SJ 50033 117-1997 半导体分立器件 2CK38型硅大电流开关二极管详细规范.pdf

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资源描述

1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/117-“97 半导体分立器件2CK38型硅大电流开关二极管详细规范1997-06-17发布Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK38 silicon large current switch diode 1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业翠用标准半导体分立器件2CK38 硅大电流开关二极管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor discrete devices Detai

2、l specification for type 2CK38 silicon large current switch diode SJ 50033/ 117翩翩97本规范规定了2CK38翻眼大电流开关二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用部围本规fr1适用于锦件的研制、生产和果购。1.3 分类本规范根据棉件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级每种器件按GJB3385(半导体分立器件总规施)1.3的规定,提供的质最等级为普军、特军和起特牢级二三个等级,分别用字母GP,GT和GCT表示。2 引用文件GB 4023-86 半导体分立器件第二部分:整流二极管GB 6571-86 小

3、功事信号二极管、稳服及基准电压二极管测试方法GJB 33-85 半导体分立器件总规施GJB 128-86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合GJB33及本规施的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结柏应符合GJB33和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和涂鹿引出端材料应为可伐,引出端表团镀涂层为锻锦居。对引出端材料和涂层另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6.2)。中华人民共和国电子工业部199717发布1997斗。他们实施旧50033/117-973.2.2 器件销协器件采用磁外强平团结构,芯片我即采用钝化膜保护,芯片与引出端之间采用超声键合。3.2.3外

4、形尺寸外形尺寸符合本规础阁1的规定。字卖日2-0lBmm nom 口l.llXA 9.8 .Pb, 1.52 2 0.9 1.1 .PD 15.0 d 3.0* F 3.0 L 8.5 10.S L1 1.5 .pp 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R, 9.5 Ri 4.3 s 13.1 * u. 31.4 U2 19.0 f川俐,“曲( 阳VA阳一一”喃自用; 制阳明,向m. v .rf J志飞正极管应:负极回1外形图3.3 最大锁定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值一2一时50033/117-97VRWM loll IFSM 盯m型号Tc也100Tc=lOO tp= lOms

5、 v A A 2CK38A 100 2CK38B 140 30 300 175 2CK38C 180 2CK38D 220 注:1)TclOO时,按o.4N钱性降额。3.3.2 主要电特性(TA=25) VF I1u Iiu t . IF=30A VR= VRwM VR= VRWM I,=O.SA 型号TA四150IR=lA v A A ns 最大值最大值最大值最大值2CK38A 2CK38B 1.2 15 2000 150 2CK38C 2CK38D 3.4 电测试要求也测试应符合GB4023、GB6571及本规甜的相应规定。3.5标志器件的标志应符合GJB33和本规珑的规定。3.5. 1

6、极性棉件的引出端1和2为正级,管鹿为负极。4 质最保证规lE4.1 抽样和检脸抽样和检验符合GJB33和本规班的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验符合GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GC丁银)T 叩T,lfl 响65向175-65 175 C蛐R1世h)j峭eVR= 12V IH=4A, t =ls /=lMHz IM= lOmA pF K/W 最大值最大值1000 1.2 筛选按GJB33亵2和本规范的规定进行,其测试应按本规施表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除。一3一“ 50033/117-97 筛选筛瑞GJB 128 测试成试验(且GJB33褒2)方怯号(GT和GC

7、T级)3.热冲击1051 除高撒150,循环20lX外,其余同试验条件C(晦皮铺环)s.密封a细检描b粗惊捕7.中间电参数和()参数测试8.者炼9.最后测试11.外观lk机械幢瞌4.3.1 老炼条件老炼条件按如下规定:Tc= 100o /=50Hz正弦半披I0=30A t =96h 4.4 质蠢一政性检验1071 试盼条件B试验条件Cf Rt、VFIll VFI O.lVMR14或100%初始值,取较大者1038 试验条件8见4.3.1fRt、VF,IR2、t,Ill VFI O.lV6.!R14队战100%实始筒,取较大者2071 见附录k质最一致性检验应按GJB33和本规班的规定进行,由A

8、组、日组和C组检验和试验组成。4.4.1 A组检验A组检验按GJB33和本规施表1规定进行。4.4.2 日组检验B租检验按GJB33和本规范表2规定进行。4.4.3 C组检验C组检验按GJB33和本规施表3规定进行。4.4.4 B组和C组咆测试日组和C组电测试按GJB33和本规范表4规定进行。4.5 检验和试脸方法检险和试脆方法应按本规市相应的表和下列规定进行。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件按如下规定:一4脉宽乌黑500s土20%;占空比0.10%0.15%。4.5.2 反向恢复时间削试创50033/11797反向恢复时间测试战如下规定进行。IF=0.5A,、I刷1.0A, iu=0.25

9、A;反向恢复时间(trr)是从电流为哮的瞬间到反向电流减小到0.25A的时刻之间的时间间隔(见阁2所采)。I r trr +O.SA ”。.2SA-1.0A 4.5.3 琅涌电流测试浪涌电流测试按如下规定进行。IFSM=300A, Tc100tp = 10ms, .iE弦半椒,lmin 1次脉冲,如6次。Io=SA V民O因2trr测试被形表1A组检验GB4023 检验就试验LTPD 方法号条件Al分组GJB 128 s 外观及机械检瞌2071 见附最AA2分组5 极限值符号单位最小值最大值一5时50033/11797续我1GB 4023 极限值揄验就试验LTPD 符号单位11 t挂号条仲最小

10、值最大值iE向电压1日一lp目30AVp 一1.2 v 1.2.3 (脉冲法)反向电流N VR= VRWM IR1 一15 p.A 1.4.1 (直流法)A3分组5 商温工作反向电流W TA= 150土2IR2 一2000 p:A 1.4.1 VR嚣VRWM(直流法)A4分组GB 6571 5 反向恢复时间2.1.4 见4.S.2trr 一150 ns 总电容2.1.3 VR=12V C制 1000 pF /=lMHz A6分组10 槐涌电流IV -3. l 见4.S.3最后测试z同A2分组我2B组检验GJB 128 极限值检验或试盼LTPD 符号单位方揣号条件最小值最大值Bl分组lS 可焊性

11、2026 标志的耐久性1022 四分组10 热冲击1051 除高晦150外,其余(温度循环)向试验搔仲l密封1071 a继位捕试验条件Bb粗检漏试验条件C最舷测试t见我4步骤1和2部分组s 稳态工作1027 寿命T0= 100翩!。I0 = 30A, f= SOHz iE半坡,t= 340h 最后测试:见表4步鞭3和46一时50033/117-97续表2GJB 128 极限值检翰或试翰LTPD 符号单位方法号条件最小值最大值B4分组每批一开帽内部观榆2075 个器件(设计磁说)/0失效铀合强度2037 试磁条件A20(C=O BS分组GB4023 15 热阻lV-2.2.2 IH嚣4A,IM=

12、 lOmA, R创J-e1.2 K/W t =ls B6分组7 高晦缮命1032 TA踹1755(不工作)t = 340h 最后测试t见费4步骤3和4我3C组周期检验(所有质最等级)GJB 128 试毡LTPD 极限值符号单位方怯号条件最小值最大佳Cl分组15 外形尺寸2066 见阁l分组10 热冲击1056 试瞌条件B(玻璃应力)引出端强度2036 拉力试瞌条仲A:如力30N,t = 15土3s曲封1071 a细拉漏试磁条件日b粗槛漏试验条件C综合溜皮1021 省略预处理m皮周期试验外观.机械2071 见附最A检验最眉测试:见费4步瞟1和2分组10 冲击2016 14700叫t变颇振动205

13、6 按规定tii定加速度2006 98000时d最后测试:见我4步骤1和2“分组15 一7一町50033/11797续表3GJB 128 持士极限值试碰LTPD 单位方法号条仲最小值最大值盐气1041 按规定(仅对梅用)臼分割15 低气压1001 2C阳80压力时间测试电压1 103Pa 60s VR需220V试翰期间测试GB 4023 见寝4步骤1和2I Rt 15 p.A 反向电流lVl.4.1 “分组A= 10 稳森工作1026 Tc西100-o 薄命Io= 30A, /= SOHz iE弦半披t = lOOOh 最盾测试s见费4步骤3和4表4B组和C组电测试GB4023 极限值步黯幢跑

14、符号单缸测试方法条仲最小值最大值正向电压IV IF=30A VF 1.2 v 1.2.3 (脉冲法)2 反向电流W VR盟VRWMIRt - 15 p.A 1.4. l (宜就法)3 正向电压IV IF需30A变化.1.2.3 (胁忡法)lti. VF Ill 0.1 v 4 反向电流变化撒W 1.4.1 YR= YRWM MRtl) 4p.A或100%初始值,(藏流法)取较大者拉:1)本测试中跑过A组撞磁极限值的器仲不应接收。5 交货准备5.1 包装要求包装要求符合.GJB33的规定。5.2贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求 8 创50033/11797运输要求应按GJB

15、33的规定。6说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单中应有下列内容:如本规施的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);c. 数最;d. 需要时,其它要求。6.3 对引出端材料和除照有特殊要求时,见3.2.lo6.4 如使用单位需I.时,典型特性由钱可在合同或订货单中规定。一9邸50033/11797 附录A外观及机械检验要求(补充件)Al. 用5倩双目立体显微镜就放大镜检查。A2. 外观尺寸符合本规范围1的规定。A3. 玻璃与金属密封始按GJ日128中2074方法3.2.4.5规定进行。附加说明:本规拖由中国电子技术标准化研究所归口。本规部由哈尔槟晶体管厂负责起草。本规范起草人:自费昭、韩辄、孟宪金。计划项目代号:I3st0660一10

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