1、中电FL 5961 SJ 50033/63一1995、lm serniconductor discrete device Detail specification for type 3CD020 也Low frequency and high power transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1范1. 1 主题内半导体分立器件3CD020型低频大功率晶体详细规范Semiconductor disrete device Detail cpecification for type 3CD020 LoW-fre
2、quency and high-power transistor SJ 50033/63一1995本规范规定了3CD020B-F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研究、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超普军三级，分别用字母GPGT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器
3、件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布范的规定。1995-12-01实 SJ 50033/63一1995采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2一OlB型及如下的规定。见图1。1一PR. q U1 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值paz 1 V 型号Tc=25C (W) (v) 3CD020
4、B 100 3CD020C 150 3CD020D 20 200 3CD020E 250 3CD020F 300 L 注:lTc25C时按133mW/C的2一当minA 份Ef.b2 0.9 D d F L 8.5 L1 p 4.0 q 22.8 R1 o.l 卤13CD020外形图Vo VEBO Ic Ti (v) (v) (A) (C ) 100 150 200 4 2 175 250 300 。 口1mB2-01B nom 口18X9.8 1.52 1. 1 15.0 3.0 * 3.0 10.5 1. 5 4.2 23.2 9.5 1一基极2一发射极电极接外壳T啕(C ) - 55-1
5、75 SJ 50033/63 1995 3.3.2 主要电特性(TA=25t) hFE1 VCE酣1) VCE=5V IC1 = 1. 0A 极lC= 1.0A; I=0.5A 限型(V) 号飞d最大值黄:40-803CD020B-F 绿:60-1201.5 蓝:100-180一二注:1) 1 C1和IS1为3CD020B-C的测试电流;I和182为3CD020D-F的测试电流。3.4 电测试要求VSE皿tI h R(由)j-c IS1 =0.2A V=5V V= 10V 182 = O.IA IC = O.IA lc= 0.5A f= lMHz 25C :; TC:; 7 5 c (V) (
6、MHz) (C/W) 最大值最小值最大值1.8 3 7.5 电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。测试或试验(见GJB33的表2)7.中测试ICB01和hFE18.功率老化功率老化条件如下:Tj = 162.5 :t 12.5C VCE=25V Ptot13W 9.最后测试按本规范表1的A2分组ICB01运初
7、始值的100%或100队，取较大者 h FEl :;初始值的土20%4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定。3一SJ 50033/63一19954.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 检验或LTPD 符号单位方法条件最小值最大值A1分组GJB 128 5 外观及机械检20
8、71 A2分组5 电极发射极本范发射极基极开. , V(BR)刃击穿电压附录AIc= 3rnA 3CD020B 100 V 3CD020C 150 V 3CD020D 200 V 3CD020E 250 V 3CD020F 300 V 发基极2.9.2.2 集电极基极开V(BR)EH3 4 V 击穿电压IE= 1rnA 集电极基极2.1 发射极基极开路;I到:1200 A 截止电流V= VCIlO 电极发射极2. 1. 4 发极开路;Io 400 A 电流V=0.5Vo 电极发射极2.3 VCE副1.5 V 饱和电压3CD020B-C IC1 = 1A;IB1 =0.2A 3CD020D-F
9、I= O. 5A; IB2 =0.1A 脉冲法(见4.5.1)基极发射极2 .4 VBE酣1. 8 V 饱和电压3CD020B-C IC1 = 1A;IB1 =0.2A 3CD020D-F I=0.5A;IB2=0.1A 脉冲法(见4.5.1)正向电流传比2.8 V=5V hFE1 40 180 3C到nOB-CIc= lA 3CD020D-F 脉冲法(见4.5.1)一4一SJ 50033/63 1995 表1GB 4587 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值A3分组5 高温二作:TA = 125士5t集电极基极2.1 发射极开路;I CB02 2 mA 止电流V=0.7V
10、妇低作:TA = - 55C hFEQ 20 正向电流传比2.8 V=5V 3CD020B-C Ic= lA 3CD020D-F 脉冲法(见4.5.1)A4分组5 h 特率2.11.2 V=5V 3 MHz Ic=O.lA f= lMHz A5分组10 安全工作区Tc=25C (直流)t = ls.单次1 V 10V Ic=2A 试2 V=20V Ic= lA 试验33CD020B VCE= 100V Ic=64mA 3CD020C V= 150V Ic=33mA 3CD020D V=200V Ic=20mA 3CD020E VCE=250V Ic= 14mA 3CD020F V=300V I
11、c= 10mA 最后试:见表4步骤1和3一5一检B1分组可标志耐久性B2分组热冲击(温度环)密封a.到回信E研咂b.粗检最后试:四分组稳态工作寿命最试:B4分组(仅对GCT开帽内部目检(设计核实)键合B6分组高温寿命(非工作状态)最后试:方法C1分组外形尺寸2066 口分组热冲击1056 璃应力)引出端强度2036 密封1071 6一SJ 50033/63 1995 表2B组方法2026 1022 1051 1071 1027 2075 2037 1032 GJB 128 条件低-55C 其余为条件F试验条件HF 见表4步1和3Tj=162.5士12.5CV=25V Plot13W | 见表4
12、2和4条件ATA=175C 见表42和4表3C组GJB 128 LIPD 符号条f中15 见图110 试验条件B试验条件A外加力:20N时间:10s受试引出端:2 LTPD 15 10 5 每批个盲目II 。失效20(C=0) 7 极限单最小值最大值位町50033/631995 续表3GJB 128 限值单检LIPD 符号位方法条件最小值最大值细检漏试验条件Hb.粗条件F综合/湿度1021 期试外观及机械检2071 最后测试:见表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 变频2056 加速度2006 最后测试:见表4步骤1和3c4分组15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 c6分组稳态工作寿命10
13、26 Tj=162.5士12.5CVcE=25V ;1.= 10 Ptot13W 最后测试z见表4步骤2和4c8分组热阻15 热阻GB 4587 VCE= 10V R(由)j-c7.5 C /w 2.10 Tc=0.5A 25C Tc75C 表4A组、B组和C试步|GB 4587 极检符号单位方法条件最小值最大值1 电极基2.1 发射极. , I刷0.2 mA 极截止电流V= VCBO 2 !集电极一基2.1 发射极基Im 0.4 mA 极止电流V= VCBO 3 |正向电流比2.8 i hFE1 40 180 V=5V 3CD020B-F I Ic= lA 脉冲法(见4.5.1)4 l正向电
14、流比、I2.8 I D. hFEI) 初始值V=5V 的土25%3CD020B-F I Ic= lA 脉冲(见4.5.1)注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备一7一8一 Z. u . 曾量.VI :- t-.: .If o. 一-.-SJ 50033/63 1995 Tc = 25C 一一-0_ 一一L.-&_O_一一- -_- 1_ . . -.一.-0.011一一- 一-. o. 0 集电极一发射极电压V(V)图23CD020的直流安全工作区A(标准的附录)电极一发射极击穿电压制试方法Al 目的试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2
15、 测试电路图Rl -VCE 1 I G + 、A 图Al集电极一发射极击穿电压测试电注:在测试电流时，电流表的接头之上可看成, 电作因电的校正。A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，器件为合格。试方法用于衰现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环塘血度TAb. 测试电流Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负本规范主要起草人:蔡仁明、佟桂云。计划项目代号:B21006o。9一
