领域例如：扫描电子显微镜(SEM)，分析电子显微镜(AEM)，X射线能谱仪等的标准化文件，用于定义共用的术语。2缩略语BSE backseattered electron 背散射电子CRM certified reference material 有证参考物质、标准样品EDS energy dispersive spectrometer 能谱仪EDX energy dispersive X-ray
5、spectrometry 能谱法EPMA electron probe microanalysis or electron probe mi一电子探针显微分析或电子探针显微croanalyzer 分析仪eV electron volt 电子伏特keV kilo electron volt 千电子伏特SE secondary electron 二次电子SEM scanning electron microscope 扫描电子显微镜WDS wavelength dispersive spectrometer 波谱仪WDX wavelength dispersive X-ray spectromet
6、ry 波谱法3 电子探针显微分析用一般术语定义31电子探针显微分析electron probe microanalysis：EPMA根据聚焦电子束与试样微米至亚微米尺度的体积相互作用激发x射线的谱学原理，对电子激发体积内的元素进行分析的技术。311定性电子探针显微分析qualitative EPMA通过标识x射线谱峰的方法来鉴别试样电子激发体积中元素组成的电子探针显微分析方法。312定量电子探针显微分析quantitative EPMA对电子束激发区定性分析所鉴定的元素进行浓度测定的电子探针显微分析方法。注：定量分析可以在相同条件下，对测量的未知试样x射线强度与标样的x射线强度相比较完成，或者
7、根据基本原理计算浓度，后者也称为无标样分析。32电子探针显微分析仪electron probe mieroanalyzer进行电子激发x射线显微分析的仪器。注：这种仪器通常配置一道以上的波谱仪和用于精确定位试样的光学显微镜。GBT 21636-2008IS0 23833：200633电子散射electron scattering具有一定能量的入射电子与试样中原子或电子相互作用后，其轨迹和或动能发生改变的现象。331散射角angle of scattering粒子或光子入射方向与这些粒子或光子经散射后的行进方向之夹角。ISO 18115：2001j332背散射backscattering入射电子
8、与试样相互作用经多次散射后，电子重新逸出试样表面的现象。3321背散射系数backscatter coefficient叩背散射电子所占入射束电子的分数，由方程：一n(BS)n(B)表示。其中：n(B)入射束电子数；n(Bs)背散射电子数。3322背散射电子backscattered electron通过背散射过程从入射表面出射的电子。3323背散射电子角分布backscattered electron angular distribution背散射电子相对于试样表面法线所成夹角的函数分布。3324背散射电子深度分布backscattered electron depth distributi
9、on背散射电子在逸出入射表面之前进入试样所达最大深度的函数分布。333连续能量损失近似continuous energy loss approximation入射电子在物质中行进时能量损失的一种数学描述，其中把不连续的非弹性过程近似为单一的连续能量损失过程。334弹性散射elastic scattering入射电子与试样中原子相互作用后，只改变轨迹而能量基本不变的散射过程。轨道的改变角度从0到“(180。)之间变化，平均改变角度约为0i rad。335非弹性散射inelastic scattering入射电子与试样中原子相互作用后发生能量损失的散射，其中电子动能的损失以多种机制(产生二次电子，
10、轫致辐射，内壳层电离，等离子体及光子激发)发生。注：对非弹性散射，电子轨道角度改变一般小于001 tad。336散射截面scattering cross section单位面积的散射事件数。弹性或非弹性散射事件发生几率的数学描述。注：散射截面一般以面积(cm2)表示，而单位面积的散射事件以事件数(原子数cmz)表示。2GBT 2 1636-2008IS0 23833：2006参见：电离截面(344)。337散射效应scattering effect试样中具有一定能量的电子在散射过程中因轨迹和或动能改变所导致的一种可测量的物理现象(例如：电子背散射或产生x射线造成的能量损失)。338二次电子se
11、condary electron因入射电子与试样中弱束缚价电子非弹性散射而发射的电子。注：二次电子的能量通常小于50 eV。34x射线X-ray通过原子内壳层电离或库仑场对入射电子的减速而产生的电磁辐射光子。341特征x射线characteristic X-ray原子内壳层电子被电离后，由较外层电子向内壳层跃迁产生的具有特定能量的电磁辐射光子。342连续x射线continuous X-ray高能电子被原子库仑场减速(一种非弹性机制)而产生的电磁辐射光子。343荧光产额fluorescence yield原子内壳层电离过程中产生特征x射线的几率。注：荧光产额与电离方法无关。344电离截面ioni
12、zation cross section单位面积中的电离事件数。电离事件(将原子中电子从束缚态激发到连续能量态)发生几率的数学描述。注1：电离截面通常简单地用面积表示：cm2或耙(10_24 cm3)。电离概率表示为：离化数(原子数cm2)。注z：电离截面通常是用符号Q表示。Q的数学表达式为：dn；Q(N，A)如。其中：“为电子路径增量dz时的离化数；N，A为单位体积的原子数。参见：散射截面(336)。345电离能ionization energy临界激发能critical excitation energy将固体中束缚电子从原子的内壳层(例如K、L)激发到连续能态所需的最小能量，亦称为临界激
13、发能。注：电离能的单位为eV或keV。346J一值J-value连续能量损失近似数学处理中的一个临界参数，即平均电离能。347阻止本领stopping powerdE出入射电子在试样中行进距离的能量损失率(由所有非弹性散射过程引起)。注：阻止本领用单位距离的能量损失表示(即evnm)。3GBT 21636-2008IS0 23833：2006348x射线荧光效应Xray fluorescence effect二次荧光secondary fluorescence原子对特征或连续x射线的光电吸收处于激发态，该激发态原子因退激发而产生俄歇电子或特征x射线的效应，亦称“二次”荧光效应。349x射线的产
14、生X-ray generation试样在入射辐射束(电子、离子或光子)的激发下，产生x射线的过程。注：x射线可以通过原子内壳层电离过程(特征x射线)，或通过辐射突然减速(韧致辐射)的过程产生(连续x射线或白色辐射)。35x射线吸收X-ray absorption在电子探针显微分析(EPMA)的x射线能量范围内，主要由于光电吸收所造成的原生x射线强度在穿越物质时的衰减。351吸收边absorption edge原子的特定内壳层或亚内壳层的临界电离能。注：由于x射线质量吸收系数在吸收边处的突变而在连续谱背底上探测到的不连续性。352吸收因子absorption factor，(Z)在x射线探测器方
15、向的x射线出射强度对原生强度之比。353深度分布函数depth distribution function庐(口z)描述试样表面以下原生x射线强度的深度分布关系的函数。注：Pz的单位为质量厚度。354跃迁比jump ratio紧邻吸收边两侧能量位置的x射线吸收系数之比。注：在光致离化阈值附近的x射线吸收谱形状可能是复杂的，严格处于阈值位置的吸收边是很少见的。mo 18115：200i355质量衰减系数mass attenuation coefficientp与x射线穿过物质时强度衰减有关的材料参数，由方程II。一em1表示。式中：I。一一入射x射线强度；Ix射线通过物质s厚度(cm)后的强度；
16、卢线吸收系数；P一物质密度。注：其量纲为面积质量(cm2g)。4GBT 21636-20081S0 23833：2006356质量深度mass-depth distancePo一个用线性距离(cm)与密度(gcm3)的乘积来描述的物理量。注：质量深度用克每平方厘米(即gcm2)表示。357x射线检出角Xray take-off angle妒x射线谱仪中心轴线与试样表面之间的夹角。36x射线谱X-ray spectrumx射线光子数与能量或波长函数关系的谱图。注：通常用单位时间的光子数作图，但也可以用其他参数表示强度。361特征x射线谱characteristic X-ray spectrum特
17、定种类原子内壳层电子离化(由高能电子、离子或光子产生)和跃迁过程中，多余能量以电磁辐射光子发射的相关x射线谱峰或线系。3611x射线线系family of Xray lines原子中特定内壳层亚内壳层的所有电离而产生的系列特征x射线。3612K线K line原子K壳层电离而产生的特征x射线。3613K谱线K spectrum原子K壳层束缚电子电离而产生的特征x射线线系。3614L线L line原子L壳层电离而产生的特征x射线。3615L谱线L spectrum原子L壳层束缚电子电离而产生的特征x射线线系。3616M线M line原子M壳层电离而产生的特征x射线。3617M谱线M spectru
18、m原子M壳层束缚电子电离而产生的特征x射线线系。3618卫星线satellite lines由“禁止”跃迁、“非能级图”谱线和双电离原子等过程所造成的特征峰附近的低强度峰。3619x射线数据表X-ray line tableEPMA定性分析的基本参数表。注：EPMA定性分析X射线表中，包含分析元素的K线、L线和M线波长(或能量)，该表也可以包括它们的相对强度、每个峰的半高宽(FWHM)、所用衍射晶体的名称和它们的面同距、卫星线波长(或能量)等。5GBT 21636-2008IS0 23833：2006362连续x射线谱continuous X-ray spectrum连续谱continuum韧
19、致辐射bremsstrahlung；braking radiation入射电子在原子库仑场中减速而产生的非特征x射线谱，其能量分布从0到人射束能量墨(DuaneHunt限)。3621Duane-Hunt 限Duane-Hunt limit入射束能量beam energyE0在单一过程中，x射线连续谱中对应于入射电子能量完全转换的最大光子能量。3622Kramers7定律Kramers7 lawx射线连续谱强度与入射电子束能量、光子能量和试样原子序数的经验函数关系。4描述电子探针显微分析仪器的术语定义41电子光学系统electron optics由静电和电磁透镜系统构成的电子束形成系统。411聚
20、光镜condenser lens在双透镜系统中紧靠电子枪之下，起会聚电子束作用的第一个透镜。注：它的主要功能是限定束流。4111聚光镜光阑condenser lens aperture限定聚光镜发散角的轴向开孔的固定薄片。4112聚光镜电流condenser lens current流经聚光镜线圈产生聚焦磁场的可调节电流。412缩小倍数demagnification电子束经过透镜会聚前、后其直径缩小的比率。413电子枪electron gun电子探针显微分析仪中的电子光源，由一发射体(加热钨丝、LaB。灯丝、冷或热场发射尖端)、静电吸出与加速系统组成。4131电子枪亮度electron gun
21、 brightness卢电子束中单位面积、单位立体角的电流。由下式给出：p一4j(2d2a2)。式中：j电流，单位为安(A)；6GBT 21636-2008IS0 23833：2006d探针直径，单位为厘米(cm)；n发散角，单位为弧度(rad)。4132电子枪电流electron gun current束流 beam current从电子枪出射的电子束电流。414物镜objective lens产生聚焦电子束的透镜，即在双透镜系统中位于样品之上聚光镜之下的透镜。注：该透镜的主要功能是对探针作最后聚焦。4141物镜像差objective lens aberration导致电子探针聚焦状态不良的
22、各种物镜缺陷(例如：球差、色差、衍射等)。4142物镜光阑objective lens aperture置于物镜下方的轴向开孔薄片，起限定聚焦电子束发散角的作用。注：光阑的选择通常是通过一个外部精杆来调节。4143物镜电流objective lens current流经物镜线圈产生聚焦磁场的可调电流。415工作距离working distance物镜极靴下表面(底面)与试样表面之间的距离。注：原来定义为物镜主平面与试样表面之间的距离。42电子束electron beam电子光学系统：被电子光学系统聚焦到试样表面前的一束电子。421束流beam current电子束中的电流。参见：电子束(42)
23、。4211束流密度beam current density单位电子束面积的平均束流。注：用安培每平方厘米(Acm2)表示。4212束流稳定性beam current stability束流随时间的变化。参见：束流(421)。4213束径beam diameter包含总束流特定分数(如总束流的80)的束斑直径。注：束径可由电子柬的垂直截面直径上束流峰值的半高宽(FWHM)进行测量。GBT 2 1 636-2008IS0 23833：2006参见：电子束(42)。422法拉第杯Faraday cup捕捉入射束流并忽略背散射或二次电子引起的电流损失的特殊靶体装置。注：法拉第杯通常用一块钻有盲孔(孔径
24、约100 pm)的碳块，并在孔内壁和底部衬以金属做成。43电子探针electron probe(电子光学系统)电子光学系统聚焦到试样上的电子束。(仪器)参见：电子探针分析仪(32)。注：在试样表面上的典型束径为纳米至微米范围。431探针电流probe current聚焦电子束中的电流。4311探针电流密度probe current density单位探针面积的平均(探针)电流。注：单位用安培每平方厘米(Acm2)表示。4312探针电流稳定性probe current stability探针电流随时问的变化。432探针直径probe diameter包含总探针电流特定分数(如80)的束斑直径。注
25、：探针直径可以从垂直探针方向的截面上最大探针电流的半高宽(FWHM)测得。433试样台sample stage电子探针显微分析仪的一个组成部分，用于放置和移动试样，通常可对试样进行至少二维(沿垂直于电子束的z轴和Y轴方向)的移动操作。注：亦可进行三维(z轴、Y轴及z轴方向，其中z轴平行于电子束)的移动操作，以及试样倾斜与旋转操作。434试样(吸收)电流specimen current；absorbed current导电试样与地之间的电流。是入射束电流减去背散射电子和二次电子电流的差。44电子扫描像electron scanning image扫描像scanning image由入射电子束在试
26、样上作规则扫描，收集试样产生的信息(例如：二次电子信号、背散射电子信号、x射线等)，将其在显示器上相应位置显示或作为数值存储在计算机中特定区域而形成的图像。441面扫描area scanning记录x射线面分布图时，电子束对试样特定面积进行的扫描过程。442背散射电子像baekseattered electron image用试样产生的背散射电子调制显示器亮度形成的图像。背散射电子由专用背散射电子探测器佣8GBT 21636-2008IS0 23833：2006如：无源闪烁体(passive scintillator)，固态二极管，通道板或负偏置EverhartThornley探测器检测。44
27、3成分面分布图compositional mapping一种用灰度或颜色显示元素定量浓度的x射线面分布图像，其中每个象元的元素成分都进行了定量校正。444点绘面分布图dot mapping一种用点的黑白两种状态来显示该位置x射线强度的面分布图。注：点绘面分布图实质上是纯定性。445边缘效应edge effect由于试样突起或不平部分的边缘产生二次电子数量增加，而使二次电子图像中该位置亮度增强的现象。446图像衬度image contrast图像中任选两点(P。，P。)之间的对比度c，定义为以特定操作条件下可得到的最大信号归一化的两点信号之差。注：C-(s。一S)s一此处o10 keV)x射线连
28、续谱作为内标，以补偿电子束引起的质量损失。544强度比intensity ratio值k-value比值k-ratioK值Kvalue在完全相同的电子束能量、谱仪效率及束流条件下，从未知试样测得的特征峰的强度I。与从标样测得的同一特征峰的强度J“的比值：一J一I。注：试样和标样测量中的仪器条件有任何变化，例如束流的变化，必须在定量计算被测元素的强度比时加以考虑。545归一化 normalization在定量x射线显微分析中，将每一被测元素浓度除以所有元素浓度之和后，使所测各元素浓度之和等于1的数学计算。546无标样分析standardless analysisx射线显微分析的一种定量方法，其中
29、值表达式(女一I。“i。：。)中的标样强度I。由纯物理计算，或由部分标样用经验拟合或物理计算，以弥补所缺标样或适应于不同的实验条件。547ZAF基体校正ZAF matrix correction电子探针显微分析的一种定量分析方法。是用原子序数修正因子z、x射线吸收修正因子A，及x射线荧光修正因子F，对试样与标样之间的差异进行修正。注：Z、A、F因子是根据试验测量、经验拟合和理论计算结果导出。参见：x射线荧光效应(348)。548咖(pz)基体校正呶pz)matrix correction电子探针显微分析的一种定量分析方法，校正因子是通过经验方程计算，该经验方程是对x射线产生的实验数据作为深度函
30、数称(腭)函数进行拟合求出的。注：()读作“phi rho zed”。】7GBT 2 1636-2008IS0 23833：200655定量分析校正quantitative analysis corrections为获得元素的定量分析结果，对元素强度比进行的校正。551吸收校正absorption correction对谱仪检测到的“A”元素x射线在穿过试样时，受到所有元素吸收而造成的“A”元素x射线强度损失的基体校正。552原子序数校正atomic number correction对分析体积中所有元素的电子背散射及阻止本领引起某一元素x射线强度变化进行的基体校正。553背散射校正backs
31、cattering correction对电子背散射引起的x射线产额损失的基体校正。554有证参考物质certified reference material；CRM标准样品(简称标样)由国家标准化组织提供的物质，它至少有一个特征参数是采用绝对方法测定的，并附有证书。注：用于电子探针显微分析的有证参考物质，不仅要求其成分而且要求其微米尺度的微区均匀度都得到认证。Adapted from VIM，3“edition555特征荧光校正characteristic fluorescence correction对由于“A”元素吸收了超过其临界激发能的“B”元素的特征x射线而产生的“A”元素特征x射线
32、进行的一种基体校正。556连续荧光校正continuous fluorescence correction对由于“A”元素吸收了超过其临界激发能的连续x射线而产生的“A”元素特征x射线进行的一种基体校正。557基体校正matrix correction；interelement correction对由于激发体积中其他元素对电子散射、阻止本领、x射线产生与传播以及二次荧光的影响，引起被测元素的特征x射线强度的变化进行的校正。参见：x射线荧光效应(348)。558参考物质reference material标准物质材料或物质，其最少有一个特征参数足够均匀并被测定以用于对仪器、测量装置进行校正或用
33、于对材料赋值。注：用于电子探针显微分析的参考物质，其全部成分已知，是由独立、理想的绝对方法测定(如分离法和重量法)，并在足够小的微区内成分均匀，用电子探针测量任何区域的X射线强度都在统计误差范围内。Adapted from VIM3“edition559研究物质 research material具有有证参考物质的物理和化学特性的物质，但是在获得认证前，其化学成分、稳定性、微观和宏观】8GBT 21636-2008IS0 23833：2006均匀性还有待详细的验证。5510试样稳定性specimen stability(一般定义)试样在常温常压下，长期储存过程中物理化学性能保持不变的特性。55
34、11试样稳定性specimen stability(电子探针)在电子束轰击下，试样化学成分保持不变的特性。5512阻止本领校正stopping power correction对由于束电子穿越试样发生能量损失而引起x射线产额变化进行的基体校正。5513不确定度uncertainty表征合理地赋予被测量之值的分散性，与测量结果相联系的参数。56分析试样sample to be analysed用EPMA测定成分和显微结构的试样。561块状试样bulk sample试样尺寸超过所有可能产生x射线(由电子束产生初级x射线和由特征、连续X射线产生二次荧光x射线)源的范围，不会由于x射线穿过试样底部或边
35、缘非正常逃逸而受到损失。562荷电charging由于缺少足够的对地导电途径，当试样受入射电子束轰击时其表面发生电荷积累的现象。注：绝缘材料的高电阻可使导电路径不能建立，即使对诸如金属的导体材料，若不用导线或导电胶等建立试样到地的导电路径，荷电仍可发生。563导电镀层conductive coating镀层coating一种覆盖到绝缘试样表面的低电阻材料(例如：铝、金、碳、铬等)薄涂层(一般厚度2 nm20 nm)，以提供电子束轰击时可能在表面积累的电荷的接地通道。5631镀层假象coating artifacts由镀层材料特性所引起的试样结构和或x射线谱的改变，这些改变可能干扰对真实试样细节
36、的解释。5632导电层 conductive layer分层试样中区别于其他非导电层或半导电层的高电导率层状区域。564污染contamination试样表面由于所处环境、制样带来的假象或暴露在试样室残余气体中而附着的外来物质。564。1碳污染carbon contamination在电子轰击下碳和含碳物质(由电子对试样表面污染物和或真空系统的残余油气体轰击产生)在】9GBT 21636-20081S0 23833：2006试样表面上的进行性累积。5642污染层contamination layer沉积在试样上的外来物薄层。565场致迁移field induced migration在绝缘体中
37、由电子或离子轰击造成的内部电场使原子发生迁移的效应。Uso 18115：20013566几何效应geometric effects由于试样大小与形状引起x射线产生与或传播的改变，而导致与成分变化无关的x射线强度的变化。567均匀度homogeneity试样不同采样点成分一致性的程度。568粒度效应mass effect在分析颗粒物时，由于电子束贯穿颗粒物边界而引起的x射线强度变化的几何效应。569基体效应matrix effect；interelement effect由于元素“B”的存在而导致元素“A”的x射线产生过程和发射强度的改变。5610辐射敏感度radiation sensitive
38、材料在电子轰击下发生改变而导致如质量损失、离子迁移、分子键破坏、颜色改变等类型的损伤的程度。5611薄试样thin sample厚度小于电子和x射线的穿透范围，它比同样成分的块体试样产生的x射线强度低，但空间分辨率更好。57空间分辨率spatial resolution微束分析空间特征的一种度量。注：通常以激发体积表示。571分析空间分辨率analytical spatial resolution由特定元素x射线电离能确定的空间分辨率。注：在一个多元素试样中，不同元素的空间分辨率不同，随着电离能的减小，激发体积增加。5711分析面积analysis area相互作用体积在电子束入射面上的投影面
39、积，95的x射线从此面发射并由谱仪接收。5712分析深度analysis depthx射线经试样吸收后，确定百分数(例如总量的95)的x射线从相互作用体积内发射的最大深度。20GBT 21636-2008IS0 23833：20065，I3分析体积analysis volumex射线经试样吸收后，确定百分数(例如总量的95)的x射线发射的体积。572电子相互作用体积electron interaction volume电子激发体积electron excitation volume电子散射体积electron scattering volume入射电子束由于弹性和非弹性散射而扩散的三维空间范围
40、。573电子轨道射程electron trajectory range在电子轨迹完全在试样内(没有背散射)并且适用连续能量损失定律(如Bethe定律)的条件下，入射电子在试样中行进的距离。574荧光X射线激发体积fluorescent X-ray excitation volume被测特征x射线由于试样中其他特征x射线通过二次荧光效应而激发的三维空间范围。575低束能分析low beam energy analysis使用低于5 keV的电子柬能量进行的分析。注：5 keV是用不小于125的过压比激发Z4的所有元素的特征x射线(K壳层、L壳层或M壳层)的最低束能。576x射线激发体积X-ray
41、 excitation volume入射电子束能够激发特定特征x射线(过压比1)的三维空间范围。58x射线强度X-ray intensity用x射线计数测定的特定能量的x射线光子数。581背底计数background counting将WDS调至连续背底辐射的波长位置进行的计数率测量，测量位置通常是在测量峰的附近。582积分束流integrated beam current在x射线计数时间内连续测量的束流。583归一化计数normalized counting计数时间内经过束流变化校正的x射线计数。584谱峰计数peak counting将WDS调至所测量谱峰的波长位置进行的计数率测量。585
42、峰背比peak-to-background ratio在确定的波长或能量范围内特征x射线强度与连续x射线强度之比。586x射线计数X-ray counting用x射线谱仪的计数器测定特定x射线的光子数。587x射线计数率X-ray counting rate单位时间测得的x射线光子数目。21GBT 21636-20081S0 23833：2006符号列表54-4413333333115631574321535655461754264336346472152一一一一一k，蚋，一、n一一”一一一呦一咖抛咧删删GBT 21636-2008IS0 23833：2006中 文 索 引导电镀层563低束能
43、分析575因子”5411 点分析4410。 点绘面分布图444电离截面344半导体EDS4645 电离能345背底523 电子光学系统41背底计数581 电子轨道射程573背底校正531 电子激发体积572背底滤波”背底模型背底统计涨落背散射背散射电子背散射电子角分布背散射电子深度分布背散射电子像背散射校正背散射系数本征锗EDS边缘效应“标准物质标准样品(简称标样)波长分辨率波长分辨能力波谱法一波谱仪薄试样不确定度一C5231 电子枪4135232 电子枪电流4132524 电子枪亮度4131332 电子散射333322 电子散射体积”5723323 电子束423324 电子探针-43442
44、电子探针显微分析31553 电子探针显微分析仪323321 电子扫描像4446451 电子相互作用体积一572445 定量电子探针显微分析312558 定量分析54554 定量分析校正55一4616 定性电子探针显微分析”311一4617 镀层5634615 镀层假象56314614 d间距46141一5611 Duane-Hunt限36215513参考物质”558场致迁移565层状合成微结构46149成分面分布图443重叠损失451垂直几何461412D导电层5632E二次电子338二次电子像一4411二次荧光一348F法拉第杯422非弹性散射-335分析空间分辨率一571分析灵敏度522分析面积571123GBT 21636-2008S0 23833：2006分析深度”571，2分析试样56分析体积5713峰背比585峰位移
