1、中2吁同-国电FL 5961 8J 50033.49 94 Semiconductor discrete device Detial specification for step recovery diodes for 2CJ4220 series 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部1范中华人民共和国电子行业军用, 半导体分立器件2CJ4220系列阶跃二极管详细规范Semiconductor discrete device Detial specification for step reeovery diod四for2CJ4220 series , 1.
2、1 主题内容SJ 50033.49 94 本规范规定了2CJ4220系列阶跃二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规商适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二极管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 1557 92 半导体分立器件微披二极管外形尺寸3 要求 3. 1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。
3、3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜，表面涂层应为金。中华人民共和国电子工业部1994-0930发布 普军、特军和1994-12-01 一1一, SJ 50033.49 94 3.2.2 外形尺外形尺寸按GJB1557 92的W7-01型，如图1。:z:-3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定型号VRM (V) 中。 且tD嗣同图1外形图IF (mA) 自1口1尺寸符号自unmax t/D 2.54 2.66 t/D1 1. 72 1. 88 t/E 0.94 1. 00 H 2.8 3
4、.6 Hl 1. 50 2.10 T.幅Top (t; ) (t; ) 2C4221 20 20 -65- + 175 -55-+125 2C4222 注:1) T amb 25C时按0.2mNC线性降额。3.3.2 主要电特性(T.mb = 25t ) VRR I VF Cj IR = 10AIIF = 10 (V) I (V) VR = 6V f = 1M也(pF) 最小值|最大值|最小2C4221 2C4222 20 3.4 电测试要求1 0.2 电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。, 4 保证规定2一0.8 tot I r IF =
5、10mAj IF = 5mA VR = 10VIIR = 40 (ps) I (ns) 60 50 最小值3 Q VR=6V f =9.375GHz 11 Z(由)r脉宽:10ms IF =500mA (t;jW) 最300 L SJ 50033.49 _. 94 一4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规艳的规定。其表1极限值的器件应予以剔除。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范选见GJB33表23 热冲击7 中间测试8 功率老化9 最后测试试验方法GJB 128方法10
6、51 1038 测除循环20次外，其余同试条件F。V(BR)、VF失效判据同最后测试。见4.3.1ILlVBRI2V; I Ll V F I O. 1 V; 试其他参数:按本规范表1的A2和A4分组4.3. 1功T.mb = 85 C ; .FM = 10mA; f = 50Hz; VRM = 17V。4.4 质量一致性检验4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规施表3的规定进行。4.5 检验和试验方法试验方法应按本规范相应表的规定。表1A组检验GB 85
7、70 检验或试验LTPD 方法条件Al分组5 外观及机械检查GJB 128 2071 A2分组5 反向击穿电压3.1 R -= 10A 正向电压3.3 VF = IOmA 结电容3.5 IR = 6V f = lMHz 符号V(ER) VF C1 极最小值20 1 0.2 0.6 单位v v pF 一3一SJ 50033.49 94 续表1GB 8570 检LTPD 符号单位方法条件最大值A3分组5 高温工作T阳也=125t: 反向齿穿电压IR = 10A V(ER) 16 V 低温工作T.mb = - 55t: .n , 反向击穿电压IR = 10fLA V(BR) 16 v A4分组5 阶
8、跃时间3.9 IF = 10mA tst VR = 10V 2C4221 80 ps 2CJ4222 50 , ps 少子寿命3.8 IF = 5mA 8 ns IR = 40mA 优值5.8 i V R = 6V Q 11 j = 8.375GHz 表2组检验GJB 123 限检验或试验一一一LTPD 符号单位方法条件最小值最大值B2分组10 热冲击(温度环)1051 试验条件F一lt(极限)15min 密封1071 a. 细试验条件Bb. 粗检漏试验条件C最后测试:按表4步骤1和2m分组5 态工作寿命1027 T amb = 85t:、IFM=lornA; f = 50Hz VRM = 1
9、5V 最后测试:fj(表4步1和2B5分组GB 6570 15 瞬态热阻抗3.10 脉宽:10ms Z(由)p300 t:/w lF -= 500mA 总6分组7 f亩温寿命(不工作)1032 340h. T amb = 175t: 最后试:按表4步1和24 俭Cl分组外形尺寸口分组或试击(玻璃应力)密封8. b.粗综合温度/温度周外观及机械检最后测试:C3分组冲击变动振动恒定加速度最后测试:c4分组盐气(适用时)c6分组稳态工作寿命最后测试:SJ 50033.49 94 表3C组检验方法2066 I见图11056 I试验条件A1071 条件H条件C1021 I省略预处理2071 按表4GJB
10、 128 条件1和22016 I 4900mN(500g)0.5m趴在x，y、z的每个方向冲击5次2055 2006 196000m/此2000按表4步骤1和21041 1026 I T an由=35C ; IFM = 10mA; f = 50Hz; V RM = 15V ; 1000h 按表4步骤1和2表4B组和C组检验的电测试GB 6570 极限值步测试符号方法条件最最大值l 击穿电压变化量3. 1 IR = 10A Ll V(BRJ 初始值的士20%2 正向电压变化量3.3 IF = 10mA LlVF 士0.155 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要
11、求贮存要求应按GJB33的规定。LTPD 15 10 10 15 ,= 10 单位V V 5一SJ 50033.49 94 5.3 运输应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保6.2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. 等级(见1.3.1);c. d. 需要时，其他要求。 6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起本规范主要起草人:吴遥、桂德成、金贵永。计划项目代号:B11025o一6一
