,1 防水气、 3.8 4.6.8 电磁兼容性.0 / -古4.6.9 12 3.9 、v+ 13 安全性、. ( 一,3.10 4.6,10 T 14 标志和识别 -、晶晶画4 。3.11 4.6.11 、15 可靠性。3.12 4.6.12 -一16 维修性.帽-、马 F-。3.13 4.6.1
光接收机Tag内容描述:
1、1 防水气、 3.8 4.6.8 电磁兼容性.0 / -古4.6.9 12 3.9 、v+ 13 安全性、. ( 一,3.10 4.6,10 T 14 标志和识别 -、晶晶画4 。
3.11 4.6.11 、15 可靠性。
3.12 4.6.12 -一16 维修性.帽-、马 F-。
3.13 4.6.13 17 随机文件。
3.14 3.14 18 预热时间 3.15 3.15 19 功能E常性 。
3.16 4.6.14 20 包装检验 5 4.6.7 频率范围 3.17. 1.1 4.6.15. 1.1 频段及覆盖 3.17. L2 4.6.15. 1.1 输入输入灵敏度 。
3.17. 1.3 4.6.15,1.2 21 后大工作电平 3.17. 1.3 4.6.15. 1.2 安全输入电平 3.17. 1.3 4.6.15. L2 过我保护 3.17. 1.3 4.6.15. 1.2 9 一丁SJ 20876 2003 表2(续鉴定检验分组A组B主LC 纽D组E组F组工非主温振动源电。
2、频带宽,使信号失真尽量小; (4)高可靠长寿命,尺寸与光纤直径相配,工作电压低等。
,2半导体的光电效应,半导体光检测器是利用半导体的光电效应制成。
,光生伏特效应-适当波长的光,照射非均匀半导体(如P-N结)即使没有外电场作用,也会因内建场的存在,使半导体中产生电动势(光生电压),这种内建场引起的光电转换过程称为光生伏特效应。
,条件,3PIN光电二极管,吸收区与作用区,从半导体表面到内部x方向上吸收入射光产生电子孔穴对,:吸收系数1/cm,作用区,耗尽层内 (每对光生载流子都可迅速漂移生成电流),两侧扩散长度内 (只有扩散到耗尽层边缘,才能漂移生成电流),-转换效率高、运动速度快,为了改善光电检测器的响应速度和转换效率,在P型材料和N型材料之间加一个I层(本征耗尽层),它是轻掺杂的N型材料,电子浓度很低,经扩散可以形成一个很宽的耗尽层。
这就是PIN光电二极管(PIN-PD),工作波长,PIN特点:光电转换效率较高(无光生电流放大作用),响应速度快。
,由于I层很厚具有较高电阻,电压基本上落在该区,使势垒区宽度增加,减小扩散运动影响,提高了响应速度。
,采用双异质结设计能显著提。