1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL5961 8J 50033/12297 半导体分立器件CS3684，-，CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范8emiconductor discrete devices Detail speciCication Cor type C83684-C83687 silicon N-channel junction mode Cield.eCCect transistors 1997幽06.17发布1997-10-01实施中华人民共和固电子工业部批准1 范围中华人民共和国电子行业军用极准半导体分立器件CS3684.CS3687型硅N沟道结盟场效应晶
2、体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684-CS3687 silicon N-channel Junction mode field-effect transistors 1. 1 主题内容创50033/12297本规施规定了岱3684-CS3687到硅N沟道结骂自场效应晶体管(以下简你器件)的详细要求。1. 2 适用括国本规拖适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按照GJB33甲85(半导体分立器件总规戒)1.3条的规定，
3、提供的质最保证等级为普军、特军和超特军三圾，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586 94 场效应晶体管测试方法GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规班GJB 12886 半导体分立器件试验方法3 要求3.1 详细要求各项要求应按GJB33和本规蔽的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规施的规定。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施时50033/122叫973.2.1 引出端材料和镀除层引出端材料应为可伐。引出端农田锻涂层应为镀金、镀锡或浸惕。对引出端涂恩要求
4、选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用磁N沟道辑尽型结盟结构。3.2.3外形尺寸外形尺寸按GB7581中的A4叩01日剧及如下规定，见囱10字卖B401B mm nom max I A 4.32 5.33 +且2.54 #11 1. 01 l i i! #1 2 0.407 0.508 卜一一一D 5.31 5.84 D1 4.53 4国951 0.92 1. 04 1. 15 K 0.51 1. 21 卡叩阳帽L 12.5 25.0 L1 1. 27 引出端极性:l叩S(拥极)2叩D(捕极)3-D(栅极)4叩C(智先)3.3 最大额定值和i:要电特
5、性3.3.1 最大额定值p_.o lot (TA = 25t:) Vnc mW 飞J350 50 因1外形尺寸囹VGS V -50 注:l)TA25t:时，按2mW/K的速率销性降额。3.3.2 主要电特性(TA=25C) 一2IGF Tj T.喝FmA 50 200 叩55-200时50033/122甲97参数符号测试条件Ioss mA Vos=20V Vas骂。VGS( off) V Vos = 20V Io=lnA Vn川/、/届Vos= 10V VGS嚣。f=20日zF dB VOS= 10V VGS=O Rg出10MOBW=6日zf= 100Hz I Y2lS 1 mS Vos=20
6、V VGS=O f= 1kHz 3.4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规蔽的规定。3.5 标志标志应符合GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验符合GJB33和本规班的规定。4.2 鉴定检验鉴烧检验符合GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)型号CS3684 CS3685 CS3686 CS3687 CS3684 CS3685 CS3686 CS3687 CS3684 CS3685 CS3686 CS3687 CS3684 CS3685 CS3686 CS3687 CS3684 CS3685 CS3686 CS3687 极限值最小值最大假2.5 7.
7、5 3 0.4 1. 2 0.1 0.5 2 -5 1 币3.5由0.6-2 叩0.3即1.20.15 0.15 0.15 。150.5 一0.5 一0.5 0.5 2 3 1. 5 2.5 2 0.5 1. 5 筛选应按GJB33表2和本规施的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规施表1极限值的器件应予剔除。一3一SJ 50033/122叩97筛端试验方法GCr GT 1i法号条件(GJB 33亵2)GJB 128 要求要求1 内部自检(封帽前)2072 100% 100% 2 高温寿命(LTPD)1032 Tstg = 200t , t注24h100% 100% -3 热冲击105
8、1 除低温应为-55t.循环20段，t (极自主值)(撒度确环)10min外，其余同试磁条件Co25t时不要求有100% 100% 规则的停顿。4 假定加速度2006 Y1方向茧少196000mfs2 (20000g)不来用1分钟100% 100% 保持时间的要求。5 密封不要求6 高温反偏不要求7 中间电参数测试lc豁(1)和Ioss向A2分组l% 100% 1 Y2ISI(I)罔A4分组100% 100% 8 者炼1039 试验条件A100% 100% (高掘反偏)Vos出币40V，VDS=O , TA=150t，t168h 9 最后测试见本规市表1的A2分唱:100% 100% tlIo
9、ss初始值的土10%.1 1 Y2ISI(I)初始值的20%10 商封1071 100% 100% a.细检捕a.试验茹件H漏率5X1O-3Pacm3/s b.粗检漏b.试验条件C11 外观及机械栓验2071 栋志清晰，外观无缺摘，徐层无锈蚀。100% 100% 4.4 质最一致性检验质最一致性检磁应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 B组检验B细检验按GJB33和本规施农2规定进行。最后测试和变化最(，.1)要求应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 C细检验C组检验按GJB33和本规范表3规定进行。最后测试和变化最(.)要求应按
10、本规戒表4步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的我和下列规定。4.5.1 脉冲测试4一SJ 50033/12297 脉冲测试成按GJB128的3.3.2.1的规定进行。表1A组检验GB 4586 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小债最大值5 标志清晰，外现Al分组GJB 128 目检无缺损，涂层无 一外观和机械检验2071 锈蚀。A2 分舰5 棚呻惊击穿电压体规拖附最AVos=O V(BR)CSS -50 一V lc= -1 栅极截止电流凹，2.1Vcs= -30V 1 GSS( I) 一酬。.1nA V凶=0零栅压捕极电流町，3Vos:= 20V I附mA
11、 Vcs=O 陈冲法(见4.5.1)CS3684 2.5 7.5 CS3685 3 CS3686 0.4 1. 2 CS3687 0.1 0.5 栅叩惊截止电压凹，5Vos=20V V GS( off) V 10嚣lnACS3684 -2 -5 CS3685 四1叫3.5CS3686 叫0.6由2C臼687叩0.3呻1.2静态漏摞N, 15 10= lmA rOS(on) 。通恋电阻Vcs=O CS3684 一600 CS3685 800 C臼686一12 CS3687 2400 A3分组5 高温工作TA: 150C 栅极截止电流目，2.1Vcs出叩30V1 CSS(2) 一由0.5A Vos
12、口。A4分组5 小情号共惊姐路凹，10VOS: 20V I Y2l s I (1) mS 正向传输跨导V GS :; 0 f = 1 kHz 脉冲法(见4.5.1)一5邸50033/122叩97续表GB 4586 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值CS3684 2 3 CS3685 1.5 2.5 CS3686 2 CS3687 0.5 1. 5 小情号共糠姬路IV ,8 V凶=20VI Yz2s1 (1) mS 输出跨导Vcs=O f= 1kHz CS3684 50 CS3685 一25 CS3686 一10 CS3687 一5 小借占去共掘短路凹，7Vos=20 , V
13、cs口。Cl1SS 一4 pF 输入电容f= 1kHz 小情号共摞短路凹，9Vos=20 , Vcs=O C12SS 一1. 2 pF 反馈电睿f= 1kHz 噪声电压凹，12Vos=lO , Vcs=O Vn 一。也15已Yf币20日z1Hz 共惊点噪声系数IV , 12 Vos= 10V, Vcs码。F 一dB Rg= 10MO BW=6Hz, f口100HzA5和A6分组不适用A7分组10 低晦工作TA= -55t 小借号共摞短路IV , 10 V悔罪20V，Vcs=O I Y2Isl (2) mS IE向传输跨导f出1kHz脉冲法(见4.5.1)CS3684 4.5 CS3685 一3
14、.75 CS3686 一3 CS3687 一2.25 6一SJ 50033/122.幽-97表2B组检验GJ8128 检验就试揄LTPD 方怯条件81分组15 可焊性2026 受试引出端数:4栋志耐久性1022 82分组10 热冲由1051 除低掘应为制55t外，其余间试验(温度循环)条件C-lo密封1071 a.细检捕11 .，条件H.最大漏率为5 x 10 - 3 Pa cm3 / s。b，粗检漏b.试瞌条件C最后测试见我4，步黯1、3和483分组5 稳工作寿命1027 Vcs=附40V，VOS=O (商植反偏)TA嚣lS0tt嚣340h最后测试见费4，步骤2、3、4和5B4分组开帽内部自
15、检2075 自检标准撞鉴定时的设计每批一个器件/0失效(设计核实)键合强度2037 试瞌条件A，每个器仲所有20(c= 0) 的内引线分别进行拉力试验。85分组不适用时分组7 高晦寿命(不工作1032 TA四200tt = 340h 最后测试见表4，步黯2和5一?一时50033/122- 97 表3C组检验GJB 128 检跪或试验LTPD 方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A引出端强度2036 试验条件E带封1071 a.细检捕a.试验条件日，最大捕感为5x 10- 3Pa cm3/50 b.粗检捕b.试验条件C综合由度/温度周期
16、试瞌1021 省略预处理条件外观及机械检翰2071 标志清晰，外观光缺损，徐层光锈蚀。最后测试见者4，步骤1、3和4C3分组10 冲击2016 不工作，按14700mN(1500g)O. 5ms在XtYt每个方向上冲击5次变频振动2056 假定加速度2006 方向:XtYt加速度:196000m!s2(20000g)t二?!1min最后测试见表4，步骤1、3和4c4分组15 主k气(适用时)1041 C5分割不适用C6分组 = 10 稳;)工作寿命1026 Vos口甲40V，V)S =O (高温股偏)T A = 150C t = 1000h 最后测试见表4.步骤2、3、4和5表4日组和C组的最
17、后测试GB 4586 极限值步骤测试符号单位1法条件最小值最大值栅极截.ll:电流N ,2.1 VOS=叩30VOSS(I) 一时0.1nA V)S =O 2 栅极截止电流町.2.1VOS=叩30V GSS(3) 叩1nA Vns=O 3 零栅压漏极电流N.3 V)S口20Vnss mA Vos=O CS3684 2.5 7.5 CS3685 1 3 一8一创50033/12297续表4GB 4586 步骤测试符号方怯4晨件CS3686 CS3687 4 小倍号共糠姐路凹，10Vos=20V 1 Y21S 1 (1) 正向传输跨导VGS=O f黠1kHzCS36制CS3685 CS3686 C
18、S3687 5 小倩号共摞嫖赌1V , 10 Vos=20V A|YZ1s|11 正向传输跨辱VGS=O f= 1kHz L 出:1)对本试验超过A割极限值的嚣件，不得向用户提供。5 交货准备5.1 包装要求包辑费求符合GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6.1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合向或订货单应有下列内容:a. 本规班的名林和蝙号:b. 等级(见1.3.1);C. 数最;d. 需要时，其他要求。极限值单位最小值最大值0.4 1. 2 0.1 0.5
19、mS 2 3 1. 5 32.5 2 0.5 1. 5 初始值的25%6.3 对引出端镀涂展有特殊要求时，应在合间或订货单中规定(见3.2.1)，如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。一9一Al 日的时50033/12297附录A栅源击穿电压的测试方法(补充件)在规定茄件下测试场效应管的栅m源击穿电压。A2 电路阁(见困Al)Veo 因AlA3 要遵守的注意事项A3.1 一般垃意事项(见GB4S86第N章的1.2条); A3.2 电压表VGS为商隐电压衰。A4 测量步骤把漏极和源极短路，从零开始逐渐调节栅叩源电压VGS使栅极电流IG为规定值。从电压表VGS上测得V(BRlGSSOA5 规定条件环境温度Tamb口2St:; 栅极电源IG=一句Ao一10一时50033/122叩97附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规?自由国营第七四六厂起草。本规范主要起草人:.:E静、徐锦仙。计划项目代号:B51007o一11一
