1、中FL 5961 电SJ 50033/22 94 、a:口I-. Semiconductor discrete device Detail specification f or silicon tuning varactor diode for type 2cc51E 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CC51E型硅电调变容二极管详细规范1 范围Semiconductor discrete device Detail specification for silicon tuning varactor dio
2、de for type 2cc51E 1. 1 主题内容SJ 50033122 94 本规范规定了2CC5IE型硅电调变容二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于的器件的研制、生产和采啊。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军和特军二级，分别用字母GP和GT表示。2 引用文件3 GB 6570一86微波二极管测试方法GJB 33一85半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 半导体分立器件微波二极管外形尺寸3.1 详细要求各项要求应
3、按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为无氧铜。引出端表面应层。对引出端涂层另有要求时，在合同或订中华人民共和国电子工业部1994-09-03发布1994-12-01实SJ 50033122 94 货单中应予规定(见6.3)。3.2.2 器件结构外延台面，芯片内引线采用热压3. 2. 3 外形尺寸外形尺寸按GJB寸图如f:，反面用高温金浆与管壳烧结。半导体分立器件微波二极管外形尺寸的W4-01型，其外形尺0.2 X 45 。.2X 45气N.-vs Z币1-N$J-N事骂EXE
4、-守同5.3 s 11.2土0.5!到i外形尺寸3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值) VR T呻T. r lOt 型号(rnW) (V) ( (、)( C) 2CC51E 500 3 :J 5-L!j 55175 E 3. 3. 2 主要电特性(TA=25C) 极(、( I( ,;)1) Q 0 1Rl 限VR=OV Vl =(JV VR=4V VR=30V f=lMHz V仪之一30V1-9, 375MHz (A) (pF) 型号最小值最大最d最大值最小值最大值最小值最大值 2CC51E O. 5 3. 9 6. 5 6 3 注:1)封装电容Cp为O.3pF(典型值)。
5、3.4 电测试要求电测试应符合GB6570及本规范的规定。2一SJ 50033122 94 3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 4. , 抽样和检验抽样和检验按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予刑仰。选(见GJB33表2)3热冲击5密封6高温反偏7中间电参数测试8电老化9最后测试4.4 质量一致性检验试验方法方法号1051 1071 1039 1038 测i式为一55C循环10次外，其余同试验条件Fo试验条件CTA=125 C、V
6、R=24V96h 表1的A2分组IR和CjoTA=125C、V民;=12V 96h、I=50Hz正向峰值电流1-5A反向峰值电压25V按本规范表i的A2和A4分组Ff:.C 二三初始值的士15%。质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. A组检验A组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 c组町町C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试应按本规范表4的步骤进行俨，、.) -一，SJ 50033122 94 表1A组检验GB 6570 极限值检验或试验LTPD
7、符号单位方法条件最小值最大值A1分组GJB 128 5 外观及机械检验2071 A2分组5 反向电流5. 1 VR=30V IR1 0.5 A 络电容5.5 VR=OV Cjo 3.9 6.5 pF f=lMHz 电容变比5. 5 VR1=OV C, I 6 VR2=30V C邮f=lMHz A3分组5 高温工作反向电流5. 1 VR=30V IR2 5 A TA=125 C A4分组5 Q值5. 8. 3 VR=4V f=9.375GHz Q 3 表2B组检验GJB 128 检验或LTPD 方法条f牛B1分组标志的耐久性1022 15 B2分组除低为-55C环10次外，10 热冲击(度环)1
8、051 其余同试验条件F。密封1071 试验条件C最后测试z按表4步1和3B3分组5 稳、态工作寿命1027 TA=85 C VR=llV f=50Hz正向电流15A反向峰值电压24V最后测试z按表4步2和4出分组7 高温寿命(非工作状态1032 TA=175 C 340h 最后测试2按表4、步2和44一SJ 50033122 94 -表3C组检验GJB 128 检验或LTPD 方法条件T C1分组2066 见图l15 外形尺寸C2分组10 热冲击(前璃应力)1056 条件A引出端强度弯力矩本规程附录A弯力矩=60mN m 密封1071 条件C综合/湿期1021 外观及机械检验2071 最后测
9、试2按表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 按4900m/s2(500g)0.5ms在x.y方向上各冲击5次变频振动2056 恒定加速度2006 196000m/s2(20000g) 在x.y方向上各进行1min最后测试:按表4步l和3C6分组=10 稳态工作寿命1026 TA=85 C VR=llV f=50Hz正向峰值电流1-5A反向峰值电压24V最后测试z按表4步2和4表4B组和C组检验的电测试GB 6570 i极限值测试符号单位方法条f牛最d最大值十反向电流5. 1 VR=30V IR1 O. 5 A 2 反向电流5. 1 VR=30V IR1 1. 0 A 3 结电容5. 5 V
10、R=OV Cjo 3. 9 6.5 pF f=lMHz 4 络电容5.5 VR=OV f=lMHz C., 3. 7 6. 8 pF 5 准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求一5一SJ 50033122 94 贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6说6. 1 预定用途符合本规洁的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货合同或订货单应规定下列内容za. 本规范的名称和编号pb. 等级(见1.3. 1) ; C. 数亘;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.
11、2. 1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。一6一A1 目的SJ 50033/22 94 附录A弯力矩试验方法(补充件)本试验是为r检验金属陶瓷封装同轴型器件的抗弯曲能力。A2 设备弯力矩试验需要固定器件的适当夹具和规定的重物。A3 试验方法将器件的一端固定在支持器上，在另一端沿与轴线垂直方向上无冲击地悬挂规定的重物。加力矩后支持器在10s时间内匀速地旋转三周。A4 最后检查试验后，放大310倍进行目视检查。如果电极和资管之间出现断裂、松动和相对移动等任何迹象，器件应判作失效。A5 有关规范中应给出的对器件所加弯力矩的数值。附加说明:本规市由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由970厂和中国电子标准化研究所起草。本规泡主要起草人:沈继昌、石志坚。项目代号:Bll022。一7一
