1、中华人民共和国国家标准区熔错键GB 11071- 8 9 Zone-refined germanium Ingot 主题内容与适用范围本标准规定了区熔错键的产品分类、技术要求、试验方法及检验规则等本标准适用于以还原错饺及铐单晶返料为原料，经区熔提纯而制得的错键产品供制备半导体错单品、光学用错晶体和错合金等用2 3 3. 1 引用标准GB 4326 GB 5253 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法错单品电阻率直流两探针测量方法GB 11070还原错绽产品分类牌号表示为zZGe口2 I J二ZGe表示区熔错珑，Z一阿拉伯数字表示产品等级3. 2 错链的横截商为梯形，其外形尺寸如表10同
2、根键的最大与最小裁面之差不大于平均截丽的15%。3. 3 3. 4 表1对错键尺寸和%状有特殊要求时，供需双方可另行商定，产品按物理参数分为ZGe-1和ZGe-2两个牌号4技术要求mm 4. l 产品的牌号、电阻率和检测单晶的载流子浓度和载流子迁移率应符合表2的规定。中国有色金属工业总公司1989。1-28批准1990-02 01实施4 4. 2 4. 3 5 GB 11071- 8 9 表2电阻率检测单品参数（77K 牌军J王Qcm 载流子放度(23士0.5cm-3 ZGe-1 )47 ). 5 1012 ZGe-2 二岁47ZGe-1牌号区熔错锐的原料应符合GB11070中RGe-0和RG
3、e-1牌号的规定错绽表面应呈银灰色金属光泽，无明显氧化膜，无裂纹和夹杂物试验方法载流于迁移翠cm/(V s) 二三3.7XIOs. 1 区熔错锐的电阻率按GB5253方法在镜底表面的中心线沿锐的纵向测量测点问距不大于30町1ffi0s. 2 检测单晶按附录A（补充件制备s. 3 5. 4 检测单晶的载流子浓度和载流子迁移率按GB4326进行。测量样品从单晶头部切取错键的表面质量用日视检查6 检验规则s. 1 检查和验收6 1. 1 产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。s. 1. 2 需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准的规定不符时，在产品
4、收到之日起两个月内向供方提出，由供需双方协商解决s. 2检验项目区熔错绽应逐根进行电阻率和表面质量等的检验。6 3取样数量ZGe-1牌号的错镀每批不大于100kg，随机任取一根，取样300500g制备成检测单品，测量载流子浓度和载流子迁移率6. 4 重复检验如检验结果有一项不合格，则从该批中加倍取样进行该不合格项目的复验，若仍有一项不合格时，则重新组批验收。7 7. 1 标志、包装、运输和贮存每根区熔错绽密封于聚乙烯薄膜袋中，并附有产品质量证明书，注明z供方名称z b. 产品名称pc. 产品编号：d. 产品牌号ge. 产晶莹莹，f. 各项检验结果及检验部门印记zg. 本标准编号ph. 生产日期
5、。7. 2 将密封于聚乙烯袋中的区熔错镀装入聚苯乙烯盒内，并装入木箱，用填料塞紧每箱净重不大于50kg，木箱外用包扎带捆紧，箱内附有装箱单，注明g5 7. 3 a. b. c. d. 供方名称，产品名称，产品编号z产品牌号ee. 产品批重和统数gf. 出厂日期GD 11071-8 9 木箱外部应有“防震”、“防潮飞“防腐蚀”字样或标志，并注明s需方名称，a. b; c. d. 产品名称p毛室、净童和箱号，供方名称, 7. 4 ZGe-1牌号区熔错键装箱时，在其中一箱内放入检测单品及其样品。检测单品和样品分别封装在聚乙烯袋内，计入批重。在箱外注明“内有检验样品”字样7:5 区熔错绽在贮存和运输过
6、程中要防止机械损伤、受潮和腐蚀e6 . . Al 方法提要GB 11071 8 9 附录A检测单晶制备方法（补充件ZGe 1牌号的区熔错链，经腐蚀、清洗烘干，装炉，制备成j2530mm的检测单品，测量其净载流子浓度、载流子迁移率，用以判断区熔错键的质量A2 试剂、材料A2. 1 A2. 2 A2. 3 盐酸z浓度36%38%，优级纯硝酸E浓度65%68%，优级纯氢氧化馁z优级纯。A2. 4 A2. 5 A2. 6 A2. 7 A2. 8 A3 丙阴，MOS级过氧化氢g优级纯氢气z露点小于一70，含氧量小子1ppm0 氧气z露点小于一70，含氧量小于2ppm, 籽品g用电阻率大于47Q0cm(2
7、3土o.5的销单品和j作，品向（111）或（100),设备A3. 1 单品炉A3. 2 氢气净化器。A3. 3 管状沉碳炉，IJOO士20A4 样品料的处理将300500g区熔错绽打断成块，同籽品一起置于玻璃烧杯中，但j入去离子水使之淹没错块，加热90JOO，然后倒入氢氧化馁（A2.3）和过氧化氢（A2.5) （水，氢氧化镀和过氧化氢体积比为1002幻，剧烈反应35min后，放出腐蚀液，迅速倒入去离子水，冲洗并煮沸至中性，取出佯品料烘干AS 部件的清洗处理AS. 1 制备检测单晶用的石墨均锅、加热保温筒等石墨部件，用盐酸硝酸31（体积比的混合溶液浸泡24h, A5. 2 浸泡后的石墨部件，用去
8、离子水冲洗煮沸至中性（用pH试纸检查，烘干后放入单晶炉内在真空度不小于6.65IOPa，温度不低于I300C的单品炉内锻烧2h。AS. 3 石英地涡内壁吹砂打毛后，用盐酸z硝酸3 I（体积比）混合溶液浸泡24h，再用去离子水冲洗至中性，烘干AS. 4 石英均涡沉碳以流量为500mL/min的氧气流过丙酣容器，把丙嗣带入管状炉内，于温度1000 土5，使石英增祸沉碳1h, AS. 5 沉碳后的石英增涡，用去离子水煮沸、冲洗、烘干AS 检测单晶的制备AG. 1 将处理好的样品料置入单晶炉内的石英增涡中7 GB 11071-8 9 AS. 2 关好炉门，抽真空至真空皮大于2.6610Pa。AS. 3
9、通入纯氢气至常压后，在氢气流量为1L/min的条件下升温熔料如果采用纯氧气为保护气体，则通入纯氧气至常压后，在密闭的情况下升温熔料。AS. 4 错料熔化后，降至寻l晶温度并稳定，以籽品转速为1530转min,:f:!t揭转速410转min，拉晶速度为1.0 1. 2 mm/min拉制单晶AS. 5 单晶直径控制在2530mm. A6. B熔体全部拉完后缓慢降温，待炉内温度降至室温后，打开炉门，取出单晶8 附加说明：本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出本标准由北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人杜保英. 四FKDFFICHDPF囚。华人民共和国家标准还原错链和区熔错镜GB 11070 11071-89 . 中国标准出版社出版北京复外三里河）中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得翻印国, 中 开本88012301/16 印张3/4字数16000 1990年4月第一版1990年4月第一次印刷印数1-1800 书号g1550661 6880定价。.75元,. 标目133-21.
