1、 KSKSKSKS SKSKSKS KSKSKS SKSKS KSKS SKS KS 2006 12 27 http:/www.kats.go.kr KS A IEC 61709 KS A IEC 61709： 2006 (2012 ) A IEC 61709： 2006 : ( ) ( ) ( ) : (http:/www.standard.go.kr) ： ：2006 12 27 ：2012 12 29 2012-837 ： ： ( 02-509-7294) (http:/www.kats.go.kr). 10 5 , . ICS 31.020 KS A IEC 61709： 2006(2
2、012 )Electronic components Reliability Reference conditions for failure rates and stress models for conversion 1996 1 IEC 61709 Electronic components Reliability Reference conditions for failure rates and stress models for conversion . . , , . , / . . . . . (extrapolation) . A . . ( , ) . , , , . (
3、, , 3 ). . . . . , . , . , . . 1. . . , . . ( A IEC 61709： 2006 2 A ). 2. . , ( ) . IEC 60050(191)： 1990 International Electrotechnical Vocabulary(IEV) Chapter 191： Dependability and quality of service IEC 60721 3 3： 1994 Classification of environmental conditions Part 3： Classification of groups of
4、 environmental parameters and their severities Section 3： Stationary use at weather-protected locations 3. . 3.1 (failure) . IEV 191 04 01 3.2 (failure rate) (t, t T) (t, t T) T (ratio) T 0 IEV 191 12 02 IEV 191 12 02 (A.3 ). T (time to failure) (first failure) . 3.3 (mean failure rate) IEV 191 12 0
5、3 3.4 (reference conditions) 3.5 (reference failure rate) . . , . 3.6 (failure criterion) . 3.7 (operating mode) . (duty) . ( , ) . ( , ) . 3.8 (prediction) IEV 191 16 01 “prediction” . 4. . ref U I A IEC 61709： 2006 3 T ES S amb ( ) Tamb ( ) amb, ref ( ) Tamb, ref ( ) ref ( ) Tref ( ) Tref ( ) T (
6、) 1 ： ( ) (*) 2 ： ( ) U Uref Urat I Iref Irat P Pref Prat Rth Rth, amb( ) (*) KS C IEC 60747 1 Tvj (internal equivalent temperature) . 1. , ( ) . 2. . A IEC 61709： 2006 4 5. 5.1 5.2 5.7 . 5.2 () ( A.3 , ) . , . ( , ) (3.3 ) . 5.3 , (complete failures) (parametric drift failure) . ( A.3 ). “ (specifi
7、cation failure)”, . . 5.4 5.7 ( , ), . 5.5 1 (1) (2) amb, ref 40 IEC 60721 3 3 Class 3K3 IEC 60721 3 3 Class 3M3 (3) . (1) . (2) ( ) . . (3) , , , , , ( ) , , , , 5.6 . 2 . 5.7 . A IEC 61709： 2006 5 2 (1) CMOS： Uref 5 V ： 70 %(Uref/Urat 0.7) ： 15 % Tref . PrefRth, amb , , (2) ： 50 %(Uref/Urat 0.5) T
8、ref . PrefRth, amb , , , , , LEDs IREDs ： 50 %(Uref/Urat 0.5) LEDs IREDs： 50 %(Iref/Irat 0.5) Tref . PrefRth, amb 40 50 %(Pref/Prat 0.5) Tref . PrefRth, amb ： 40 80 %(Uref/Urat 0.8) ： 40 50 %(Uref/Urat 0.5) , , 40 50 %(Pref/Prat 0.5) . (3) - 50 %(Iref/Irat 0.5) ： (4) ： 0.5 V UUrata.c. 0 A I0.1 A ： 0
9、 V U13 V 0.1 A IIrat： 1 ： (5) , (dip fix, coding switch), (foil push-button)： ： 0.5 V UUrata.c. 0 A I0.1 A ： 0 V U13 V 0.1 A IIrat ( ) (1) Tref 1 (40 Tref) . ： ( ) ： ： , Tref 0 , Tref 0 40 , Pref ( ) Rth, amb . A IEC 61709： 2006 6 2 ( ) (1) (2) , , , , (3) , PTC , NTC , , , (4) 7.7.2, 9 (5) 7.8.2, 1
10、1 5.7 5.7.1 - ： 90 % ： . . 5.7.2 ： 90 % ： ( ) . 5.7.3 () ： 90 % ： . 6. 6.1 . , . , ( ) . 7. . , . . . refUIT (1) ref： U： I： T： 6.2 , U 22(exp1CrefCUUUC = (2) )/()/(exp223CratrefCratUUUUUC = (3) U： (volts) Uref： (volts) Urat： (volts) C1：2V)/1(C C2, C3： A IEC 61709： 2006 7 (empirical model) . (3) (2)
11、2)/(31CratUCC = . 6.3 , I)/()/(exp554CratrefCratIIIIIC = (4) I： (amperes) Iref： (amperes) Irat： (amperes) C4, C5： . 6.4 , TrefrefzEazEazEazEaTeAeAeAeA+=2121)1()1( (5) =2,0111TTkzrefamb 11,0)(111= eVTTkzrefambref A： Ea1, Ea2： (eV) k0 8.61610 5eV/K Tamb, ref 313 K T1 ( 1 273) K T2 ( 2 273) K 1 2() . 1
12、： ( ) 2： ( ) 1： 2： 1： 2： 1： ( ) 2： 1： 2： 1： 2： A IEC 61709： 2006 8 (5) . A 1 Ea2 0( A 0, Ea2 1) , (Arrhenius equation) . (Ea1, Ea2) . , - . A, Ea1 Ea2 . 7. . 6.5 7. ( , ) . , , (5. ) . , . , . . ( , , ) . , (environmental application factor) . . , ( ) , , . , . (overall environmental application fac
13、tor) . 7. 7.1 7.2 7.9 . ( ) . 7.2 7.2.1 (1) . CMOS refUT (6) refT (7) 7.2.2 7.2.3 . 7.2.2 , U (2) (3) CMOS . , 3 C1, C2, C3 . 4 5 . A IEC 61709： 2006 9 3 Uref/UratUrefC1C2C3 CMOS 0.5 V 0.1 V 11 0.7 4.4 1.4 4 CMOS ICs U U(V ) 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 U0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2
14、2.5 2.7 5 U U/Urat0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 U0.75 0.77 0.80 0.87 1.0 1.3 1.8 3.0 7.2.3 , T (5) (rated junction temperature) . 6 A, Ea1, Ea2 . 1 2 . 6 A Ea1eV Ea2eV amb, ref (EPROM, OTPROM, EEPTOM, EAROM ) 0.9 0.3 0.7 40 EPROM, OPTROM, EEPROM, EAROM 0.3 0.3 0.6 40 T ( ) 1 2 . 2 amb PRth, amb (8
15、) ( 2 ) ( ) 1 40 Tref (9) Tref Tref PrefRth, amb . A IEC 61709： 2006 10 1 IC T(EPROM, OTPROM, EEPROM, EAROM ) 2 EPROM, OTPROM, EEPROM, EAROM T7.3 (discrete semiconductors) 21 21A IEC 61709： 2006 11 7.3.1 (1) . refUT(10) (1) (2) refT(11) 7.3.2 7.3.3 . . (1) , (Schottky diodes), (Zener) (2) , , (thyri
16、stors), (triacs) (diacs) 7.3.2 , U (3) . , 7 C2 C3 . 8 . U 1 7 Uref/UratC2C30.5 8.0 1.4 8 U U/Urat0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 U1.0 1.1 1.3 1.8 4.0 7.3.3 , T (5) . 9 A, Ea1, Ea2 . 3 4 . 9 A Ea1eV Ea2eV amb, ref , 0.9 0.3 0.7 40 , , , (*) 1.0 0.4 40 (*) , , , , T 3 4 . 2 amb PRth, amb(12) ( 2 ) 1 40 Tref(13) Tref Tref PrefRth, amb . A IEC 61709： 2006 12 3 , T 4 , ,
