1、1范1. 1 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CZ101型硅开关整流二极内容细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon rectifier diode for type 2CZ101 SJ 50033/20 94 本规范规定了2CZ101型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采附01.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的特.军三级，分别用字母GP、GT和
2、GCT表示。2 引用文件 GB 4023 86 半导体分立器件第2部分:整流二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本3. 2. 1 引出端涂层范图1的规定。证等级为普军、特军和超引出端表面镀锡。对引出层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实SJ 50033/20 94 3.2.2 器件结构器件
3、采用玻璃纯化封装。在芯片的两面和引出端之间采用高温冶3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的D2-10A型，见图10L G Ll Ll 运 2 i络。电=主代号符号主运自lInr/b2 0.72 r/D G L 25 L L2 12.5 图1外形图注:1)乌为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。3. 3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值2一L :i. D2-10A 口lax0.87 3. 5 5.0 1.5 。中D、SJ 50033120 94 VRSM VRWM T lo1 I因MTop T TA =80.C TA=40.C 型号lo=c 0.3A tp= 10ms
4、 , (V) (V) (A) (A) CC) CC) 2CZI01B 75 50 2CZI01C 150 100 户2CZI01D 300 200 2CZI0IE 450 300 2CZI01F 600 400 2CZI0IG 750 500 0.3 6 -55+150 一55十1752CZI01H 900 600 2CZI01 1050 700 2CZI01K 1200 800 2CZI01L 1350 900 2CZIOIM 1500 1000 一注:1)当TA超过80.C时，按4.28mA/.C的速(见图2)。L(A) O. 。 80 150 T.:CC) 图2曲线3. 3. 2 主要电
5、特性(TA25.C) 3 -一一SJ 50033120 94 VFM1 IR1 IR2 IFM=O.9A VR=VRWM TA=125C 型号VR=VRWM (V) (A) A)口lax口lax口lax2CZI01B 2CZI0IC 2CZI01D 2CZI01E 2CZI01F 2CZI0IG 1. 65 3 35 2CZI0l日2CZI01 2CZ101K 2CZI0IL 2CZ101M 3.4 电测试要求电测试应符合GB4023及本规范的规定。3. 5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标志za. 制造厂的识别pb. 检验批识别代码;C. 型
6、号命名中的2C部分。3. 5. 1 极性标志器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验程序应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定4.3 筛选(仅对GT和GCT级)。筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表l进行，超过本规范表1极限值的器件应于刑阴、。一4-一SJ 50033120 94 (见GJB33表2)测试或试3 热冲击低为一55C外，其余同试验条件F4、5不要求7 中间电参数测试VFM和lR18 电老化TA=25C lo=0.3A VR=VRWM f=50Hz 正弦半波 本规施表1的A2
7、分组9a最后测试t:JR1 =初的100%或士0.3A.取较大者。VFM=土O.lV4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4. A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.1 )的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(.1 )的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和如下规定。4. 5. 1 稳态工作寿命在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电
8、压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于1800，不小于1500。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2. 1条的规定。4.5.3 浪捅电流在规定的温度下，对器件通以额定正向平均电流，然后流。加规定的正向(复)浪涌电5 一一SJ 50033120 94 表1A组GB 4023 极限值检验或LTPD 符号单位方法条件最小值最A1分组5 外观及机JB 128 071 A2分组5 正向电压IIv-1. 2. 3 lFM=0.9A tp=10mS VFM1 1.65 V 占空因数2%反向电流V-1.4.1 VR=VRWM lRl 3 A A3分组
9、5 作TA=125C 正向电压V-1.2.3 hM=0.9A tp=10mS VFM2 1. 65 V 占空因数2%反向电流V-1.4.1 VR=VR啊lR2 35 A 低温二作TA=-55C 正向电压IIv-1. 2. 3 lFM=0.9A tp=10mS VFM3 2. 0 V 占空因2% A6分组10 浪涌电流见本规范TA=40C . 5. 3 lo=0.3A hSM=6A tp=10ms 每间隔1min1共10次最后测试按表4，1和2 表2B组检验, GJB 128 检验或试验LTPD 方，法条件B1分组15 可焊性2026 标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 除为一5
10、5C外，其余同试验条件F一1最后测试按表4，步1和2+ B3分组5 稳态二作寿命1027 lo=0.3A VR=VRWM f=50Hz正弦半波最后试按表4，步1、2和3B6分组命1032 TA=175C (非工作状态)最后测试按表4，1、2和36 一一SJ 50033120 94 表3C组检验 GJB 128 极限值检LTPDI符号最小值|最大值单位C1分组外形尺寸C2分组热冲击引出拉力弯综度/度外机械检最C5分组(适用时)低气压期试反向电流C6分组稳态工作寿命最后测试方法条2066 见图11056 条件B2036 条件A，讥T=1500gt=15s 试E 1021 省预处理2071 按表4.
11、1001 试验条件Dt=60S I GB 4 |肌1.4. 1 I VR=VRWM 1026 I TA=25C lo=0.3A VR=VRWM 件l和2f=50Hz正弦半波按表4.步骤1、2和315 I 10 15 =10 表4A，、C组检验的电测GB 4023 符号方法条件1 正向电压iv-1. 2. 3 lFM=0.9A VFM1 tp=10mS 占空因数运2%2 反向电流IV-1. 4. 1 VR=VRWM hl 3 反向电流变化IV-1. 4. 1 VR=VRWM illRjl) , 注:1)本测试超过A组件不应接收。5 交货I lR1 3 A 极限.单位最小值最大值1.65 V 3
12、A 初的100%或士O.3A取较大者一一7 一一SJ 50033120 94 5. 1 包装要求包装要求应符合GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应符合GJB33的规定。5. 3 运输要求运输要求应符合GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符FT本规班的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容za 本规范的名称和珊亏Pb. 等级(见1.3. 1) ; c. lLLll王;d. 需事时，其他要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1条)。如使用单位时啕典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂础干。本规范主要起草人:王继红、刘东才、金贵永。计划项目代号:Bll027o一-8 一一
