1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/ 124-97 半导体分立器件PIN101105型硅PIN大功率二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon power PIN diodes for type PIN 101 105 1997”06-17发布1997”10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范罔半导体分立器件PIN101105型硅PIN大功率工极管详细规范Semiconductor discrete device Detail
2、 specification for silican power PIN diodes for type PIN101 105 1. 1 主题内容SJ 50033/ 12497 本规市规定了PIN101105型碰PIN大功率二极管（以下简称器件）的详细！要求。1.2 适用班回本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规m根据辅件质盘保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB3385（半导体分立器件总规范第1.3杂的规定，提供的质盘保证等级为普罕银、特等级、超特牢级，分别用字母GP,G丁、GCT表示。2 引用文件GB 6570-86 微快二极管测试方法GJB 33一85半导体
3、分立器件总规V!LGJB 12886 半导体分立器件试验方法GJB 1557-92半导体分立器件微波二二极管外形尺寸3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规陆的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结拙和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料为可伐。引出端表团照应为镀金肢。3.2.2 器件销协中华人民共和国电子工业部199717发布1997”101实施一1SJ 50033/ 12497 高阻单晶双扩散台面PIN结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GJB1557中W1402的要求，见因1t口:t: z 2. W14时02mm n
4、om max D 6.90 7.10 D, 5.40 5.60 v PIN101 160 一PIN102 320 一PIN103 480 一PIN104 640 一PIN105 800 一正向做分电阻8.3 IF lOOmA 1. 5 。3 俨F一f= lOkHz .峭正向做分电阪8.3 IF口lOOmA.1rF 0.2 。4 变化盘lOkHz 5 总电睿变化最8.2 f= !MHz VR lOOV D.Cto, 。“2pF 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求一6一SJ 50033/ 124叩97贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应
5、按GJB33的规定。6说明事项6. 1 预定用途符合本规施的器件在ci皮段以下作开关、限帽、电调衰减和移相等，供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合问或订货单应规地下列内容：如本规范的名称和编号；b. 等极（见1.3.1);c. 数撞；d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料相涂层有特殊要求时，应在合问或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合间或订货单中规定。Al 目的SJ 50033/ 124一97附录A扭力姐试验方法（补充件）本试验是为了检验器件引出端和瓷智之间的抗扭力能力。A2设备扭力矩试验需专用央具，固定器件的端并在另一端悬挂施加力矩的茧物。A3 步骤对应微波二极管轴线上加扭力矩，使瓷管与提封处承受扭力矩，其力姐为统二极管轴线方向，且平稳元跳动。扭力矩60mNmo作用时间Sso解除力矩后用10倍放大镜检验，发现断裂、松动成电极与晓管之间相对移动，认为是器件不合格。附加说明：本规沼由中国电子技术际准化研究所归口。本规范由国营第九七O广负责起草。本规范主要起草人：沈继昌、王韧、刘牌。计划项目代号：B51016一8
