1、中FL 5961 电7 ! , 1 提I、飞_.，uv ., I .:1: 晶1吕Semiconductor discrete device SJ 50033. 53 94 Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave Power field effect transistor 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS 0530、CS0531型碑化镀微波功率场1 范围1. 1 应晶体管详细规范Semiconductor discre
2、te device Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave Power field effect transistor 内容SJ 50033. 53 94 本规范规定了CS0530、CS0531型呻化要求。功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细1.2 适用范圃本规范适用于器件的1.3 分类本规范根据器件1. 3. 1 器件的等级、生产和采用。证等级进行分类。 按GJB3325C时，按15.2mW /c线性降酬3.3.2 主要电特性CTA=25.C)符I田SV GS(offl gm Vos=3V. 号V田=3V
3、.VGS=OV. (mA) V田=3V.lo=30mA (V) Ioss Vos=-6V. VGS=OV. A)10起0.51瞄(mS) 型CS0530 CS0531 符最小值l最大250 700 R恤)J-e最最大值|最小值|最大最一1.5一5.5400 100 PO(ldB G,.(ldB) Pro.=1.6W V田=8-10V.10:0.51田s.fop=8.低:THz，极号加热时P. = 19dBm(CS0530) .P. = 22dBm(CS0531) 院点100ms (C /W) (dBm) (dB) + 型号三边最小值最大值最小值最大最小值最大值CS0530 25 6 66 CS
4、0531 27 5 3.4 试要求电测试应符合GB4586及本规范的规定。3. 5 标志本器件极性标志见图1.器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4 质量保4. 1 样和检验抽样和检验按GJB33和本如范的规定。4.1.1 关于结构相似器件抽样的规定、最大1J.dd 超过A级检验极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。LTPIJ 件 10 15 =10 限单位最最大值1) 的士30%mA 初始值的士30%V I 400 A I 800 A -7一SJ 5003
5、3. 53 94 6 说明事项6. 1 预定用符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料6.2.1 合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级见1.3. 1) ; C. 数禀Fd. 需要时，其他要求。6.2.2 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2. 1)。6.2.3 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 型号对照本产品企业原用型号分别为WC563、WC55. -8一盯50033.5394 一一 场费生应晶体压益增贝以分益1增附景A出功率和1分贝增加拉率的到司为结压野营Ll二字(补充件A
6、1 目的测妙应晶体管在规定条件下的i分贝增益压出功率PO(ld耶和1分贝增益压91;:功益C川d扣及功率附加效率弘dd.A? 河I!试方挥目;二在丰可丁一-_，一一叫定精合器Ii _J=1f I -1 匹配网络!A Hvt1-二百立J J ! i ./工1-一r-J!如中，飞匹跤吨吃离可变/习衰减器一眩定衰减搀广寸_-偏.网络飞，-寸-一-一b一咱叨一-rt1D V V V )5 + 一图Al蜿效同晶体管P0 ldB)手11GP飞，.lB.及市、dd测试框罔A3 测试原理见图Al。被测器件的输出功率矶和输入功率凡，由下述关系式导出:P1 = Pl Ll (Al ) P0=P2-L2 .、龟.
7、( 12) 此处Pl相P2分别为功率计l和功率i十2指水的数值，Ll和L2甘号1I旦1人AJEL俨lB点及C点到D点的电路损施。由(1)式和(2)式导出功率增益Gp:CPtzi OLogPJJ-vau. . . v扣。何，._u(八3)9 -一SJ 50033. 53 94 A4 的作用是使加到被测器件上的功阻抗失配时保持恒定.装在散热良好的测试夹具中，电路损辑Ll和L2阻抗匹配网络应尽可能处于匹配状态先测得，在测量Ll和L2时件要入和输出A5 测试步把射频信号摞的频率调整到规定值，将器件的飞压VGS(峭的数值，调节漏一摞电压到规定值，改变V，加到接近测试PO/P贝1(r阳x阳ef)应基本上与
8、输入功率无关。增加输入功率直到功率增益下降到比Gp(仕E呻e分贝时的输出功率为1分贝增益压缩输出功率，而此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增益.把输入功率加到规定值，澜量输出功率，并测量对应的漏摞电压和漏电流.功率附加效率按下式计异:A6 规定条件环境温度TAF _ JI电压V凶F极电流10;工作频率fopI 入功率丑。时目的节.dd-(P。一P1)!VOS lD) 100%(A 附录B场娘应晶体管热阻的补充件法jJ 晶体管在规定条件下沟道至管壳的热阻Rrh)j-c。B2 电路固一10一82 81 R 1001 十 一83 测试原理、10 A 1001 SJ 50033. 53 94 G 立I
9、v锢一-D s 图B1场效应晶体ID 83 A + V国Voo v -试电路图以道温度的开路，感特性。固定的栅正向电流IoF时的向电压VGSF为测量场效应晶体管的沟83. 确定校准曲线VGSP= fT川，见图B2，该曲线上Tj- TA ，直线的斜率是栅一源正向偏压的温度系数:a = LW SF/ ，1Tj(B v . 飞(0. lV /格斗丰fTJ-e 。斗 f:. V GSP. ? 图B2计算用校正曲线的.2将一个固定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，(AVGSF)，测热阻扎th)j-c由下式计算求何t们ooC/格一源正向偏压的变化R(b )J-c -，1VGSF/( VDS In) .(B
10、2) -11一SJ 533. 53 94 -一一一一一一一一 一一时电路说明及要求电路R棺材于静杏楞楞输入电阻骂骂足够犬，叫保证费1丁向传Ij流句VG:非f;ff也可用f直流摞取代。正!再电压时蹦极有f宣E苦的时制试tfzg辈B51 1财富将被测器件安装在加热块_l:(或放在恒温箱里)，按图1所示与电路连接b开关S2、Sa断开.S1闭合，调整VGG1使栅摞正向电流为一特定值1G(rn ，该值应较小，以使因其引起的Tj升高吁以想略。建立标准此吱VwrJJT，e!在f勾引1，11棋块的程度时应TjuZT达到!如乎?27日命于手共玩吧?wi王可每捏在干的棚精Er7l电i21乱根据测量值画出直线，由直
11、线的斜率算出问= .1V GSF/ .1Tj (B3) 时.2测量R(th)j叮桥理4辛辛宇主苦挣7四川所示电路中.将热乎吉普后开始测量。割rte q 理中应保持管壳温盟差不，_棉酣凰刷品._-响咀4品_._-幽时，叶辆也叫叩町_.J.耐币制咽圃幅幅自町嘟一咽- , h 岛主t市14 ,-: 因B3H水冲时!于示意阁t=t1SII百合，测量栅一惊正向电压VGSFl。t f r b?几断开，82、83闲合，测量(V悦和I口，VnD和VGGS预先调好，使V和In为规定值Tl过后，即z=f3，达到有与平椅。S2、S3晰开。t通常为几百个辈秒。经过延时时间巧.1Wt二rh时S11奇合，测量此时的栅一源
12、正向电压VGSF2，o改变2，保持其它条件不变，重复上述测试步骤吩并测量VGSF20根据测量值，建立曲线VGSf2.=/(2)见图B4。v lSF 忡.1 i/梅VGSF1 V俑FZ( 0) O. 6 0 一甲 . -+ VOSI2 / / L t( ms格1国B4延时时间2与V/;SF2关系曲线由图Bh推出2= 0时，VGSFZ = V GSFZ(的，则R(th)j-c由下式求得:R(由，;一，= (创F2(0)-VGSF1J/C，V!D)(B4) 12 SJ 50033. 53 94 -B6规定条件 TAI TCI 向电流1G(ref川电流10电压Voss 本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负本规范主要起草人z黄玉英、李祖华、王长福.计划项目代号:B21075，B21076 一13一
