1、CECC CECC*50*00L- 023 * m 1974499 0036424 410 m 25.4rni“ 5.4 2Sbmin 3. 5 UTE I 4 ,( / Spcification franaise harmonise Systme CENELEC dassurance de la Qualit 12, place des Etats-Unis 75783 PARIS CEDEX 16 Tlphone : (1) 723-72-57 Tlex : CEFUTE 620434 F ,y COMPOSANTS ELECTRONIQU ES DE QUALIT CONTRGLE Co
2、nformment la spbcification gnrique : NF C 86-010 - janvier 1978 SPECIFICATION PARTICULIERE POUR : CONSTRUCTION : Matriau semiconducteur : SILICIUM Matriau du boitier : VERRE CECC 50 001 -023 UTE C 86-812/003 CECC 50 0011023 P.e. 116 UTE C 86-812/003 DIODES DE COMMUTATION Numros de type : 1 N 4446 1
3、N 4447 1 N 4449 i 4148 i N 4448 1 N 4149 APPLICATION LECTRIQUE Pulsoince : TEMPt!RATURE AMANTE. lJtlli5atlon : COMMUTATION. NIVEAUX DASSURANCE DE QUALITE F et L VALEURS LIMITES (Systme des limites absolues) Ces valeurs sappliquent sur la plage des tempratures de fonctionnement, sauf indication contr
4、aire. Tempratures et puissances min - 55C 4.1. - Tempratures ambiantes de fonctionnement : i, max + 125 oc min- 65C max + 200 “C 4.2. - Tempratures de stockage : . , . . . . . . . . . . . . . . . Tat, 4.5.2. - Temprature virtuelle de jonction . . . . . . . . . . . . f, rnax + 200C 4.5.1. - Dissipati
5、on totale de puissance : (Tamb = 25 *c) Plot max 500 mW Tensions et courants (pour tous les types) 4.3.1. - Tension inverse : VR max: 4.4. - Courant direct : Tm0 = 25 “C I, max (Voir note) : 4.4.2. - Courant direct de crte : Tmb = 25 “C I, max (Voir note) : 4.4.2. - Courant direct de crte : i, = 1 s
6、 I, max: 4.4.2. - Courant direct de Crte : rr = 1 ps FY Noto. - Cette valeur doit Btre rduite de faon respecter la courbe de dduction de puissance Pbt mix. 75 v 200 mA 450 mA 0,5 A 2.0 A Se reporter au Recueil des Composants homologus pour connaftre la list0 des composants rpondant i li pdmntg ipicl
7、flcrtion particulire. Copyright CENELEC Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-CECC 50 O01 -023 UTE C 86-812/003 CAR ACTERISTIQUES .es paradtres reprs avec un signe + sont vrifis dans l
8、es conditions dessai dfinies dans les groupes A et C. LIMITES CONDITIONS a Tonib = 25 “c sauf indication contraire v, = 75v VR = 75 V Tamo = 150 Oc PARAMETRE SYMBOLE TYPE tous tous tous nax - 5 1 O0 25 - - Courant inverse (5.1) I + IR1 Cou rant inverse IR3 VR = 20v UR = 20 V Tarno = 100 “C 3 - 50 1
9、N 4448 1 N4449 tous 1 O0 - tous Tension inverse de claquage I - 1 I 1 N4148 1 N 4149 1 N4446 1 N4447 1 N 4448 1 N4449 IF= 10mA 1, = 10rnA I, = 20mA I, = 20mA I, = 100mA IF = 30mA IF= 5mA 1 N4148 1 N 4149 1 N4446 1 N4447 1 N 4448 1 N4449 0,62 1 0,62 0,63 VF2 D,72 0,73 1 N 4148. 1 N 4149 1 N 4446 1 N
10、4447 1 N 4448 1 N 4449 ct*t Vrr I I Onde carre 50 mA de crte Frquence de Pptition 5 kHz 100 kHz Gnraieur t,. 4 30 ns rp = o,i ,.s 1 N 4448 1 N 4449 Tension de crte de recouvrement directe (5.8) Temps de + recouvrement inverse (5.6) Rsistance thermique (5.9) tous 4 - 350 - r *Impulsions : i, = 300 ps
11、 6 2 % Copyright CENELEC Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-CECC CECC*SO*OOL- O23 * = 1974499 0036426 293 I CONDITIONS EXIGENCES DE CONTROLE EXAMEN ESSAI LIMITES Niveau NP NOA ou RE
12、FERENCE a T.- = 25 oc TYPE (5) sau1 indication contraire (7-1 1.5 Fi L I 1.5 min ma* Unite Sous-groupe Ai -3- I Examen visuel I CECC 50 001-023 UTE C 86-8121003 I I .- Satisfaisant EXAHEN OU ESSAI SOUS-GROUPE A2a Inoprants :flJ NQA Observations II II 0,lO diodes (sauf diodes de 0,15 transistors redr
13、essement) Sous-groupe A% IR, 5 25 IV 4 IR3 “fl * yA IN4 ns F L Sous-groupe A3 trr II 0,65 II 0.65 * Impulsions : t, = 300 F L 4.3.4 i 0.002 I 2.5 I 2.5 4.3.4 tD.001 Y, = 75v L,; = 20v *I,. = 10mA 10 20 20 100 30 1 N4148 1 N 4149 1 N 4446 1 N 4447 1 N 4448 1 N 4449 i, = 1 mA 6 Q 2 QI Copyright CENELE
14、C Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-1 9EFERENCE () CECC CECCt50*00L- 023 tt m L774479 003b427 L2T Correctes F S 3 2.5 L s2 4 1 CECC 50 001-023 UTE C 86-8121003 F S 4 i S 4 -4- 2.5
15、2.5 GROUPE B Lot par lot Seuls les essais marqus (D) sont destructifs (paragraphe 3.5.6) I na = non appliqu. EXAMEN OU ESSAI Sous-groupe 81 Dimensions Sous-groupe 83 Pliage des fils (O) Sous-groupe B4 Soudabilit Sous-groupe 85 Variations de temprature Suivies de : Etanchit (D) R 1 * VP, Sous-groupe
16、88 Endurance lectrique II? 1 * v, Sous-groupe RCE 4.2.2 4.4.9 4.4.7 4.4.4 4.4.10 4.5 CONDITIONS B Tomb = 25 “C sauf indication contraire 1.2.2Annexe 111 1.4.9 orce = 2,5 N Mthode du bain Essai Nc Svrit 2 Essais la bombe QI Mesures finales comme en A2 v, =75v 4.5.2.1 Polarisation en inverse haute tem
17、prature t=168h Mesures finales comme en A2 Tomb = 125 “C v, = 75 v EXGENCES DE CONTROLE 1 F S4 1.5 L na na Information par attributs pour 63, 84, B5 et 68 Copyright CENELEC Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted wi
18、thout license from IHS-,-,-CECC CECC*50*00L- 023 * m 3774477 0036428 Obb m CECC 50 001-023 UTE C 86-81 21003 -5- GROUPE C Priodique na : non applique P : priodicit en mois n : taille dchantillon c : critre dacceptation Seuls les essais marqus (D) sont destructifs (paragraphe 3.5.6). CONDITIONS a Tam
19、p = 25 OC sauf indication contraire EXIGENCES DE CONTROLE EXAMEN ou ESSAI REFERENCE i TYPE - LIMITES Klqxz Sous-groupe C1 Dimensions t 1.2.21Annexe III 4.2.2 Correctes Sous-groupe C2a 1 N4148 1 N4446 1 N 4448 1 N 4149 1 N 4447 Lfuu.9 1 N 4148 1 N 4149 1 N 4446 1 N 4447 1 N 4449 tous i N 44413 = o f
20、= 1 MHz 4.3.4 1 D.006 18 1 18 1 81 81 Sous-groupe C2b “la 4.3.4 I 0.001 4.3.4 I D.002 4.3.3 IR2 rWb= 15OOC Sous-groupe C3 Traction (D) 4.4.9 1.4.9 -orce = 5 N Pas de cassure - 18 na Sous-groupe C4 Soudure (Choc thermique) (D) 4.4.8 4.4.8 Mesures finales comme en A2 v, = 75 v IR1 * VP, tous it Impuls
21、ions : r, = 300 ps 6 2 % Copyright CENELEC Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-CECC CECC*50*001- 023 * W 1974499 003b429 TT2 W CECC 50 O01 -023 -6- UTE C 86-8121003 GROUPE C (ruite e
22、t fin) na : non applique Phiodlquo P . riodicite en mois n : taille dechantillon c : critre dacceptation Seuls les essais marquds (D) sont destructifs (paragraphe 3.5.6). EXAMEN ou ESSAI EXIGENCES DE CONTROLE CONDITIONS & Tsnb = 25 Oc Saul indication coniraire LIMITES YPE - tous tous - tous tous - m
23、as Sous-groupe CS Essai Nc Sverite 2 Variations de temperature Suivies de. Etancheite (D) 4.4.4 4.4.10 Essai la bombe QI Mesures finales 75 v comme en A2 It 1 * “Fl Sous-groupe C6 Acclration 4.4.1 1 4.4.6 Corps fix 20 O00 g t = 1 minute XI seulement Suivie de : Vi brations 125 HZ - 2 O00 HZ Mesures
24、hales comme en A2 = 75 v IR, *VPL Sous-groupe C7 non applicable Sous-groupe C8 Endurance electrique 4.5 4.5.2.1 t = 1 O00 h Polarisation en inverse haute temperature Mesures finales comme en A2 Tarnt, = 125 “C vR = 75 v R 1 * VF, tous tous Sous-groupe C9 =1000h T,v, = 200 OC v, = 75v Mesures finales
25、 comme en A2 Stockage haute temprature (D) 4.4.1 teu: tous - 10 1 I IR1 * “FI Information par attributs pour C3, C5, C6 et C9 Information par mesures pour IR1 et *itFl avant et aprs C8. Sous-groupe RCE *Impulsions : I, = 300 US 6 Q 2 010 Copyright CENELEC Electronic Components Committee Provided by IHS under license with CECCNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-
