1、 KSKSKSKS SKSKSKS KSKSKS SKSKS KSKS SKS KS 2006 11 30 http:/www.kats.go.krKS C IEC 6074918 18： ( ) KS C IEC 60749 18： 2006 (2011 )C IEC 60749 18： 2006 : ( ) ( ) ( ) ( ) : (http:/www.standard.go.kr) ： ： 2006 11 30 ： 2011 12 13 2011-0563 ： ： ( 02-509-7294) (http:/www.kats.go.kr). 10 5 , . ICS 31.080.0
2、1 KS C IEC 18： ( ) 60749 18： 2006(2011 ) Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 18： Ionizing radiation(total dose) 2002 1 IEC 60749 18 Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 18： Ionizing radiation(total dose) . 1. 60(60Co) ( ) . . . , . . , . 2. . 2.
3、1 (ionizing radiation effects) 2.2 (in-flux test) 2.3 (non in-flux tests) 2.4 (remote tests) 2.5 (time-dependent effects) (annealing) 2.6 (a ccelerated annealing test) 3. , , , , , , ( ) . , , , . 3.1 60(60Co) . (radiation field) 10 % . 60(60Co) (gamma ray field) 5 % C IEC 60749 18： 2006 2 . . 3.2 4
4、2 . 3.3 , , . . 3.4 . , (floating) . . , , , . , . . , . . . , . , (pre) 10 % . , , . 3.5 . , (line driver) . . 3.6 , . , 3.4 . 3.7 5 . 4. , . , , , , , , . 4.1 . , . C IEC 60749 18： 2006 3 . ESD , . 4.2 (burn-in) , . ( ) , . a) . b) , ( ) . , . 4.3 , . . a) b) 60(60Co) . . 4.4 /(Pb/Al) / . 1.5 mm
5、0.7 mm . / Si CaF2 TLD . (1) , (2) (3) , , / . ( TLD) . , / . 4.5 10 % . , . 4.6 biCMOS , A . . biCMOS , , (conservative estimate) C . 4.6.1 A A( ) , 0.5 Gy(Si)/s 3 Gy(Si)/s , , 0.5 Gy(Si)/s 20 Gy(Si)/s . . 10 % . 4.6.2 B B MOS , 0.5 Gy(Si)/s , S&( ) . 4.12.1 b) , 4.12.2 . C IEC 60749 18： 2006 4 4.6
6、3 C C( ) , . 4.7 , (246) . . (255) . , 10 . , . 4.8 . , , . , . , . , . , . . (4.12 ) . 4.9 ( .). . , , . , . 4.9.1 . , , (3.4 ), . , . . 4.9.2 , , (foam)( ) . . 4.9.3 10 % . . . . . 4.10 , . a) 1 . b) 2 . C IEC 60749 18： 2006 5 . . 4.11 4.14.10 ( ) . 0.53 Gy(Si)/s , . 4.14.10 4.11.2(c) , . . a) 4.
7、14.10 b) 4.11.1 . a) MOS . b) ( ) . . c) . , , . , 0.001 Gy(Si)/s , . . 4.11.2 4.14.10 , . a) 4.14.10 , . 4.9.3 . b) (246) . c) , , (PIPL) . tmax . tmax=maxspecRD Dspec: Rmax : d) 4.7 4.8 . , 4.14.10 , . 4.12 MOS MOS . , , C IEC 60749 18： 2006 6 . (4.12.2 ) (TDE) . (TDE) (4.12.1 ) TDE , 4.14.10 . 4.
8、12.1 . a) 4.12.2 MOS ( , ). b) (TDE) . 1) MOS 2) 50 Gy(si) 3) , TDE 4) 5) IC TDE ( .) , TDE (vendor) , 5) , , TDE . TDE MOS . c) MOS . 4.12.2 4.14.10 , 4.11( ) 4.12.1 , . a) 1) (4.14.10) 0.5 . . 2) , 4.12.2, a) 1) 0.5 . , , 4.12.2 b) , . , , 4.12.2 b) . b) . 1) (16812) (1005) 2) , , 4.12.2 C IEC 607
9、49 18： 2006 7 b) 1) 3) NMOS , 60 % (trapped hole annealing) 10 % . . c) 4.8 4.9 . 4.13 , , , , , , . , , , , . , , , , , , , , , , . , . . , . , . 5. . a) , , (4.1 ) b) (4.3 ) c) (4.5, 4.6 ) d) 4.7 , , e) (4.8 ) f) , , (4.9 ) g) (4.9.3 ) h) (4.10 ) i) , (4.11 ) j) , (4.12 ) k) (4.13 ) C IEC 60749 18
10、 2006 8 1 4.6 4.9 4.8 4.11.1 4.8 4.12.1 0.5 4.12.2, a) 2) 0.5 4.12.2, a) 4.12.2, b) 4.8 18 ： ( ) 153787 1 92 3(13) (02)26240114 (02)2624 0148 9 http:/ KSKSKSSKSKS KSKS SKS KSKS SKSKS KSKSKSKorean Agency for Technology and Standards http:/www.kats.go.kr KS C IEC 60749 18： 2006 Semiconductor devicesMechanicaland climatic test methodsPart 18：Ionizing radiation (total dose)ICS 31.080.01
