收藏
下载资源 加入VIP,免费下载

GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf

上传人：卡尔 文档编号：107468 上传时间：2019-07-07 格式：PDF 页数：10 大小：775.32KB
下载 相关 举报
GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf_第1页
第1页 / 共10页
GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf_第2页
第2页 / 共10页
GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf_第3页
第3页 / 共10页
GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf_第4页
第4页 / 共10页
GB T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf_第5页
第5页 / 共10页
亲，该文档总共10页，到这儿已超出免费预览范围，如果喜欢就下载吧！
资源描述

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01105.01O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置：首页 > 标准规范 > 国家标准

copyright@ 2008-2019 麦多课文库（www.mydoc123.com）网站版权所有
备案/许可证编号：苏ICP备17064731号-1