1、中FL 5961 SJ 50033/61一1995.J. 1 亮1宣1土)I 1 目日日吕Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK6547 high voltage and power swithing transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件3DK6547型高压功率开关详细规范体Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK6
2、547 high voltage and power switching transistor 、1 范围1. 1 主题内容SJ 50033/61 1995 本规范规定了3DK6547型高反压功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研究、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB33半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85
3、 半导体分立器件总规程GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。号!出端表面应为锡理或镇居一中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布一一1995-12-01实黠一1SJ 50033/61一19953.2.2 器件结构采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2-01C型及如下的规定。见图10R1 口1m8 B2-01C 符nun 2-110m max A
4、一帆一帆一仙二d-F-L-L一伊L (芒)ND 1. 52 1.092 22.86 0.966 5.46 U 3.50 13.9 1. 52 4.21 30.40 13.58 4.82 U1 3.84 29.90 q-D叫-L-s一叭一叭吧吃16.89 1b1 .l h斗1一基极2一发射极集电极接外壳1b2 图13DK6547外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3.1 最大额定值pu Vm VCEO V囚犯Ic TJ T . 1Dt 型号Tc=25C (W) (V) (V) (V) (A) (C ) (C ) 3DK6547 175 850 400 8 15 175 - 55-175 注:
5、1)Tc25C时按1.17W/C的速率线性地降额。3.3.2 主要电特性(TA=25t) 一2一SJ 50033/61一1995hFE1 V皿VBE皿fT 极V=2V Ic= 10A Ic= 10A V= 10V 限Ic=5A IB=2A IB=2A Ic=0.5A 到f=1MI-也号(V) (V) (MHz) 最大值最3DK6547 12-60 1. 5 1. 8 6-28 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定。4
6、.3 筛选(仅对GT和GCT级)td t , Ic=10A 1 Bl = - 1 B2 = 1A 最大值0.05 1. 0 t. tf R(由)j.cV=10V Ic=2A (S) (t/W) 最大值4.0 0.7 0.85 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予削阳。选(见GJB33的表2)试试7.中间电参数测试ICBCl和hEE18.功率老化功率老化条件如下:TJ 162.5士12.5tV=30V P，117W 9.最试按本规范表1的A2分组6.ICOOl初始值的100%500A.取较大者hFEl初始值的土20%4.4 质量一致性检
7、验 性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。3一8J 50033月1一19954.5 检验方法应按本规范相应的表和下列规定24.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的剧尼。表1A组检验GB 4587 检验或L-fPD 方法条件Al分组GJB 128 5 扑观及机械检验2071 A2分组5 集电极发射极本规范发射极基极开路击穿电压附录AIc=5mA 发2 902 2 集电极基极开路;击穿
8、电压IE= lmA 集电2.1 发射极蓦极开路;止电流VcB=850V 集电极发射极214 发射极基极开路; 止电流V=200V 集发射极2.3 Ic= 10A 饱和电压IB=2A 脉冲法(见4.5.1)基电极发射极2.4 Ic= 10A 饱和电压IB=2A 脉冲法(见4.5.。正向电流比2.8 V=2V Ic=5A 脉冲法(见45 1) A3分组5 温工作:T = 125土5t:集电极2 1 发射极基极开路;截止电流VcB=0.7V，。低I作:1、，=- 55t: 正向电流传输比2 8 VcE=2V Ic=5A 脉冲法(见45 1) A4分组5 特也2 11.2 VCF= lO V Ic=
9、0 5A f= lMHz 在迟时间Ic= 10A 立升时间iL存时i司A4 下降时间4一 极值符号牛V(BRlCEO 400 v V(BREBO8 V I101 1 mA Io 3 mA V皿1. 5 v VBE酣1. 8 V hFE1 12 60 Ic阪丑10 mA hFEO 8 fT 6 28 MHz td t , 1 0s t. 4 0 s tf 0.7 s 4 或试验A5分组安全工作区(直流)4 试1 试2 试验3最后测试:Bl分组可焊性检标志耐久性B2 热冲击密封B. 细b. 粗检最后测试:B3 稳态工作寿命最后测试:B4分组(仅对GCT级)开帽内部自检(设计核实)强度B6 高温寿命
10、(非工作状态)最后测试方法时50033月1一1995续表1GB 4587 LTPD 符条件10 Tc=25t: t = 15.单次V= 11 6V lc= 15A V=25V lc=70A V=400V lc=30mA 见表4步1和3表2B组检验方法2026 1022 1051 1071 1027 2075 2037 1032 e GJB 128 条件低-55t: 其余为试F |试H 条件E见表4步1和3TJ = 162 5士12.5t:VCF - 30V PtDt117W 见表4步骤2和4条件ATA = 175t: 见表4步骤2和4号限值最最LTPD 15 I 10 5 每批一个嚣件0失效2
11、0( C = 0) 7 单位一5一SJ 50033/61一1995表3C组检验GJB 128 值检LTPD 符号单位方法条件最最大Cl分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 热冲击1056 件B(玻璃应力)引出端2036 试验条件A外加力:20N时间:10S受试引出数:2密封1071 B. 细试件Hb. 粗检试件F综度/1021 期试验外观及机械检2071 最后测试:见表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 振动2056 度2006 最后试:见表4步1和3分组15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 C6分组态工作寿命1026 TJ = 162 5土12.5tV=30V ). = 10 Pt
12、ot117W 最后测试:见表4步2和4分组15 热阻GB 4587 V= 10V R(由lJ-e0.85 C /W 2.10 Ic=2A 25 C :; T c:; 75 C 6一SJ 50033/61 i 995 表4A组、B组和C组试GB 4587 步检验方法条件符号最小值I:缎1 l集电极基2.1 发开11 COOl 1. 0 极截止电流vcs= vm 2 l集电极基2.1 发极开. , 2.0 极止电流V= VCIIO 3 l正向电比2.8 V=2V I hFE1 12 60 lc=5A 脉冲法(见4.51) 4 l正向电流传输比2 8 Jv=2V lc=5A t:.h陀11) 初始值
13、的脉冲法(见4.5.1)士25%注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。要求求应按GJB33的规定。6说明白1预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称及编号;b. 等级(见1.3.1);c. 数量Ed. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5 安全工作区见图2。单位I mA I mA 一
14、7一 SJ 50033/61 1995 iTh25ill T 一! 1 ! d IS ( 1OB、旬， M唱(J 、.JH哼也P秘十一一一-户，十世p1 t I 11 峨1.0!-:-吐=片-哼l-r i t-i liflJjili _. I I - n 1 L r j I i 1 .:=;:J:q; J 0.02 l-. 1. 0 10 102 103 电极一发射极电压V(V)图23DK6547的直流安全工作区8一A(标准的附录)电极一发射极击穿电压测试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电压是否大于规定的A2 剧试电路图。A V CE Rl 图Al集电极一发射极击
15、穿电压测试电+ G -限。注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的较正。A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(皿)CEO的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 条件a. 环境温度TAb. 测试电流Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起千。本规范主要起草人:蔡仁明、周志坤。计划项目代号:B210049一
