1、中:FL 5961 1994-09-30发布电、，、SJ 50033. 56 94 主Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CK85 silicon switching diode 1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CK85型硅开关二级细规范SJ 50033. 56 94 Semiconductor discrete dcvice Detail specification for type 2CK85 silicon switching diode
2、 1范1- 1 主题内容本规范规定了2CK85型硅开关二级管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适应范围本规泡适用于器件的研制、生产和采购。1- 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。证等级为普军、特军和超特2 引用文件GB 4023 86 半导体分立器件第2部分:整流二级管GB 6571 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器试验方法3
3、 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3- 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜包铁丝(材料号:101肘，引线涂层应镀锡或漫锡，对引出端另有要求时，中电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实-.1一可在合同或订货单中规定(见6.3条)。3. 2. 2 器件结构SJ 50033. 56 94 在器件芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构.这种器件为玻璃封接非空腔结构。jj. 2. 3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的D202A咽.见图10符号N 司且L LI
4、 代号区立G L Ll L21) H 口1m注:1 )L，为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。图l外形图3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定号PM J) V盹VRWM 10 型(mW) (V) (V) (mA) 2CK85A 45 30 2CK85B 60 40 300 100 2CK85C 75 50 2CK85D 90 60 IN 志注:1) TA 60 c时，按3.33mW / C线性降棚，-2一曲线见图2。申Dmm D2 02A 盯1RX1FSM Top Tstg (mA) (C) ( C) 500 55-150 55-175 SJ 5003 3- 56 94
5、3. 3. 2 主要电特性T ,=25C VF 1 R IR2 t (、lr = 100mA VR = VRWM VR = VRWM lf = 1R = 20mA f -0, 5MHz 型号TA=150C R, =500 V、50mV V -OV CV) (A) (A) (ns) (pF) 2CK85A 2CK85B 运1;:0. L 三二50达50运302CK85C 2CK85D 3- 4 电测试要求电测试应符合GB4023、GB6571及本规蓓的规定。3- 5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标志:a. 制造厂的识别;b. 检验批识别代码。3
6、- 5. 1 极性标志器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性G4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33的表2和本规程的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范去l极限值的器件应予以剔除。筛选CGJB33)表2濒t试或试验3.热冲击除低为一55C .循环10次外，其余同试验条件Fo4.恒定加速度不要求5.密封不要求6.高温反试验条件A.VR = VRWM ,t = 48h 7.中间电参数测试Vf，、1Rl8，电老化lr = 1. 51o.t = 96
7、h.TA = 25士5C表1的A2分组(直流参数); 9.最后测试t.VF =初始值变化的土50mV;.J1R1 =初始值的100%或20nA.取较大者。-3一 SJ 50033. 56 94 4.4 质量一致性检验质量致性检验应按GJB33和本规程的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规程表2的规定进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4. 5. 1 浪涌电流(IFsM ) 应在二极管正向施加500mAy良涌峰值
8、电流(hSM)井且这些峰值电流应与平均整流电流10 (见3.3. 1)迭加，采用方波脉冲，脉冲宽度为10ms，占空比为2%，浪捅一次。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。表1A组检验GB 6571 极限检或试验LTPD 符号单位方法条件最最大/1分组5 外观及GJB 128 中几2071 A2分组5 击穿电压GJB 128 直流法V 2CK85A 1.3 IR =10A VHRl 45 V 2CK85B 60 V 2CK85C 75 V 2CK85D 90 V 正向电压2. 1. 2 直流法VF 1 V IF =10mA 反向电流2. 1. 1 直流法I
9、R1 O. 1 A VR = VRWM 电甘 2. 1. 3 脉冲法Cj 3 pF VR =OV f =0. 5MHz V吨=50mV反向恢复2. 1. 4. 2. 2 脉冲法t 5 ns 时间/P =10mA IR =10mA RL =500 A3分组5 高温工作:TA = 150 C f. -c-4一SJ 50033.56一94续表1GB 6571 极限值检验或试LTPD 符号单位方法条牛最最大恒温O.5h 正向电压2. 1. 2 直流法VF l V IF =10mA 反向电流2. 1. 1 直流法IR1 50 A VR = VRWI 工作zTA=-55C 恒O. 5h 正向电压2. 1.
10、 2 直流法VF 1 V IF = 100mA 反向电流2. 1. 1 脉冲法IR1 O. 1 A f =50Hz VR = VRWM (峰值表2B组检验GB 128 检验或试验LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 焊料浸渍zT=250士0.5C , t =5士O.5号受试引出端数:2，浸入深度离本体2.5mm处标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 除低瘟为一55C ，循环10次外，其余同( 条件1最后测试g见表4的步1、2和3B3分组5 稳态工作1027 10 = 100mA,VR = VRWM ,f= 50Hz 寿命正弦半彼;t =340h。最后测试g见表4的步l、
11、2和3B6分组7 寿命1032 TA =175 C , t =340h (非工作状态最后测试:见表4的步骤l、2和3B7分组10 浪涌电流GB 4023 hSM = 500mAJo = 10mA、tp= 10m飞VR= WM 3. 2. 4 占空比为2%、浪涌次数:1次、正弦半疚。最后测试g且表4的步骤l、2和3-5一、或试验C1分组外形尺寸CZ分组热冲击(玻璃应力引出端强度拉力弯曲综合温度/湿期外观及机械最后测试gC3分组冲击变频振动试gC4分组盐气(要求时)C6分组稳态工作寿命最后测试g步骤项目1 正向电压2 反向电流3 电容5交5. 1 包装要求SJ 50033. 56 94 表3C组检
12、验GJB 128 方法条件2066 I 见图11056 I试验条件B2036 条件A.受试引出端数:2、F=5N、t= 15士3、条件E1021 2071 见表4的步骤1、2和32016加速度z川OOm/鸣22056 见表4的步骤1、2和31041 1026 I t =1000h. 10 =100mA. f =50Hz. VR = VRW1 见表4的步骤1、2和3表4B组和C后测试GB 6571 极符号方法条件最2. 1. 2 lF =10mA V , 2. 1. 1 VR = V-WM lR1 2. 1. 3 VR =OV CJ f =0. 5MHz V. = 5臼nV包装要求应按GJB33
13、的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。-6一LTPD 15 10 15 15 . =10 限值单位最大l V O. 1 A 3 pF SJ 50033. 56 94 5. 3 运输要求运输要求应按GJB33的规定?6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障片16. 2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. 等级(见1.3. 1) ; C. 数豆;d. 标志;e. 需要时，其它要求。6. 3 对引出端材料和涂层有拧昧要求时.J)在合同或，JFj现;6.4 温度降棚内吱I . mW J 300 。60 国2附加说明:本规范由中同电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体四厂和中国电子技术标准化研究所起市。本规范主要起草人:王启进、吕安良、f志贤。汁划项目代号:B21021oTA (C) 7
