1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 时50033/571995半导体光电子器件GF 115型半导体红色发光二级管详细规范Semiconductor optoelectronic device Detail specification for red light emitting diode for type GFl 15 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和固电子行业军用标准半导体光电子器件GF 115挝半导体红色发光二级管详细规范SJ 50033/57 1995 atv 、4, . 耐！h54E- AHHt 盹叫mmMmn
2、阳叫Mhmm圳、叫4aaJmnr hmO二04Eta, . 叩倒hm臼阳ii buptwAU 时严唱ds-m nit MMMU川un唱mhme oB 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了GF115型红色皮光工级管的详细资求。1.2 适用部罔本规疏通用于军用GFUS红色发光二级管（以下简称器件）的研制、生产和采购。1.3 分费1. 3. 1 器件的等级按照GJB33（半导体分立器件总规拖的规定，提供的质最保证等级为曾率和特军两级，分别用字母GP和GT表示。2 引用文件GJB 3385 半导体分立器件总规班GJB 128-86 半导体分立器件试验方法SJ 2355 83 半导体发光器件测试方法创
3、Z9014 .2-87半辱体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件3 要求3. 1 概述各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构股按照GJB33中3.5.1、3.5.3、3.5.4、3.5.7条和本规范的规定。外形尺寸符合本规浓阁1的规定。 .2. 1 半导体芯片材料芯片材料为磷化嫁。3.2.2 引用端排列中华人民共和国电子工业部1995-055发布1995-12且1实施SJ 50033/57一19臼如图1所示L 盯lffi数值数值尺寸符号尺寸符号最小标称最大最小栋称最大A 7.8 - 8.2 e 2.54 问日由由0.7 F 0.8 一1.2
4、Bl 0.45 由0.55 L 24 时c 0.45 - 0.55 L1 叩1.0 m 5.8 由6.0 12 22.5 叩Dl 4.8 喃5.0 M 5.3 - 5.5 因13.2.3 封装形式环氧树脂非空院封棋，见图lo3.2.4 号线伏度可按合间的规定（见本规部6.2条）提供引线长度不同于本规范围1规定的器件。3.3 号纯材料和引线除牍引线材料为铁合金或锅合金，引线揄磁镀银或镀金，也可按照合同规定（见本规班第6.2条）。3.4 最大额定值和主要光电特性3.4. 1 最大额定值（除另有规定，Tamb=25）FA-D Im-3 FM 巧立6hd圳酬bT今1二 40 100100 呻4085放
5、：1)脉冲宽度O.lms，占空比l/lOo3.4.2 主要光电特性（TA=25）f.，币现时F= lOmA, 最小大阳叫叫时时1时时时时时时一旦(IF= lOmA) .l.p tot 一一_illf(V=O,f=lMHz) I nm IF= lOmA (YR出6V)1. 5 0.8 2.5 I 690 I 710 50 5 一2时50033/57一19953.5标志根据器件特点，省略GJB33中器件上的标志，其余按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和性验抽样和检验应按GJB33和本规拖的规定。4.2 筛选（仅对GT级）筛选按GJB33和本规泪满1的规定。我1筛选步骤柏：条件（仅对
6、GT级）序号检验或试瞌GJB 128 符号方怯条件内部目榆（封鞭2073 放大30倍检验.“ 前）2 商温寿命1032 T耶iooct =24h 除最高祖度T=1ooc. 3 热冲击1051 最低掘股市40C，循环（温度循环）次数10次外，其余叫试验条件A4 度值班（不加要速求）-响-5 密封（不要求） .” 忡6 用高温）反偏（不适时- 中间电参数e测试发光强度划Z9014.2 I= lOmA,0=0 Iv 7 4.1.1 正向电压SJ 2355.2 IF= lOmA VF 反向电流SJ 2355.3 VR=6V VIR 8 电老化I=30mA 叩t =96h 最后测试（者化后72h内9 完
7、成）SJ/Z 9014.2 IF= lOmA，。口。ti.Iv 发光强度4.1.1 匈2355.2IF lOmA ti.VF 正向电服10 密封（不费求）由-叫11 外观及机械检验2071 放大20倍检验四4.3 鉴定检验鉴定检验应按GJB33和本规施表2、表3和表4的规定。极限值单位最小愤最大值芯片究费、电极完鼓- - 呻由叩由四四叫 - -1.5 med 一2.5 v - 5 A 叩叫甲20%初始值med 甲土50mV “ ” . 无气油、无裂缝一3一旧50033/5719954.4 质量一致性检验质量一致性检验应钮括A组（见我2）、日组（见表3）和C组（见表4）中规定的检验和试验，以及下
8、面的规定。4.4. 1 如果制造厂选择下面的方法做试验，应在做相应日组试验之前，指定C组检验中使用的样品，而且计算C组检验接收或拒收的失效器件数应等于B组检验中指定继续做C组检翰的样品中出现的失效器件数加上C组检验中出现的失效器件数。a. 在做C组检验中的寿命试验时，制造厂可以选择巳绕过340h的B组寿命的金部样品或部分样品再进行660h的试验，以满足C组寿命试验1000h的要求。b. 在做C组检验的温度循环试验时，制造厂可以选择已经过日组io次循环的全部样品或部分样品再进行15次循环，以满足C组25次循环的要求。4.4.2 C细检验应在相始批时开始进行，然后在生产过程中每隔6个月进行一次。4
9、.4.3 如果合问中巴嫩规定（见本规范6.2条），那么制造厂应将质最一致性检验数据向产品一起提供。4.5 检脸和试验方法检验和试验方法按我2、农3、我4和表5中的规定，并做如下规定：4.5. 1 稳态工作舟命器件处于最大假定电流为30mA的.IE向偏置。表2A组检验极限值幢验成试验符号方法条件最小值）l最大值械A外i观检分Z验组A机2071 放大20倍检验元气油、无裂雄A2分组发光强度Iv 即Z9014.2 IF=lOmA,8=0 1.5 叫4.1.1 光强度Iv SJ/Z 9014.2 IF = lOmA, 8 = 30 0.8 甲4.1.1 反向电流IR 旦J2355.2 口6V5 正向电
10、压VF 四2355.3Ir lOmA 2.5 一叫一mA3分组反向电疏IR SJ 2355 .2 了乳白，b=85 100 VR=6V 正向电压VF SJ 2355.3 Tamb叩40C.“ 3 IF= lOmA A4分组峰债发射Ap 创/Z9014.2 IF出lOmA690 710 披4.1.4 电容Co耐SJ 235.4 VR = o. f-lM刊z啕咿50 一4一单位LTPD 由5 5 med med A v 5 A v 每批nm 抽验3只骂掌失效pF SJ 50033/57一1995表3日组检验检验就试验GJ日128方法条件LTPD 可Bl焊分性组2026 受试引钱数：215 姐血（温
11、冲卦度击姐睛环除高掘数100次，低外植，其叩401051 循环余按试验条件A10 最后测试费St如鞭1B3分组稳忍工作1027 IF= 30mA, t = 340h 5 寿命费5步骤1最后测试r不4分适组用）由由r不5分要组求）四- 8高6撒分寿组命1032 表T啕5= 100，t 340h 7 （不工作）步骤最后测试表4C组检验检验或试验GJB 128 L丁PD方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见本规1f!.因lC2分组10 热冲击1051 除高植lOOC外，低躏血40外，真（谧皮循环）余按A一1条件引出端强度2036 试验是件E锦合温度1021 器件应带央具醒度问期试验处观及机械试验
12、2071 放大20倍检瑜，应元气泡、无裂缝最后测试我5步骤lC3分组由叫叩（不要求）C4分组1041 按规定就气（适用时）15 cs分组叫-时（不要求）“分组稳态工作IF= 30mA, t = lOOOh k如10寿命1026 最后测试亵5步醺2C7分组10 高混寿命（不工作）1032 Tstg= lOOC, t = lOOOh 最后测试表5步骤2一5创50033/5.719部表5B组和C细的测试GJB 128 极限值步骤检验符号方法条件最小值最大值反向电榄SJ 2355.3 VR:6V IR - 5 正向电压邱2355.2IF出lOmAVF 2.5 发光强度SJ/Z 9014.2 IF= l
13、OmA Iv 1.S 响4.1.1 。盟。2 反向崽榄SJ 2355.3 VR踹6VIR 由so 正向电压句2355.2lp= lOmA Vp 四2.15 发光强度SJ/Z 9014.2 lp= lOmA Iv 1.3 - 。捕。5 包提包装应符合GJB33的要求。6 说明事项6. 1 预定用途在各种电子仪器设备中做报法和指示。6.2 订货文件内睿a. 如果引线不是镀银或镀金，应规定镀鹿（见本规施3.3条）；b. 如果引线怯度不同于四1，应规定引线怅度。（见本规部3.2.4条）；c. 检验数据（见本规拖4.4.3条）6.3 定义本规施使用的定义缩写词、符号和代号应符合GJB33、SJ/Z9014.2和下列规定：。一一与器件机械袖之间的央角。附加说明：本规植由中国电子技术标准化研究所归口。本规戒由伏春市半导体广负责起草。本规施主要起草人：岛学之、陈鸣攒计划项目代号：B21029o6一单位A v med A v med
