1、中华人民共和国国家标准膜集成电路和混合膜集成电路术语国家技术监督局 批准 实施主题内容与适用范围本标准规定了膜集成电路和混合膜集成电路的术语本标准适用于膜集成电路和混合膜集成电路的生产使用 科研教学和贸易基础术语通用术语微电子学研究高度小型化电子线路的构成和应用的学科微电路具有高密度等效电路元件和 或 部件并可视作独立件的微电子器件注 微电路可以是微型组件或集成微电路集成电路若干电路元件不可分割地联在一起 并且在电气上互连 以致在规范特性 试验贸易和维护方面被视为不可分割的电路注 本定义的电路元件没有包封 也没有外部连接并且不能作为独立产品规定技术要求或销售集成微电路若干电路元件不可分割地联在
2、一起 并且在电气上互连 以致在规范特性 试验贸易和维护方面被视为不可分割的微电路注 见 中注在不会误解的情况下术语 集成微电路 可简写为集成电路为了说明制造具体集成电路所应用的技术可进一步采用限定语 例如半导体单片集成电路半导体多片集成电路薄膜集成电路厚膜集成电路混合集成电路微型组件由各种独立制造 并能在组装和封装前测试的元件和 或集成微电路组成的微电路注 本定义的元器 件有外部连接也可能有包封 且可以作为独立产品规定技术要求和销售为了说明制造具体微型组件所应用的技术可进一步采用限定语 例如半导体多片微型组件分立元器件微型组件微电路模块能实现一种或多种电路功能的微电路组件或微电路和分立元器件构
3、成的组件 这种组件在特性测试 贸易和维护上是一个不可分割的整体半导体集成电路在半导体内部和上面形成元件和互连的集成电路膜集成电路元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路 膜元件可以是有源或无源的膜微电路见 膜集成电路多层膜电路至少用一层绝缘膜或间隙隔开的多层膜互连的电路混合集成电路由半导体集成电路与膜集成电路任意结合或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成电路混合微电路见 混合集成电路多片微电路在一块基片上分别组装数个芯片元件的微电路混合膜集成电路至少含有一个封装或未封装外贴元器件的膜集成电路半导体芯片混合膜集成电路一种含有一个或多个未封装半导体器件的混合膜集成电路无源混合膜集成电
4、路全部元件为无源元件的混合膜集成电路有源混合膜集成电路至少含有一个有源器件的混合膜集成电路定制电路为满足用户特定需要而设计和制造的电路半成品电路从生产线上提取的没有制造完的膜集成电路和混合膜集成电路它不能使用正常成品的规范进行全面评价膜网络由淀积在基片上的薄膜和 或 厚膜元件及互连线组成的电子网络多层膜网络由多于一层的膜互连 并且最少被一层绝缘膜或间隙分隔开的网络梯形网络从最高阻值到最低阻值按一定比率减小的一系列膜电阻构成的网络固定电阻网络将若干电阻元件不可分割地联在一起并且在电气上互连 以致在规范特性 试验贸易和维护方面 被视为不可分割的网络膜以任何一种淀积工艺 在固体基片上形成的固体层箔不
5、依赖基片能够独立进行加工的固体膜电路元件和结构电路元件在集成电路中完成某种电功能的有源或无源元件有源元件一种主要对电路提供整流 开关和放大功能的元件注 有源元件在电路中 也可以提供电阻或电容功能 或者是将外加能量从一种形式转化为另一种形式例如二级管晶体管半导体集成电路光敏半导体器件和发光半导体器件无源元件一种主要对电路提供电阻 电容或电感功能 或以上这些功能组合的元件注 例如电阻器电容器 电感器滤波器和互连导电带分立元件在结构上独立的单个元器件 例如电阻器 电容器和晶体管片式元件是一种尺寸小引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的元部 件片式电阻器是一种尺寸小引出端形式适于混合集成电路或
6、印制电路表面组装的固定电阻器片式电容器是一种尺寸小引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电容器外贴元件在机械上和电气上与基片连接的元部件膜式 元件用厚膜技术或薄膜技术制作的元件它可以是无源的 也可以是有源的如膜电阻器膜电容器膜电感器膜晶体管等芯片无外壳并且一般情况下无引线的电子元件可以是无源的或有源的分立的或集成的半导体器件基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件梁式引线器件具有梁式引线的器件 梁式引线见 条微带通常指陶瓷基片上的微波传输元件膜导体利用厚膜或薄膜工艺在基片上淀积导电材料而形成的导体金属化层淀积在基片上用来把电子元件连接起来的 单层或多层 导电膜图形或是在基片上形成焊
7、区部分起着电连接和机械连接作用的金属膜层引出端为集成电路提供外部电气通路的导体例如引线焊接片和焊接区等梁式引线一种长引线 在其长度方向上没有任何支撑点 并受到弯曲力的作用 其一端固定连接在器件的芯片上另一端可与别的材料相连以形成电连接和或机械支撑内连线在同一基片上的电路内制作的导体连线搭接区两种膜层互连重迭的部分 如电阻膜和膜导体之间的接触区通孔介质层中的小开口通过它形成垂直通路交叉两条金属化导线无电接触的相互交错 它是通过在交错区的两导线之间淀积绝缘层来实现的基片与材料基片构成膜电路元件和 或 外贴元件支撑基体的片状材料多层基片可以制造复杂电路 埋有多层导体的基片被釉基片为使基片表面平滑和无
8、细孔 在其上敷有一层玻璃釉的基片快速分离基片一种带有槽的基片 能够同时淀积多个电路并能快速分离低损耗基片具有高射频电阻的基片当用于微波集成电路时吸收能量很小金属陶瓷由微细的金属和介质粉料充分混合制成的均匀固体材料高 陶瓷一种呈现高介电常数的陶瓷介质材料常用 其电压和温度关系是非线性的导电胶为增加电导性而加有金属粉末的一种粘合材料例如导电环氧树脂阻焊剂用于定位和控制焊接面积大小的一种材料工艺性能和参数直接金属掩模将金属片直接蚀刻成图形的一种掩模粘片采用环氧树脂低共熔合金或焊料合金将半导体芯片外贴到基片上的工艺过程多层布线在绝缘基片上采用厚薄膜工艺或其他工艺交迭制作导电图形和介质图形 各导电层之间
9、通过介质中的通孔实现连接从而构成多层布线结构分步重复把导体或电阻器图形 以均匀间距方式多次重复排列在单一的膜层或基片上的一种工艺钝化直接在膜电路或其元件上面形成一种绝缘保护层的过程热设计从膜电路内部到散热片功率耗散的热流路径的设计热处理在适当条件下对膜元件进行加温处理的一种工艺其目的是消除膜的内应力 提高稳定性功能微调对处于工作状态的电路中的元件通常是电阻器进行微调使输出电压或电流达到规定值温度跟踪在同一个电路中的两个相似元件随着温度的变化 其值很一致地改变则认为这两个元件跟踪良好无应力材料中的应力在规定值以下 可以认为是无应力温度降界面两边或材料两点间的温差温度梯度在被加热材料的表面上或厚度
10、上两点间的温度变化曲线热失控指器件产生的热使器件热生成加速的状态通常在达到使器件损坏的温度之前热损耗的这种螺旋式上升过程将持续下去针孔完全穿透膜元件如金属化膜或介质膜作为一种缺陷出现的小孔电迁移在大电流密度下 金属膜发生的一种质量迁移现象起皮膜层从基片上剥离最坏情况分析在容许的极限温度 湿度等条件下分析电路功能 以便确定对输出参数可能产生的最坏影响电容温度系数电容器的容量随温度的相对变化量 通常以一定温度范围内的平均相对变化量表示 单位为电阻温度系数电阻器或电阻材料阻值随温度的相对变化量通常以一定温度范围的平均相对变化量表示单位为电容密度单位有效面积的电容量比容 片电容率见 电容密度膜电阻功率
11、密度膜电阻器单位面积耗散的功率 以 量度接地面基片表面上或埋入基片内的导电层它可把若干点连接到一个或多个接地电极上附着力一种材料附着在另一种材料上的能力方电阻电阻膜层的长度等于宽度时的阻值 用 表示方数膜电阻器图形的线长和线宽之比线分辨率能产生清晰膜图形的最小线条宽度熔析在焊接中被焊接的材料熔化到熔融的焊料中焊接封装和检验键合完成一种永久性的电和或 机械功能的互连再流焊在焊接以前先加上焊料 要焊接的部分连接焊料并同时加热 使焊料重新熔化而实现的焊接平行缝焊让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙 使焊料熔化而形成电连接平行缝熔焊让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙 利用电极对两个焊件加力并加热
12、到熔焊温度而完成的焊接热压焊利用压力和加热使界面的材料相互扩散而连接两种材料的工艺超声键合利用超声能量和压力连接两种材料的工艺浸焊将焊接部位浸入熔化的焊料中而实现的焊接封装为抵抗机械物理和化学应力 用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺组装图一种显示所有元件和连线安装到膜电路适当位置的图金属玻璃密封在外壳引线和金属外壳之间的绝缘密封 是通过玻璃与两个金属部件上的氧化层键合而形成的 在这种密封中玻璃与金属的膨胀系数应严格地匹配灌封采用能够固化的树脂制造埋置组件的壳体的工艺例如铸塑浇灌浸涂连续模压外壳 封装集成电路的全包封或部分包封可提供机械保护环境保护及外形尺寸 外壳可以包含或提供引出端并对集
13、成电路的热性能起作用片状载体用于放置芯片的 周围具有金属化引出端的一种特殊封装结构保护涂层一种涂在电路元件表面作为机械保护和防止污染的绝缘材料层封前目检在电路封装之前 对整个电路进行目检的过程可焊性导体与焊料浸润并且形成牢固结合的能力拉力试验测量引线互连线或导体的焊接强度的试验剥落强度导电带和基片之间附着力的量度 试验是通过测量导电带从基片上拉脱所需的力来完成的推脱强度在器件的一侧加平行于安装面的推力把片式器件从它的安装区除去所需要的力热斑因散热不良而造成的局部高温区负载寿命器件能耐住其满功率负载的整个延续时间评定水平反映用户所能得到的电路符合规范要求的保证程度 表示逐批试验周期试验与抽样方案
14、中的检查水平 合格质量水平 的严酷度之间的平衡情况能力鉴定电路用来部分或全面评价申报能力的一种试验样品它可以是专门设计的试样或正常生产的电路也可以是以上两种电路的组合工艺试验样品一种试样 它不一定是一个微电路但至少是被考核电路生产线上一个工序的代表并且能够对该试样进行各种试验以便证实一种或一种以上工艺过程控制的有效性筛选为了检测并剔除潜在的失效 对一个批量的全部产品所作的检验或试验返工在不合格的混合微电路上所进行的一种工艺操作 其目的是修复所有不合格的特性 以满足合同规范图纸或其他已经批准的产品说明书的要求返修在不合格的混合微电路上所进行的一种工艺操作 其目的是使其功能恢复到可用的程度 但并不
15、能完全消除其不合格性能厚膜集成电路基础术语厚膜通常以丝网印刷和烧结方法在基片上淀积的膜厚膜技术将导体和或 介质浆料 用丝网印刷工艺在绝缘基片上印制出所需图形然后进行烧结 从而形成厚膜元件和布线的技术厚膜集成电路采用丝网印刷技术或其他有关技术形成膜的膜集成电路厚膜网络通常由网漏印刷技术形成膜层的一种膜网络材料厚膜合成介质将瓷粉与低温玻璃混合用厚膜工艺制成的介质玻璃料是一种作为厚膜浆料成分的粉末状玻璃 烧结时既能使浆料本身各组分之间紧密粘结 也能使基片与浆料之间紧密粘结底釉在网印电阻器之前 加到基片上的一种玻璃或陶瓷釉面釉涂在元件上的玻璃涂层 通常作为机械的或电的保护层浆料一种可印刷的厚膜材料 一
16、般是由玻璃料 金属金属氧化物和溶剂调制成的一种粘稠均匀悬浮液有机载体指厚膜涂料中的有机溶剂乳胶用于涂敷丝网网眼的光敏材料粘合剂厚膜组分或未烧结基片中的添加材料其作用是使它们在预烧时得到足够的强度丝网一种紧绷在框架上的稠密筛网 用于承载有电路图形的乳胶膜 以网印膜电路 通常有不锈钢丝网和尼龙丝网生瓷已成型但还没有烧结的瓷片工艺和性能预氧化在配成电阻浆料之前为达到要求的电阻率将电阻金属粒子氧化的过程丝网印刷技术把浆料通过丝网压印到基片上形成膜的淀积技术接触印刷丝网几乎与基片接触的一种印刷方法用于金属掩模印刷非接触印刷与接触印刷相反 对印刷机进行调整使丝网和基片之间保持一定间隙 只有在刮板横过丝网运
17、动时 丝网才和基片接触烧结印刷好的厚膜图形经高温处理转变为最终形态的一种工艺调整用喷砂 研磨或激光等手段使阻值达到标称值的一种工艺喷砂调阻用精确控制的砂流 如氧化铝细流 直接撞击电阻表面通过在电阻器上刻槽以增大阻值达到预定电阻精度印刷参数影响丝网印刷质量的因素 如不接触间隙 刮板速度和压力等印刷角厚膜印刷机的刮板表面与丝网平面之间的夹角峰值烧结温度由烧结曲线所决定的烧结周期中厚膜浆料所经受的最高烧结温度烧结灵敏度由于峰值烧结温度变化而引起的被烧结膜特性变化的百分率 烧结灵敏度的单位用 表示坍塌由于厚膜浆料淌开塌落而引起厚膜图形分辨率降低的缺陷渗流印制膜在干燥或烧结过程中横向扩展或扩散到邻区 超
18、出印刷图形几何尺寸的现象薄膜集成电路基础术语薄膜用真空蒸发溅射及化学汽相淀积等生长工艺在基片上淀积的膜薄膜技术采用真空蒸发溅射或其他薄膜工艺 在绝缘基片上形成膜元件或膜电路的技术薄膜集成电路采用真空淀积技术 也可辅以其他淀积技术形成膜的膜集成电路薄膜网络完全用真空沉积技术或在真空淀积技术后再使用其他增厚淀积技术形成膜层的一种膜网络叉指式薄膜电容器在同一平面上两电极作成手指交叉状的薄膜电容器复合电阻膜通过薄膜淀积工艺 使两层不同材料的电阻膜叠合在一起构成的电阻膜钽膜电路采用真空溅射工艺 在绝缘基片上制作钽基薄膜阻容元件和互连所构成的薄膜集成电路工艺和性能真空镀膜在真空中 用物理方法如蒸发 溅射或
19、化学方法如化学汽相淀积在绝缘基片上形成薄膜的技术真空蒸发在真空中将材料加热 并使其蒸发淀积在其他材料表面上形成膜的过程溅射利用辉光放电中气体离子的轰击使靶电极材料释出 并淀积在其他材料表面上形成膜的过程离子镀膜将真空蒸发和溅射两种技术结合在一起 制备薄膜的工艺方法化学镀膜通过化学和或电化学淀积所得到的膜汽相淀积技术采用物理淀积或化学反应方法将呈汽相状态的源材料淀积在固体基片上 以形成导电 绝缘或半导体膜的技术阳极氧化利用电化学方法 使导电膜表面氧化以便调整膜电阻阻值或制备介质膜的工艺方法电火花调阻采用电火花放电装置 烧割电阻膜层的调阻方法溅射刻蚀利用溅射技术以高能重离子轰击膜材料刻出所需图形的
20、过程淀积速率在薄膜形成过程中 单位时间内淀积在基片上的厚度附录汉语索引参考件半成品电路半导体集成电路半导体器件半导体芯片混合膜集成电路保护涂层被釉基片比容玻璃料剥落强度箔薄膜薄膜集成电路薄膜技术薄膜网络叉指式薄膜电容器超声键合搭接区钽膜电路导电胶低损耗基片底釉淀积速率电火花调阻电路元件电迁移电容密度电容温度系数电阻温度系数定制电路钝化多层布线多层基片多层膜电路多层膜网络多片微电路返工返修方电阻方数非接触印刷分步重复分立元件封前目检封装峰值烧结温度复合电阻膜负载寿命附着力高 陶瓷功能微调工艺试验样品固定电阻网络灌封厚膜厚膜合成介质厚膜集成电路厚膜技术厚膜网络化学镀膜混合集成电路混合膜集成电路混合
21、微电路基片集成电路集成微电路键合溅射溅射刻蚀浆料交叉接触印刷接地面金属玻璃密封金属化层金属陶瓷浸焊可焊性快速分离基片拉力试验离子镀膜梁式引线梁式引线器件面釉膜膜导体膜电阻功率密度膜集成电路膜网络膜微电路膜 式 元件内连线能力鉴定电路粘合剂喷砂调阻片电容率片式电容器片式电阻器片式元件片状载体评定水平平行缝焊平行缝熔焊起皮汽相淀积技术热斑热处理热设计热失控热压焊熔析乳胶筛选烧结烧结灵敏度渗流生瓷丝网丝网印刷技术坍塌梯形网络调整通孔推脱强度外壳外贴元件微带微电路微电子学微电路模块微型组件温度跟踪温度降温度梯度无应力无源混合膜集成电路无源元件线分辨率芯片阳极氧化引出端印刷角印刷参数有机载体有源混合膜集
22、成电路有源元件预氧化再流焊粘片针孔真空镀膜真空蒸发直接金属掩模阻焊剂组装图最坏情况分析附录英文索引参考件GB/T 12842-91 dis crete element . .u. . . 2. 2. 4 E eletromigration .u.u. .u. 2.4. 15 embedding . .u.2.5.11 emulsion . .u.u. . 3. 2. 7 en田psulation.u. . .u. 2.5.8 F film . . 2. 1. 24 film element . . 2. 2. 9 fi1m conductor . . .2.2.14 film integrat
23、ed circuit 2. 1. 8 film mil盯ocircuit. . .u. . . 2. 1. 9 fi1m network .u. . . . 2. 1. 20 fire . 3. 3. 5 firiI电.u.u.u. 3.3.5 firing sensiti世ty 3. 3. 11 ftxed res由tornetwork . . u. . . 2. 1. 23 foil . .u.u.u. . 2. 1. 25 frit . 3. 2. 2 functional trimming . .u.u. . 2. 4. 8 G glazed substrate . . . 2. 3.
24、 3 green 3.2. 10 ground plane 2.4.23 H heat treatment 2.4.7 high -K cer amic . .u. . 2. 3. 7 hot spot 2.5.20 hybrid film integrated circuit . . .2.1.14 hybrid integrated circuit . 2. 1. 11 hybrid microcircuit .u.u. .u. 2. 1. 12 I hmersed solder . .u. . . 2. 5. 7 ink . 3. 2. 5 integrated circuit . 2.
25、 1. 3 integrated microcircuit . . . . 2. 1. 4 interdigital th坦fi1mcapacitor . . . 4. 1. 5 intrannections2.2. 18 18 GB/T 12842-91 ion plating . . 4.2.4 L ladder network .u. .u. 2. 1. 22 1国ch坦g .u.2.4.28 line definition . . . . 2. 4. 27 load life .u. .u.u. 2.5.21 low-loss substrate .u. . 2. 3. 5 M met
26、allization . .2.2.15 metal-to-glass seal .u.u. .u. 2.5. 10 micro-assembly . 2. 1. 5 microcircuit . . . . 2. 1. 2 microcircuit moudle . . 2. 1. 6 microeletroni四. . 2. 1. 1 microstrip . . . . . 2.2. 13 multichip microc:町cuit 2. 1. 13 multilayer film circuit . . .2.1.10 multilayer film network . 2. 1.
27、21 multilayer substrates 2.3.2 multilayer wiring . . . . 2. 4. 3 N number of squares . . . 2. 4. 26 。off contact printing . . 3. 3. 4 organic vehicle 3.2.6 overglaze . . . 3. 2. 4 overlap . . .2.2.19 overlap resistor film 4. 1. 6 P package 2.5. 12 parallel gap solder . . . 2. 5. 3 parallel gap weld
28、. .u. 2. 5. 4 partly completed mponent of F and HFICs . .2.1.19 P回sivation. . . . 2. 4. 5 passive element . 2.2.3 P剧目vehybrid film integrated circuit . . 2. 1. 16 P田te. . . . 3. 2. 5 P国kfiring temperature . . 3. 3. 10 0 19 GB/T 12842-91 P出1strength . 2.5. 18 pinhole .2.4.14 plated film . .u. .u. 4. 2. 5 power density of fi1m resistor .u. .u.2.4.22 preoxidized .u. . . . 3. 3. 1 preseal visual .u.u.u. . 2.5. 15 printing p盯ameters.u.u. 3.3.8 process test vehicle . .2.5.24 protective coating .u. .u. .2.5.14 pull test 2.5.17 push咱ffstrength .2.5.19 R reflow soldering . .u.u. .
