1、一UDC 661. 868. 146-4 5 H 81 共标GB l l 09 4-8 9 石！化鲸单目目目及切害IBoat-grown gallium arsenide single crystals and As cut slices 1989-03-31发布1990-03-01实施国家技术监督局发布. GB 11094-8 9 中华人民共和国国家标准片割切喃及Mm晶叫川单叩阳锦蝉刷刷古法阳平水主题内容与适用范围本标准规定了水平法碑化惊单品及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等本标准适用于水平法制备的耐化惊单晶及其切割片产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用引用标准2
2、 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法碑化镣单品位错密度测量方法GB 4326 GB 8759 GB 8760 产品分类3 3. 1 导电类型产品按导电类型分为N型和P型，按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按位错密度分级3. 2牌号单品及切割片的牌号分别表示为2E些单坐早早:aJ拉伯数字与罗马数字组合表示产品等级与等次学元素符号表示掺杂剂有两种掺杂剂时，元素符号之阴用“十”连接水平法硝化惊单晶1990-03-01实施I 中国有色金属工业总公司1989-02-23批准一一一一一一一一一一一二一一一一一一GB 110
3、94-89 阿拉伯数字与罗马数字组合表示产品等级与等次切割片学元素符号表示掺杂剂。有两种掺杂剂时，元素符号之间用“”连接水平法碑化镣单晶若牌号表示不强调产品生产方法，产品不掺杂或不分级，则产品牌号中的相应部分可省略。3. 3示例EHBMGaAs Si-11表示水平法掺硅一级一等呻化综单晶。HBMGaAsTe臼1111表示水平法掺附一级三等碑化惊单晶切割片4 技术要求4. 1 单晶4. 1. 1 水平法呻化综单晶以（110）品带的近（111）或（211）、（311）和（331）等晶向生长。4. 1. 2 低阻导电型单品的导电类型、掺杂剂、载流子浓度、迁移E辑、位错密度和规格尺寸应符合表1的规定2
4、 GB 11094-89 表1导电载流子浓度迁移率位错密度晶键宽度品键长度掺杂剂个cm个cmmm 类型cm/V s m3 不大于不小于IX IO5X 10 I 300 2 500 100 30 38 Si BX IO5XI0 I 300 2 600 500 30 47 N 8 XI O5XI0 I 300 2 600 Te IX IO5X 10 2 000 3 000 2 000 30 47 p Zn IX IOI x 100 40 150 IX IO2X 10 2 000 3 500 Si 8XIO5X10 I 300 2 600 IX IO5 I 0 I 300 2 500 40 IX J
5、O2 10 2 500 3 800 5X IO N 30 56 Te 5 IO2 I 0 2 500 3 200 IX 10 或2X 10 IX IOsx 10 2 000 3 ooo 30 66 4 XI OI x 106 二注4500 5 IO 、，5 X IO4 IO 二三5000 IX IO4XI0 100 280 p Zn 5X IOI X IO 40 100 4. 1.3 高阻单品的掺杂剂、电阻率、位错密度、晶绽宽度和长度应符合表2的规定。表2电阻率位错密度品键宽度品铠t主度掺杂剂个cmmm Q cm 盯lm不大于不小于IX 109X IO 5 IO 30 38 IX 109X I
6、O 1 I 0 30 47 口或Cr十。40 IX 109 IO 2X IO 30 56 IX JO9 10 5X IO 30 66 4. 1. 4 单品按位错密度分为三级，每级分为若干等次，其数值应符合表3的规定3 一GB 11094-89 表3级!Jtl 等位错密度，个cm次不大于100 n 500 I Ill 2 000 IV 5 000 1 IO 2 II 2 10 m 5X 10 3 IX 105 对热稳定性有要求的高阻呻化嫁单品，其退火条件及热稳定性能由供需双方商定。4. 1. 6 单晶截面为D形单品的一端或两端应按所要求的品商切出基面，该面应平整4. 1. 7 单品不得有气孔、裂
7、纹和孪晶线4. 2切割片4. 2. 1 切割片的厚度为400650m，允许偏差不大于土20m, 4. 2. 2 切割片的品商为（100）或（111），品面偏离度应符合表4的规定，表44. 1. 5 晶面偏离度不大于(100) 0. I (!00）、（Ill)o. 5 (100) 向（110）面偏I6(100）和（111）面D形片如图1所示，其晶片尺寸应符合表5的规定（品片面积品或s，为参考国,A , / / / , ( 100 ) ) 1 1 1 t. 4. 2. 3 值。w 图14 品片宽度W自1町、- 30 38 39 47 48 56 57 66 (Ill）晶片高度Cm自11519 19
8、.523.5 2428 28.5 33 GB 11094-89 表5(100）晶片高度B(Ill）晶片面积s,mm cm 2532 3.5 5. 6 33 40 68 6 41 47 912 48 56 1317 4. 2. 4 (100）晶面的矩形片如图2所示，其规格为（104日mmX(lO30)mm.( 0 1 1 ) ( 0 1 1 ) 剑。( 100) a 图2(100）品片面积s,cm 5 9 1014 1522 2330 4. 2. 5 示直径(100）品丽的圆形片如图3所示，矶和B，分别表示主参考面COIT）和副参考面（Oll长度，D表圆形片尺寸应符合表6的规定晶片面积为参考值）
9、。B, ( 0 1 1) 0 1 1) ” JOO J 图35 、GB 11094-89 表6晶片直径D主参考面t主皮副参考面长度B,m1 町lffi阳、m直径偏差B, 偏差不大于4. 2. 6 4. 2. 7 40 士113 士！.0 50 士116 士！.5 切割片表面应平整，不得有裂纹、孪晶线和明显的切割刀痕。需方对产品如有特殊要求，出供需双方另行商定。8 9 5 试验方法碑化嫁单品的导电类型、电阻率和室温霍尔迁移率的测定按GB4326进行。碑化综单晶晶向测定按GB8759进行。碑化惊单晶位错密度的观测按GB8760进行。+ 5. 1 5. 2 5. 3 s. 4 s. 5 产品的外形尺
10、寸用精度为0.1 mm的游标卡尺和精度为o.。1mm的千分尺测量。产品的表面质量用目视检查。6 检验规则品片面积cm 12. 5 19.6 s. 1 产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书s. 2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.3产品应进行导电类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、品向和外形尺寸的检验。s. 4单晶从两端按所需品面切片取样检验。s. 5 切割片以每根单晶所切得的品片组批，其参数以单晶两端取样检验数据为准若需对产品其他部位取样检验，由供需双方另行商定。s.
11、 6如检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格项目进行复验，若复验结果仍不合格时，则该产品为不合格e7 标志、包装、运输和贮存7, 1 每根单晶装入聚乙烯塑料袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防损伤7, 2切割片分片放入带有分格的特制的厚泡沫塑料中，再置于适宜的包装盒内，四周用软物塞紧，以防破损7, 3产品外运时，将装有产品的包装盒置于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖因紧。箱内应附装箱单，注明s供方名称、产品名称、产品批号和件数、产品净重和需方名称外包装箱上应注明g产品名称、产品牌号、批号、产品净室、供方名称、生产日期、需方名称，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志。7. 4 每批
12、产品应附有质量证明书，注明2a. b. c. d. e. f. g. 6 供方名称e产品名称号产品牌号z产品批号：产品净重或面积；各项分析检验结果及检验部门印记；本标准编号sGB 11094 89 h. 出厂日期。7. 5产品在运输过程中要防止碰撞、受潮和化学物质腐蚀，7. 6产品应存放于干燥和无腐蚀住气氛处附加说明：本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出本标准由北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人尹庆民。., 7 mll叮OFF囚。华人民共和国家标准水平法碑化镇单晶及切割片GB 11094-89 国中 中国标准出版社出版北京复外三里？可中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得翻印崎一一一一一二二一一一一一一一一开本880X1230 1/16 印张3/4字数13000 1990年7月第一版1990年7月第一次印刷印数12 000 书号155066 1 7270定价Q.75元141-11 斗V标自
