1、 中FL 5961 8J 50033/83 1995 P 目日日吕 ! I 1 8emiconductor discrete device 由主曰Detail specification for type C8139 silicon P-channel M08 enhancement mode field-effect transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施一一中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail
2、 specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect lransislor 1 . 1 主题内容臼50033/831995 本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采啊。1. 3 分类本规。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586 84 场效应晶体管测试方法GB 7581 87 半导
3、体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项坚求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层中华人民共和国电子1995-05-25发布证等级为普军、特军和超1995-12-01实施臼50033/831995 引出端材料应为可伐或其他合金。引出端表面涂层应为镀金、料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用硅P沟道MOS增强型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按G
4、B7581的A401B型及如下规定，见图1。引出端极性22.栅极3.漉极4.衬底2一1 J 0.35 吨f.b2 。对引出端材, 臼50033/831995 r:芒=代号A4 01B 符号尺最标A 4.32 h b l 份20.407 ;D 5.31 ;1 4.53 0.92 J k 0.51 L 12.5 Ll 图1外形尺寸3.3 3.3. 1 P丛TA =25t (mW) 100 定值和主要电特性10 V凶(mA) (V) 15 -15 VGO V(揭(V) (V) :t 20 土20注:1) TA 25t，按0.8mW/t的速率线性3.3.2 主要电特性(TA=25t) 。参数符号(单位
5、)试条V GSC !hl1 (V) Vos = -10V 10 = 10A VSB =OV IY也i(s) Vos = -10V 10 =3mA f = 1kHz VSB =OV rOS(cnl1 (kn) Vos = -10V 10 = l mA VSB =OV VOB (V) 一20件2.54 1. 04 盯1口1称最大5.33 1. 01 0.508 5.84 4.95 1. 16 1. 21 25.0 1. 27 VGB VSB Ti和T啕(V) (V) (t) 土20-20 -55-+ 150 极最最大-2 -6 500 3 3一SJ 50033/83 1995 参数极限值符号(单位
6、)试条件最大r IlS(off) (0) VIlS = -10V 107 VGS =OV VSB =ov 3.4 电测电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5 标志器件的标志应按GJB33的规定。3.6 静电放电保护本规范适用的各种器件有静电保护的要求(见6.4)。当下述步骤证实时，在B组和C组静电放电(ESD)失效的器件不作为整批失效计数。ESD失效电特性za. (主失效模式)。b. rOS(圳大于40000(副失效模式)。c. I Yf I低于50S(副失效模式)。d. V GS(th)下漂(副失效模式)。ESD目检特性证实:a. 栅破1互理工小而暗的短路7民皿。b. 在扫描电子显微
7、镜(SEM)下观察放电和栅氧化层。在某分组给定的步骤中，若多于两个失效呈现ESD失效判据，那来，需要另外作深入的失效分析，以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效。4 4. 1 抽样和检抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1限值的器件应予剔除。选测试或试验(见GJB33表2)3 热冲击低为-55t:, 为+150t: 5 密封不要求6 反TA = 125t:, VGS = 16V, VIlS = OV 4一4.4 (见GJB33表2)7 中间测试8
8、 电老化9、最一致性检验SJ 50033/83 1995 表试试V剧创、rOS(on)1、I口创011)1; tHO(oIf】1=初始值的100%或2nA，取较大者Er四时12初始值的土10%; AVGS(削=初始值的士10%或0.2V，取较大者。TA = 125t , Vos =-12V, VGS = OV 本规范表1的2分组:IO(oIf)1 =初始值的100%或2nA，取其较大者:r回时E=初始值的士10%; VGS(由=初始值的土10%或0.2V，取较大者质一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验
9、应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步嘛lJ。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。A1分组外观和A2分组电流电流电压方法GJB 128 2071 4 2.2 6 表1A组检验GB 4586 LTPD I符号条件5 5 I Vos = -lOV VGS = VGB = OV VGS = -lOV I IGBS Vos = VSB = OV E VGS(由)11I Vos = -lOV VSB = OV Io =
10、 10A 极最小值|最大单位一一0.1 A I 0.01 I A -2 -6 V 5一臼50033/831995 1 GB 4586 检LTPD I符号ll l单位方法条件最小值I:最大值态电阻15 I VGS = -10V I r o;(on)1 I I 3000 I 。VSB 0= OV 10 = l mA 击穿电压G2 Iv= VBS =OV I V(BR)民|- 15 I v 10 = 1A 穿电压G2 开I V(BR)OB I -20 I V VGB = OV 10 = 1A 衬击穿电压G2 IV牺)SBI - 20 I V VGB = OV Is = 1A A3分组5 高作gTA
11、= 125t , . 电流4 I Vo; = - 10V 11阳off)2I 5 A VGS = VGB =OV 极泄电流2.2 VGS =- lOV hB 1 A Vo; = VSB =OV 阀电压6 1 Vo; 10V IV倒州I-1. 5 I -6.5 I v VSB = OV 10 = 10A 态电阻15 Iv岱=- lOV 0;(on)2 I I 5000 I Q VSB = OV 10 = l mA 低作iTA = - 55t 阀电压6 I Vo; = - 10V IVI -1. 5 I -6.5 I v VSB = OV 10 = 10A 电阻15 Iv= - 10V r o;(
12、on)3 I I 3000 I 。VSB = OV 10 = lmA A4分组5 号共源短路正10 V o; = -10V 11 Yfsl 500 s 向跨导10 =3mA VSB = OV f = 1kHz 号共7 Vo; = -10V 6 pF 入电容VSB =Ov VGS = - 10V f = lM1-也6一检小倍号共源短路反馈电容AS、A6和A7分组不适用检验或试Bl分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(密封a. b. 最后测试B3 稳态工作寿命正偏)最B4 开帽内部自检(设计验证)键合强度B5分组不适用B6 分组环)高温寿命:(不工作)最后测试:11 臼50033/831995 续
13、表1GB 4586 极方法方法2026 1022 1051 1071 1042 2075 2037 1032 LTPD 条件VIlS = -19V VSB =OV VGS = - 10V f =IMHz 表2B组检验GJB 128 条符号C . 件F, 应为-55t试坠条件H试验条件C见表4，步骤1-2、3、4和5条件ATA = 125t VIlS = - 12V VGS = OV 见表4，步骤1、2、3、4和5A 每个器件所有的内部引线分别进行拉力TA = 150t 见袤4，步骤1-2、3、4和5值单位1. 5 pF LTPD 15 10 5 每批一件，零失效。20 (c=O) 15 7 一
14、7一检Cl分组尺寸C2分组或试热冲击(玻璃应力)引出端强度密封a.细b.粗综合温度/湿度周外观及机械检最后测试:C3分组冲击动恒定加速度最后试c4分组盐气(适用时)C5分组不适用C6分组稳态工作寿命(高温正偏)最后测试步检验或试1 泄电流寸2 电流8一时50033/831995 表3C组检验GJB 128 方条件2066 见图11056 |试验条件A2036 E 1071 试验条件HC 1021 2071 见表4，步1、2、3、4和52016 2056 2006 见表4，步1，2、3、4和51041 1042 A TA = 125t Vos = -12V VGS = OV 见表4，步骤1-2，
15、3、4和5表4B组和C组的试GB 4586 符号方法条件4 Vos = - lOV Ios旺。ff)lVos = VGB = OV 2.2 VGS =-10V IGBSl Vos = VSB = OV LTPD 15 10 10 15 = 10 极限单位最小值0.1 A 0.01 A 时50033/831995 续表4GB 4586 极步检或试符号尊位最小值方法条件3 电压6 Vll5 = - lOV VGS( -2 -6 V VSB = OV 10 = 10A 4 源通态电阻15 VGS =-10V r ll5(on)1 3000 。VSB = OV 10 = 1mA 5 源击穿电压G2 V
16、GS = VBS = OV V(BRl凶-15 v 10 = 1严A -5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内背:a. 本规范的名称和编号:。hu 级(见1.3.1);C. , d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可以合同或订货单中规定。6.4 作MOS型器件必须采取必要的预防措
17、施，以免因静电累积而损坏器件。推荐以下作方法(见3.的。a. 器件应在表面导电并接地的工作台上操作。b. 操作器件的人员及有关试验设备、工具均需接础。C. 手持器件时不要触及引线。d. 在导电泡沫或载体中贮存器件。9一臼50033/831995 e. 在MOS区域内应避免使用塑料、橡胶或丝刑。f. 若有可能.应保持相对湿度大于50%。g. 在试验和排除故障期间，应注意对任何引线施加的电压不得超过最大h. 捕一惊施加偏置电压时，栅一源之间必须接R小于100kO的电阻。6.5 型号对照CS139的厂用型号为3C01。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、上海无线电十四厂和七四六厂共同起平。本规范主要起草人:王长福、刘美英、m阳。计划项目代号:B21011。一10一
