1、-UDC 661. 868. 146-415 H 81 J伎共直单目目因GB 1109 3-8 9 及切割Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices 1989-03 31发布1990-03 01实施国家技术监督局发布一一一一一一一一1 中华人民共和国国家标准液封直拉法碑化镇单晶及切割片Liquid encapsulated czochralskl grown gallium arsenide single口ystalsand As-cut slic回主题内容与适
2、用范围GB 11093-89 本标准规定了液封直拉法呻化惊单品及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于液封直拉法制备的畔化鲸单品及其切割片产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用2 3 引用标准GB 4326 GB 8759 GB 8760 产品分类3. 1 导电类型非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法碑化像单品位错密度测量方法产品按导电类型分为N型和P型，按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型。以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按位错密度分级。3. 2牌号单品及切割片的牌号分别表示为2旦旦旦生o-o中国有色金属工业总
3、公司198!t02-23批准耐拉伯数字与罗马数字组合表示产品的等级与等次学元素符号表示掺杂剂有两种掺杂剂时，元素符号之间用“十”连接示液封直拉法碑化惊单晶1990-03-01实施1 . 11093-89 GB 阿拉伯数字与罗马数字组合表示产品的等级与等次口口切割片学元素符号表示掺杂剂有两种掺杂剂时，元素符号之间用“十”连接示液封直接法碑化综单晶若牌号表示不强调产品生产方法，产品不掺杂或不分级，则产品牌号的相应部分可省略。3. 3示例LECMGaAs Si-llll表示液封直拉法掺硅级三等碑化嫁单晶。LECMGaAs-Te-2!表示液封直拉法掺暗二级三等抑化嫁单晶。技术要求4 单晶单品生长方向为
4、（100）、（111）或（110）品向低阻N型单晶的规格尺寸、掺杂剂、裁流子浓度、迁移率和位错密度应符合表1的规定，表1载流子浓度迁移率位错密度直径长度牌号掺杂剂个cmm归、个cmcm/V s ”、自1不大于不小于LECMGaAs-Si !Ill 5XJO 1XI05X!OB1 300 2 400 LEO-在GaAs-Si-llVJXJO 20 40 LECMGaAs Si-2lll Si 5X101x10 2 400 3 000 5X 10 LECMGaAs-Si-31 1 JO 40 55 40 1 I 05 10 I 300 3 500 LECMGaAs-Si 、商定55 76 LECM
5、GaAs-Te-llV IX 105 XI 0 2 000 3 000 JX JO 20 40 LECMGaAo-Te-2III 5X JOlX 10串2 500 3 000 5X JO Te 寸1LECMGaAs-Te-31 1 X JO2 10 2 500 3 800 I XIO 40 55 LECMGaAo-Te 1x105X 10 2 000 3 800 商定55 76 4. 1 4- 1 4. 1. 2 高阻单晶的规格尺寸、掺杂剂、电阻率和位错密度应符合表2的规定。4. 1. 3 2 GB 11093- 8 9 表2位错密度电阻率直径牌号掺杂剂个cmQ cm mm 不大于LECMGa
6、A&-Cr-Zl Cr ZX 10 LECMGaAs-Cr十O2!Cr十020 40 LECMGaAs-Cr号zmCr 5 IO LECMGaAs-Cr十0-2田。o1 IOIX 10 LECMGaAs-Cr-3! Cr IX 10 40 55 LECMGaA&-Cr+0-31 。oLECMGaAs-Cr 。商定55 76. LECMGaAa-Cr+O Cr十O4. 1. 4单晶按位错密度分为三个级别每级分为若干等次，并应符合表3的规定表34. 1. 5 4. 1-6 4. 1. 7 级别等次IT 1 Ill IV 2 II lll 3 单品的一端或两端应按所要求的品向切出基因，该面应平整单品
7、不得有气孔、裂纹和孪晶线。单晶直径的允许偏差由供需双方商定。位错密度干cm不大于IX 10 、5 10 2 1 O 5泛IOIX 10 2 1 o 5 10 IX 10 4. 1. 8 对热稳定性有要求的高阻单品，其退火条件及热稳定性能出供需双方商定4-2 切割片4. 2. 1 切割片晶面为（100）、（111）或（11的。4. 2. 2切割片厚度为400700阳，厚度允许偏差为土20阳，直径允许偏差为士1min。一一，一t主度自m不小于40 3 GB 11093-89 4.2.3 (111）和（110）品商切割片的形状和尺寸由供需双方商定4. 2- 4 (100）晶面圆形片如图1所示，B1,
8、B2分别为主参考面（011）和副参考面（011）的长度，D为圆形片直径直径40mm和50mm的（100）晶面圆形片的参考面长度以及晶片面积应符合表4规定（晶片面积为参考值。(100）品商其他宣径的困形片的参考面长度和品片面积由供需双方商定,(Oil）士l B1 (JOO) m钊叫同。v”罔图1表4晶片直径D主参考面快度B1副参考面长度B,晶片面积mm n立nE】自1不大于cm 直径偏差长度偏差40 士l13 1 8 12. 5 . 50 士116 士19 19.6 4. 2. 5切割片的表面应平整，不得有气孔、裂纹、孪品线和明显的切割刀痕4. 2. 6需方对产品如有特殊要求，由供需双方另行商定
9、5试验方法、s. 1 碑化嫁单晶的导电类型、电阻率和霍尔迁移率的测定按GB4326进行5. 2碑化惊单晶晶向测定按GB8759进行s. 3碑化嫁单品位错密度观测按GB8760进行s. 4产品的外形尺寸用精度为0.1mm的游标卡尺和精度为0.01 mm的千分尺测量s. 5产品的表面质量用目视检查B检验规则6. 1 产品由供方技术监督部门迸行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。s.2需方可对收到的产品进行检验若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决s. 3 产品应进行导电类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、晶向和外形尺寸的检验s. 4
10、单晶从两端按所需品商切片取样检验s. 5切割片以每根单晶所切得的晶片组批，其参数以单品两端取佯检验数据为准若需对产品其他部4 GB 11093-89 位取祥检验，由供需双方另行商定，s.s如检验结果有一项不合格，则加倍取祥对该不合格项目进行复验，若复验结果仍不合格，则该产品为不合格。7 标志、包装、运输和贮存7. 1 每根单晶装入聚乙烯塑料袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防损伤。7. 2切割片分片放入特制的带有分格的厚泡沫塑料中，再置于适宜的包装盒内，四周用软物塞紧，以防破损7. 3产品外运时，将装有产品的包装盒置于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖回紧。箱内应附装箱单，注明z供方名称
11、、产品名称、产品批号和件数、产品净重和需方名称。外包装箱上应注明z产品名称、产品牌号、批号、产品净重、供方名称、生产日期、需方名称，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志。7. 4 每批产品应附有质量证明书，注明za. 供方名称，b. 产品称： 产品牌号；d. 产品批号：e. 产品净重或面积；f. 各项检验结果及检验部门印记；g. 本标准编号Ph. 出厂日期。7. 5 产品在运输过程中要防止碰撞、受潮和1化学物质腐蚀7. 6 产品应存放于干燥和无腐蚀住气氛处。附加说明本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出。本标准由北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人李光华、邓志杰。c 中华人民共和国国家标准液封直拉法碎化镣单晶及切割片GB 11093-89 中国标准出版社出版（北京复外三里河）中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得自印开本880X1230 1/16 印张1/2字数10000 1990年7月第一版1990年7月第一次印刷印数1-2000 ,. 书号，155066.1-7269定价。.50元 标目141-10口产41l时口户、产一一c F、
