1、1 光電伏打元件(第七部：光電伏打元件 測試中所產生光譜不匹配誤差之計算) 印行年月 94 年 10 月 本標準非經本局同意不得翻印 中華民國國家標準 CNS總號 類號 ICS 621.385.5 13059-7 C6346-7 經濟部標準檢驗局印行 公布日期 修訂公布日期 91 年 12 月 5 日 年月日(共 2 頁) Photovoltaic devices Part 7 : Computation of spectral mismatch error introduced in the testing of a photovoltaic device 1. 適用範圍 本標準規定光電伏打
2、元件測試中導致誤差之決定程序，此誤差係由於測試樣本的光譜響應與基準元件間不匹配之交互作用及測試頻譜與基準頻譜間不匹配而引起的。本程序僅適用於在應用範圍內為線性的光電伏打元件（參照 CNS 13059-10光電伏打元件（第十部：線性量測法）。 2. 參考 本標準參考 CNS 13059光電伏打元件等系列標準，尤其是第三部的具光譜照射光基準數據之陸上光電伏打（ PV）太陽元件量測原理及第十部的線性量測法。 3. 方法說明 此誤差是由基準元件與測試樣本之相對光譜響應和模擬器與基準太陽光譜照射光分布之相對光譜照射光的積分乘積 （ integrated product） 計算而得 （參照 CNS 130
3、59-3光電伏打元件（第三部：具光譜照射光參考數據之陸上光電伏打（ PV）太陽元件量測原理）。 J1在具有照射光強度為 1000W m-2與基準光譜分布 A m-2的太陽輻射下之基準電池短路電流密度。 J2在自然或模擬太陽輻射 A m-2下測量到的基準電池短路電流密度。 1s 在波長為 A W-1之基準電池絕對光譜響應。 k11s 在波長為之基準電池相對光譜響應。 J3 在具有照射光強度為 1000W m-2與基準光譜照射光分布 A m-2的太陽輻射下之測試樣本短路電流密度。 J4在自然或模擬太陽輻射 A m-2下測量到的測試樣本短路電流密度。 2s 在波長為 A W-1之測試樣本絕對光譜響應
4、。 k22s 在波長為之測試樣本相對光譜響應。 sG 在基準光譜照射光分布 W m-2 m-1波長為之絕對光譜照射光。 k3sG 在基準光譜照射光分布波長為之相對光譜照射光。 tG 在自然或模擬太陽輻射 W m-2 m-1波長為之絕對光譜照射光。 k4tG 在自然或模擬太陽輻射波長為之相對光譜照射光。 因此： J11s sG d（） 2 CNS 13059-7 , C 6346-7 J21s tG d（） J32s sG d（） J42s tG d（） 測量到的相對光譜響應與相對光譜照射光之乘積再積分則為下列參數： A1 k11s k3sG d（） k1 k3 J1A2 k11s k4tG d
5、（） k1 k4 J2A3 k22s k3sG d（） k2 k3 J3A4 k22s k4tG d（） k2 k4 J4於是在測量測試樣本之短路電流密度中誤差為： 光譜不匹配誤差（） 1001JJAAAA100JJJ123241334= 引用標準： CNS 13059-3 光電伏打元件（第三部：具光譜照射光參考數據之陸上光電伏打（ PV）太陽元件量測原理） CNS 13059-10 光電伏打元件（第十部：線性量測法） 相對應國際標準： IEC 904-7 Photovoltaic devices Part 7 : Computation of spectral mismatch error introduced in the testing of a photo-voltaic device
