1、FL 5961 J、SJ 50033/58一1995、Semiconductor optoelectronic device Detail specification for green light emitting diode for type GF413 自1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器体GF413型绿色发光二极管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor Optoelectronic device Detail specification for green light emitt
2、ing diode for type GF413 本规范规定了GF413型绿色发光二极管的详细要求。1. 2 适用范围SJ 50033/58 1995 本规范适用于军用GF413型绿色发光二极管(以下简称器件)的研制、生产和采购。1. 3 分类1 .3. 1 器件的等级按照GJB33(半导体分立器件总规范的规定，提供的质量保证等级为普军和特军两级，分别用字母GP和GT表示。2 引用文件GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 2355 83 半导体发光器件测试方法SJ/Z9014.2 87 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件3 要
3、求3. 1 各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构应按照GJB33中3.5.1、3.5.3、3.5.4、3.5.7条和本规班的规定。外形尺寸符合本规范图1的规定3.2.1 半导体芯片材料芯片材料为磷化3.2.2 引出端排列如图1所示。中华人民共和国电子工业部19955-25发布1995-12-01实 、尺寸数值符号最标称A 7.8 B Bl 0.45 C 0.45 D 5.8 m 4.8 3.2.3 封装形式环氧树脂非空腔封装，见图103.2.4 引线长度SJ 50033/58一1995A L F mm 尺寸数值最大符号最标称最大8.2 e 2.5
4、4 0.7 F 0.8 1.2 + 0.55 L 24 0.55 Ll 1.0 6.0 L2 22.5 5.0 M 5.3 5.5 图1可按合同的规定(见本规市6.2条)提供引线民度不同于本规范图1规定的器件。3.3 引线材料和引线涂层引线材料为铁合金或铜合金，引线涂层镀银或镀金，也可按照合同规定(见本规范第6.2条)。3.4 3.4. 1 额定值和主电特性定值(除另有规定，T.mb = 25t ) IF IFM VR (mA) (mA) (V) 30 100 6 注:1)脉冲宽度O.lms，占空比1/100一2一PM T . 也T啕(mW) (C ) (C ) 90 -40-85 -40-1
5、00 SJ 50033/58一19953.4.2 光电特性(TA=25t) Iv Iv VF F C.,. I (mcd) (mcd) (V) (nm) (PF) (A) (IF= 10mA, IF= 10mA, (IF= 10mA) (IF= 10mA) (V=o, (VR =6V) 。=0.)。=30.) f= lMHz) 最小值最大值最最最小值最最小值最大值最小值最大值最小值|最大值5 2.5 2.5 560 570 50 5 3.5标志根据器件特点，省略GJB33中器件上的标志，其余按GJB33的规定。4质定4. 1 抽样和检检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 筛选(仅对GT级)
6、筛选按GJB33和本规范表1的规定。表1筛选步骤和条件(仅对GT级)捡或GJB 128 极限值序号符号单位试方法条件最最大值内目检t，.JPF且L1YdE, 放大30倍、1 2073 (封装前:Y但垒i:寿命T= 100(; 2 1032 t =24h 除最高T= 100t 冲击最-40t, 3 1051 度环)10次外，其余按试验条件A。4 恒定加速度(不要求)密封5 (不要求) 高6 (不适用)中电参数测SJ/Z 9014.2 试IF= 10mA, 8=0 Iv 5 mcd 发光强度4. 1. 1 7 IF= 10mA VF 2.5 v SJ 2355.2 正向电压5 A VR=6V IR
7、 SJ 2355.3 反向电流3一SJ 50033/58一1995续表1极限GJB 128 单位检或符号最l、值序号值试方法条件 IF=30mA 8 电老化t =96h 最后测试20% SJ/Z 9014.2 mcd (老化后72hIF= 10mA, =0 .J守9 内完成)4. 1. 1 AVF mv ,= 10mA 土50 发光强度SJ 2355.2 正向电压密封10 (不要求外观及机械无气泡、无裂2071 放大20倍检11 检验4.3 鉴定检验鉴定检验应按GJB33和本规范表2、表3和表4的规定。4.4 质量一致性检性检验应包括A组(见表2)、B组(见表3)和C组(见表4)中规定的检验和
8、试，以及下面的规定。4.4. 1 如果制造厂选择下面的方法做试验，应在做相应B组试验之前，指定C组检验中使用的样品，而且计算C组检验接收或拒收的失效器件数应等于B组检验中指定继续做C组检验的样品中出现的失效器件数加上C组检验中出现的失效器件数。8. 在做C组检验中的寿命试验时，制造厂可以选择已经过340h的B组寿命的全部样品或部分样品再进行660h的试验，以满足C组寿命试验1000h的要求。b. 在做C组检验的温度循环试验时，制造厂可以选择已经过B组10次循环的全部样品或部分样品再进行15次循环，以满足C组25次循环的要求。4.4.2 C组检验应在初始批时开始进行，然后在生产过程中每隔6个月进
9、行一次。4.4.3 如果合同中已做规定(见本规范6.2条)，那么制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。4.5 检验和试验方法检验和试验方法按表2、表3、表4、和表5中的规定，4.5. 1 稳态工作寿命器件处于最大恒定电流为30mA的正向偏置。4一下规定:SJ 50033/58一1995表2A组检验限检验或试验符号方法条件单位LTPD 最小值最大值 丛分组机2071 放大20无气泡5 械检验A2分组5 发光强度Iy SJ/Z 9014.2 IF= 10mA. 8=0t: 5 mcd 4 1 1 发光强度Iy SJ/Z 9014 2 1 F = 10mA. 8 = 30 o 8 mcd 4
10、 1 1 反向电流I SJ 2355 2 VR=6V 5 A 正向电压V S 2355 3 IF= 10mA 2.5 V 十A3分组5 反向电流I SJ 2355.2 T unb= 85t: 100 A VR=6V v 正向电压V SJ 2355 3 T unb= - 40t: 3 IF= 10mA A4分组每批烧值发射 SJ/Z 9014 2 IF= 10mA 560 570 nm 抽验波长4.1 4 3只4 零失效电容CtDt S 2355.4 VR = O. f= lMHz 50 PF 、表3B组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件Bl分组 15 百焊性2026 受试引线数2
11、2B2分组10 热冲击1051 温100t:.低-40t: 环)环次数10次外，其余按条件A最后测试表5步骤1B3分组5 作寿命1027 IF= 30mA. t = 340h 最后试表51 B4分组(不适用)5一SJ 50033/58一1995续表3GJ 128 LTPD 方条件部分组(不要求)(不工作)1032 T啕=100t. t = 340h 表5步1 7 最后试表4C组检验检验或试验GJ 128 LTPD 方法条件C1分组外形尺寸2066 见本规范图115 分组10 热冲击1051 除高温100t.低-40t外.其环)余按A1条件引出强度2036 条件E综合温度/湿度1021 器件应带
12、夹具用外观及机2071 放大20倍，应无气最后测试表5步骤1C3分组(不要求)c4分组盐气1041 按规定15 (适用时) C5分组(不要求)c6分组态工作寿命1026 IF= 30mA.t= 1000h =10 表5步2 c7分组10 高寿命1032 T啕=100t t = 1000h (不工作)表5步2 最后测试6一SJ 50033/58一1995表5B组和C组的测试 步GJB 128 符极检号最大值方条件最小值1 反向电SJ 2355.3 VR=6V IR 5 正向电流SJ 2355.2 IF= 10;nA VF 5 2.5 发光强度SJ/Z 9014.2 IF= 10mA Iv 4.
13、1. 1 。=0.2 反向电流SJ 2355.3 VR=6V IR 50 正向电SJ 2355.2 IF= 10mA VF 2.75 SJ/Z 9014.2 IF= 10mA I y 4.5 。=0.5包包装应符合GJB33的要求。6 说明事项6.1 预定用途在各种电子仪器设备中做显示和指示。6.2 订货文件内容a. 如果引线不是镀银或镀金，应规定镀层(见本规范3.3条): b. 如果引线民度不同于图1，应规定引线伏度。(见本规范3.2.4条1c. 检验数据(见本规范4.4.3条)6.3 术语, 本规范使用的术语、缩写词，符号和代号应符合GJB33、SJ/Z9014.2和下列规定:一与器件机械轴之间的夹角。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由长春市半导体厂负责起草。本规范主要起草人:马学之、陈鸣嫂。计划项目代号:B21030。单位A V mcd A v mcd 一7一
