1、ICS 01.040.27 F 12 DB13 河北省地方标准 DB13/T 13142010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 2010 - 11- 15 发布 2010 - 11 -25 实施河北省质量技术监督局 发布DB13/T 13142010 I 前 言 本标准按照 GB/T 1.12009给出的规则起草。 本标准由邢台市质量技术监督局提出。 本标准起草单位：晶龙实业集团有限公司、宁晋县质量技术监督局。 本标准主要起草人员：任丙彦、安增现、柳志强、颜志峰、刘彦朋。 DB13/T 13142010 1 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 1 范围 本标准规定了太阳能级硅单晶方棒、单晶硅片的术语和
2、定义、产品分类、原料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。 本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶硅方棒、单晶硅片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分：按接受质量限（ AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片
3、表面质量目测检验方法 GB/T 191 包装储运图示标志 3 术语和定义 3.1 缺口 indent 指贯穿单晶硅片边缘的缺损。 3.2 亮边 bright Point Edge 指单晶硅片侧棱上的连续缺损区域。 3.3 崩边 edge crack 指单晶硅片边缘或表面未贯穿单晶硅片的局部缺损区域，当崩边在单晶硅片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。 3.4 裂纹 crack 指延伸到单晶硅片表面，贯穿或不贯穿单晶硅片厚度的解理或裂痕。 DB13/T 13142010 2 3.5 划痕 scratch 指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下，肉眼明显可见的凹陷状划伤。 3.6 线痕 saw ma
4、rk 指切割时在单晶硅片表面留下的轻微不规则凹凸直线状痕迹。 3.7 弧宽度偏差 chamfer width departure 单晶硅方棒、单晶硅片的四个圆弧中所对应的最大弦长与最小弦长的差。 4 产品分类 4.1 分类 单晶硅方棒、单晶硅片按导电类型分为N型和P型两种类型。 4.2 规格 单晶硅方棒、单晶硅片按直径分为127 mm、135 mm、150 mm、165 mm、200 mm、220 mm或由供需双方商定规格；按单晶硅方棒、单晶硅片的形状和外形尺寸（注：aa/见图1,单位 mm)分为： 100100/127、103103/135、125125/150、125125/165、156
5、156/200、15 6156/220或由供需双方商定规格。 直径； DB13/T 13142010 3 边长； 弦长。 单晶硅方棒断面、单晶硅片表面形状 4.3 等级 单晶硅片按品质等级分为：一级品、二级品、三级品（具体分类标准见5.2.3）。 5 原料要求 原料应符合表1规定。 导电类型 掺杂元素 生长方式 晶向 晶向 偏离度电阻率. cm 少子寿命 s （断面中心点）氧含量atoms/cm3碳含量atoms/cm3位错密度 个/cm2P 型 B（硼） CZ 100 1 1-3/ 3-6 15 0.9510 E18 510 E16 2 000Ga（镓） 0.5-6 10 N 型 P（磷）
6、CZ 100 3 0.5-3 100 110 E18 510 E163 0001.7-12 300 0.810 E18 1 0006 技术要求 6.1 太阳能级单晶硅方棒 6.1.1 太阳能级单晶硅方棒缺陷 单晶硅方棒不得有孪晶线、 层错、 六角网络、 亚结构、 夹杂、 空洞、 星形结构等缺陷 （见 GB/T 1554） 。 6.1.2 太阳能级单晶硅方棒几何参数 应符合表2规定。 太阳能级单晶硅方棒几何参数 标称规格， mm 100 100/127 103 103/135 125 125/150 125 125/165 156 156/200 156 156/220 边长偏差， mm， 0.
7、3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 直径， mm 127 135 150 165 200 220 直径偏差， mm， 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 单晶硅方棒长度， mm， 100 100 100 100 100 100 单晶硅方棒的长度也可由供需双方协商确定。 DB13/T 13142010 4 6.1.3 制造 按程序批准的文件或供需双方协商公差范围制造。 6.1.4 单晶硅方棒外观 6.1.4.1 棱上崩边 每边100 mm以内0.1 mm、0.3 mm的崩边不多于3个。 6.1.4.2 两直边垂直度 90 20。 6.1.4.3 弧宽度偏差 1.5 mm。 6
8、.1.5 单晶硅方棒表面质量 单晶硅方棒表面经过处理后（化学处理或机械处理），不允许出现肉眼能观察到的明显沾污、酸印、小坑、划痕。 6.2 太阳能级单晶硅片 6.2.1 太阳能级单晶硅片的几何参数 应符合表3规定。 太阳能级单晶硅片的几何参数 标称规格， mm 100 100/127103 103/135 125 125/150 125 125/165 156 156/200 156 156/220 边长偏差， mm， 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 直径， mm 127 135 150 165 200 220 直径偏差， mm， 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5
9、 单晶硅片厚度（中心点） ， m 140,150,160,170140,150,160,170 160,170, 180,190 160,170, 180,190 180,190, 200,210 180,190, 200,210 单晶硅片厚度允许偏差， m， 10 10 10 10 10 10 单晶硅片厚度及厚度允许偏差也可由供需双方协商确定。 6.2.2 太阳能级单晶硅片的外观、表面质量 应符合表4规定。 DB13/T 13142010 5 太阳能级单晶硅片的外观、表面质量 项目 要 求 一级品 二级品 三级品 缺口 不可有 （1 mm0.5 mm） （1 mm0.5 mm）（5 mm3
10、mm） 崩边 单面崩边宽度0.2 mm， 延伸0.5 mm， 每片总数量2 个， 间隔30 mm （单面崩边宽度 0.2 mm延伸 0.5 mm）（单面崩边宽 0.4 mm延伸 0.8 mm） ， 每片总数量2 个 （单面崩边宽度 0.4 mm延伸0.8 mm）（单面崩边宽度 1 mm延伸 1.5 mm） 亮边 长度硅片边长的 1/2， 宽度片厚的 1/3 长度硅片边长的 1/2， 宽度片厚的 1/3 硅片边长的 3/4长度硅片边长的 1/2 划痕 长度3cm，每片条数1 条 长度3 cm，每片条数不超过 5 条线痕 （深度） 15 m 15 m，25 m 25 m，70 m 总厚度变化（TT
11、V） 25 m 25 m，35 m 35 m，70 m 翘曲度 30 m 30 m，40 m 40 m，70 m 色斑 无目视可见色斑 表面有异常颜色， 面积小于硅片总面积的 1/3 表面有异常颜色， 面积大于硅片总面积的 1/3 表面质量 硅片表面不允许有裂纹，目视无凹坑、“ V”型缺口、孔洞，无硅胶残留，表面无沾污和异常斑点。 硅片表面不允许有裂纹，目视无凹坑、“ V”型缺口、孔洞。 硅片表面不允许有裂纹，目视无孔洞。 7 试验方法 7.1 单晶硅方棒外观 7.1.1 棱上崩边测量用读数显微镜测量。 7.1.2 两直边垂直度测量用精确度为 2的万能角度尺测量。 7.1.3 弧宽度偏差测量用
12、精确度为 0.02 mm 的游标卡尺测量。 7.2 单晶硅方棒的表面质量 目视检验，特殊情况下可用测量显微镜观测。 7.3 单晶硅方棒、单晶硅片的几何参数 DB13/T 13142010 6 单晶硅方棒、单晶硅片的几何参数用精确度为0.02 mm的游标卡尺测量。 7.4 单晶硅片外观 7.4.1 单晶硅片厚度和总厚度变化按 GB/T 6618 进行。 7.4.2 单晶硅片翘曲度按 GB/T 6620 进行。 7.4.3 单晶硅片缺口、崩边用目测加读数显微镜测量。 7.4.4 单晶硅片亮边、划痕用目测加精确度为 0.02 mm 的游标卡尺测量。 7.4.5 单晶硅片的线痕用精确度为 0.001
13、mm 的千分表测量平台测量。 7.4.6 单晶硅片的色斑为目视检验。 7.5 单晶硅片的表面质量 按 GB/T 6624进行。 8 检验规则 8.1 检验分类 产品检验分出厂检验和型式检验两类。 8.1.1 出厂检验 8.1.1.1 每批产品出厂前须经本公司质检部门检验合格后方可出厂。 8.1.1.2 单晶硅方棒的出厂检验项目为：表面质量、外观、几何尺寸。 8.1.1.3 单晶硅片的出厂检验项目为：厚度、总厚度变化、翘曲度、外观、表面质量、几何尺寸、弧宽度偏差等。 8.1.2 型式检验 8.1.2.1 正常情况下，每两年进行一次型式检验。有下列情况之一时，亦应进行： 原料、工艺有较大改变可能影
14、响产品质量性能时； 长期停产后恢复生产时； 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时； 国家质量监督部门提出型式检验要求时。 8.1.2.2 型式检验项目为本标准规定的全部内容。 8.2 组批 产品应以批的形式提交验收。同一牌号、同一规格的产品为一批。 8.3 抽样 8.3.1 单晶硅方棒 每批产品随机抽取20的试样，5根-9根晶棒抽取2个试样，5根晶棒以下抽取一个试样。 8.3.2 单晶硅片 DB13/T 13142010 7 产品检测按 GB/T 2828.1一般检查水平，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。见表5。 单晶硅片的检测项目及接收质量限 序号 检验项
15、目 接收质量限（ AQL） 1 厚度偏差 1.0 2 总厚度变化 1.0 3 翘曲度 1.0 4 直径及直径偏差 1.0 5 参考面长度（或直径） 2.5 6 表面质量 崩边 1.0 沾污 1.5 深划、亮边 2.0 裂纹、缺口 1.0 线痕 1.0 色斑 1.0 累计 2.5 9 判定规则 9.1 出厂检验 单晶硅方棒、单晶硅片出厂检验项目中若有一项不合格，允许返工修复，修复后复检，复检合格则判该批产品出厂检验某级别合格。 9.2 型式检验 单晶硅方棒、单晶硅片全部检验项目判定合格则该产品型式检验合格。 10 标志、包装、运输和贮存 10.1 标志 10.1.1 产品包装应附有合格证明并标明以下内容： 产品名称、规格型号及数量； 产品执行标准编号； 生产厂名、厂址； 生产日期或批号； 检验员、检验日期及合格印章等。 10.1.2 包装标志还应应符合 GB/T 191 的要求，应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等字样或图示标志。 10.2 包装 DB13/T 13142010 8 产品采用聚苯烯（泡沫）或纸制品作内包装，然后将经过包装的产品装入包装箱内，并装满填充物，防止产品松动。 10.3 运输 产品在运输过程中应轻装轻卸、防震、防潮，严禁挤压、抛掷。 10.4 贮存 产品应贮存在干燥、通风、清洁、无腐蚀的仓库内，防止日晒雨淋。 _
