SJ 50923 2-1995 G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半导体光敏器件金属外壳详细规范.pdf

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资源描述

1、,、FL 5961 B B 、l口口龟主I-SJ 50923/2 95 主I , I I哥、 J Detail specification for type G2 01 B M 1、G2一01BZl metal case for semiconductor photosensitive devices 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准G2一01BMl型和G2一01BZl型半导体光敏器件金属外壳详细规范Detail specification for type C2 - 018 - M 1、c2- 018-zl metal

2、 case for semiconductor photosensitive devices 1 范围1. 1 主题内容SJ 50923/2 95 本规范规定了G2- 01B - M1 , G2 - 01B -Z1型半导体光敏器件金属外壳(以下简称外壳)的详细要求。外形代号按附录A光电子器件金属封装外壳命名方法(参考件)确定的。1. 2 适用范围本规范适用于G2- 01B - M1 , G2 - 01B -Z1型及同等结构的探测发光和光敏器件金外壳的研制、生产和采购。2 引用文件GBn 101 81 GJB 128 86 GJB 923 90 铁锦钻玻封合金4J29技术条件半导体分立器件试验方

3、法半导体分立器件管壳总规范SJ/T 10587.1 93 DM 305型电子破璃技术数据臼/T10587.2 93 DM 308型电子玻璃技术数据-3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合本规范和GJB923的规定。3.2 设计、结构和材料要求3. 2. 1 设计、结构应符合GJB923的规定。3.2.2 材料要求3.2.2.1 外壳选用的金属材料应符合GBn101的要求。3.2.2.2 绝缘子破璃应符合日/T10587.1和SJ/T10587.2的要求。中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996- 1 0-01实施1一SJ 5092312 95 1.6 尺寸外壳的结构尺寸应符合

4、图1-图2的规定。3.3 其余0.10 瞌94 的-OH们的由。.。,同国间。+的-m RO .1 A + 0.048 .。6.3 1俨 1 同时.G2 01B Ml尺寸图l2 SJ 5092312 95 已4丰旦- ,、I /),1 N 同-o叭。.()刊沁川UN、沁、飞飞RO.l I 30:1 时.C盯。.()门村mN6.l l l 0.6 .45 图2G2 01B Zl尺寸3.4 性能3. 4. 1 镀层厚度管座、管帽金属表面全部镀金或镀镇,其厚度分别为:金层厚度:1. 27 -3.0m; 锦层厚度:1.3-8.9m。3.4.2 绝缘电阻管座极间绝缘电阻分为二级:A级不小于1X1090;

5、B级不小于1XlO110o3.4.3 密封封帽前进行核质谱检漏,底座和管帽的漏气速率不大于1X10-3Pa.cm3/s。3.5 外观质量3.5. 1 金属表面的角或边上,不允许有明显的缺边、缺角。3一SJ 50923/2 - 95 3.5.2 金属表面不允许有明显的裂纹。3.5.3 有效区不允许有明显的凹坑、凸起、起皮及机械划痕。3.5.4 引线压焊端面应平整、光洁。3.5.5 任一引线根部不允许有径向腐蚀而造成的细颈。3.5.6 透镜光窗应透明无明显杂质、裂痕,透镜呈无色或相应的颜色,透镜表面应光滑无凹坑,透镜光轴与管帽轴线无明显偏离。透镜内部不允许有正常视力下可见的明显气泡。3.5.7 玻

6、璃绝缘材料表面应光洁、致密,不允许有明显的孔洞、麻坑,封接玻璃不允许凸出底座的上底面,但允许向底平面内凹O.2mm.非玻璃封接面不允许有残留玻璃。3.5.8 金属层应呈镀层本色,且致密、均匀、清洁,不允许有明显发花、锈蚀。3.6 标志标志应按照GJB923中3.6条规定并作以下补充:认证合格标志、水。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验要求及检验批的构成应按照本规范和1GJB 923的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB923的规定进行,检验项目和要求应符合4.3条和4.4条中A、B、C组检验的规定。4.3 筛选筛选应按表1规定进行。表1筛选筛选项日引用标准条件和要求抽样要求1、

7、外观检验1) 符合本规范3.5条规定。100% 2、绝缘电阻测试GJB 923附录D试验电压100V03 符合本规范3.4.2条规定。3、密封1) GJB 923附录D符合本规范3.4.3条规定。05 注:1 )也适用于管帽。4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按A、B和C组要求进行检验,并按本规范规定进行固定抽样或LTPD值抽样。4.4.1 A组检验A组检验应包括表2中规定的检验和试验。4一SJ 50923/2 95 表2A组检验全部检验是非破坏性的检验或试验分组引用标准条件检验要求样本大小/接收数或LTPDAl分组5 外观GJB 128 在正常照明和正常视2071 力条件下进行外观目检,

8、有争议时用10倍按本规范3.5条规定。的放大镜检验A2a分组15 尺寸GJB 128 用相应精度的量具或符合本规范3.3条规定。2066 专用量具检A2b分组5(0) 镀层厚度GJB 923 在管应外表团和下引符合本规范3.4.1条规定。D2 线中部各测一点在管帽的外表面任测两点。A3分组5 绝缘电阻GJB 923 试验电压100VD3 符合本规范3.4.2条规定。A5分组5 密封GJB 923 按规定符合本规范3.4.3条规定。D5 注:管帽只进行Al、A2a、A2b和A5分组检验。4.4.2 B组检验B组检验应包括表3中规定的检验和试验。表3B组检验标明(D)的是破坏性试验样本大小/接收检

9、验或试验分组引用标准条件要求数或LTPDBl分组1)7 引出端强度:GJB 128 外加力:2.5N引线不允许有折断、松动或引出弯曲(D)2036 受试引线数:全部线与完体之间的相对移动。引出线,弯曲度数90. ,弯曲次数3次90.往返为一次。B2分组I) 10 可焊性GJB 128 受试引线数:全部引线至少90%覆盖层无间断的5一SJ 50923/2 95 续表3检验或试验分组引用标准条件要求2026 引出线新的焊料涂层。在试验前允许使用助剂其余按规定。B4分组键合强度GJB 128 GJB 128,表2037逐步增加拉力到规定的最小值,2037 1最低键合度要求键合点不脱落。试验条件AB6

10、分组耐热GJB 923 严格度:镀层不允许起皮、起泡、脱落,D6 温度400:t3(; 镀金层色泽不允许有明显改变。时间:15mmo气氛:空气B7分组热冲击(玻璃应GJB 128 试验条件A力)1056 密封GJB 923 漏泄率符合本规范3.4.3条规定。5注:管帽只进行固和B7分组试验。1)LTPD值适用于受试管壳的引线数,且受试管壳不少于3只04.4.3 C组检验C组检验应包括表4中规定的检验和试验。表4C组检验全部检验是破坏性的检验或试验分组引用标准条f牛要求C2分组热冲击(温度循环)GJB 128 试验条件C,循环玻璃光窗及绝缘子无裂纹、1051 次数10次。破裂及脱落。密封GJB

11、923 按规定符合本规m3.4.3条规定。D5 分组综合温度/湿度GJB 128 f盾环10次周期试验1021 绝缘电阻GJB 923 样品在室温环境下,A级不小于1X108n;B级不D3 放置24h后,进行小于1XlOlOn绝缘屯阻试。外观GJB 128 符合本规范3.5条规定。2071 6一样数本或大小/接收LTPD 10 10 15 样本大小/接收数或LTPD15 5(0) SJ 50923/2 95 4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按照本规范规定进行。5 交货准备交货准备应符合GJB923第5章规定。6 说明订货资料应给出:a. 完整的外壳代号;b. 详细规范编号;c. 外壳的镀

12、层种类;d. 如果外壳的外形尺寸不符合3.3尺寸时,应另外给出外形尺寸;e. 有其他特殊要求的,应详细给出。一7一时50923/295 附录A光电子器件金属封装外壳命名方法(参考件)Al范本附录规定了光电子器件金属封装外壳的命名方法。A2 外形代号的组成第一部分:用字母G、H,I表示按结构形式分类的外形系列。第二部分:用数字L2,3.表示外壳的引出端数。第三部分:用顺序数字01-99表示外形类型。第四部分:用字母代号A、B、c表示尺寸规格号。第五部分:用字母M表示帽;Z表示底座;P表示配件;Y表示引线;K表示框架。注:带极性的底板、螺栓等不在引出端数内。A3 各系列采用的字母符号及含义G系列:单端寻|线的光电器件外形(包括圆型发射器件和探测器件管壳)0 A4 应用举例:H系列:螺栓安装的光电器件外形。I 系列:轴向引线的光电器件外形。8一G 2 -01 B -寸-SJ 50923/2 95 Z1 第一种类型第二种尺寸规格第一种外形类型二根引出线带光窗的单端引线光电器件外壳附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由诸城无线电零件厂、中国电子技术标准化研究所起草。本规范主要起草人:陈建张彦袱。计划项目代号:B310359一

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