ITU-T P 330 NOTE FRENCH-2003 Speech processing devices for acoustic enhancement《用于声增强的语音处理设备 12号研究组》.pdf

上传人:Iclinic170 文档编号:800529 上传时间:2019-02-04 格式:PDF 页数:1 大小:131.91KB
下载 相关 举报
ITU-T P 330 NOTE FRENCH-2003 Speech processing devices for acoustic enhancement《用于声增强的语音处理设备 12号研究组》.pdf_第1页
第1页 / 共1页
亲,该文档总共1页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、Union internationale des tlcommunications Place des Nations 1211 GENVE 20 Suisse Switzerland Suiza FEUILLE DE ROUTE SECRTARIAT GNRAL DE L UNION INTERNATIONALE DES TLCOMMUNICATIONS Genve, 30 septembre 2003 UIT SECTEUR DE LA NORMALISATION DES TLCOMMUNICATIONS Objet: Amendement 1 (09/2003) la Recommand

2、ation UIT-T P.330 (03/2003), Dispositifs de traitement vocal pour une amlioration de lacoustique Dans le 4.5.1, Trajet de lcho acoustique Tout le texte jusqu la fin du paragraphe appartient la NOTE. Il doit tre renfonc et modifi comme suit: NOTE Il est recommand dviter des salles extrmement longues

3、Longueur Largeur, Hauteur) et des salles avec des plafonds extrmement bas (Hauteur Longueur, Largeur), ainsi que les salles dont les trois dimensions sont quasiment gales. Il convient dviter les surfaces dlimitantes de grandes dimensions, plates et parallles et les surfaces qui engendrent des rflex

4、ions sonores large bande, et en particulier les cloisons rverbrantes dune hauteur moyenne entre 0,8 et 1,8 m au-dessus du sol, car elles peuvent crer un cho “chevrotant“ ou des perturbations de type cho “chevrotant“ (cho, rugosit), spcialement si le montage dessai est dans une position dfavorable. L

5、a mesure de la distribution locale des niveaux de pression acoustique en fonction de la frquence dans une salle donne en conditions stables peut aider dterminer la position optimale du montage dessai. En rgle gnrale, la distance entre le montage dessai et les surfaces dlimitantes de la salle doit tr

6、e de 1 m minimum, indpendamment des proprits acoustiques de ces surfaces. Ceci peut prvenir les perturbations dues aux rverbrations initiales et laccroissement du niveau de pression acoustique qui peut survenir localement aux basses frquences. La mme recommandation sapplique aux surfaces des grands lments de mobilier pouvant rflchir le son.

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • BS EN 62430-2009 Environmentally conscious design for electrical and electronic products《电气和电子产品环境意识设计》.pdf BS EN 62430-2009 Environmentally conscious design for electrical and electronic products《电气和电子产品环境意识设计》.pdf
  • BS EN 62431-2008 Reflectivity of electromagnetic wave absorbers in millimetre wave frequency - Measurement methods《毫米波频中电磁波吸收器的反射率 测量方法》.pdf BS EN 62431-2008 Reflectivity of electromagnetic wave absorbers in millimetre wave frequency - Measurement methods《毫米波频中电磁波吸收器的反射率 测量方法》.pdf
  • BS EN 62433-2-2010 EMC IC modelling - Models of integrated circuits for EMI behavioural simulation - Conducted emissions modelling (ICEM-CE)《EMC IC建模 EMI动作模拟用集成电路模型 传导发射建模(ICEM-CE).pdf BS EN 62433-2-2010 EMC IC modelling - Models of integrated circuits for EMI behavioural simulation - Conducted emissions modelling (ICEM-CE)《EMC IC建模 EMI动作模拟用集成电路模型 传导发射建模(ICEM-CE).pdf
  • BS EN 62433-4-2016 EMC IC modelling Models of integrated circuits for RF immunity behavioural simulation Conducted immunity modelling (ICIM-CI)《EMC IC建模 用于RF抗干扰能力的行为模拟集成电路模型 传导抗扰度建.pdf BS EN 62433-4-2016 EMC IC modelling Models of integrated circuits for RF immunity behavioural simulation Conducted immunity modelling (ICIM-CI)《EMC IC建模 用于RF抗干扰能力的行为模拟集成电路模型 传导抗扰度建.pdf
  • BS EN 62435-2-2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 2 Deterioration mechanisms《电子元件 电子半导体设备的长期储存 第2部分 劣化机制》.pdf BS EN 62435-2-2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 2 Deterioration mechanisms《电子元件 电子半导体设备的长期储存 第2部分 劣化机制》.pdf
  • BS EN 62435-5-2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 5 Die and wafer devices《电子元件 电子半导体设备的长期储存 第5部分 晶粒和晶元设备》.pdf BS EN 62435-5-2017 Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 5 Die and wafer devices《电子元件 电子半导体设备的长期储存 第5部分 晶粒和晶元设备》.pdf
  • BS EN 62439-5-2010 Industrial communication networks - High availability automation networks - Beacon redundancy protocol (BRP)《工业通信网络 高可靠性自动化网络 信标备用协议(BRP)》.pdf BS EN 62439-5-2010 Industrial communication networks - High availability automation networks - Beacon redundancy protocol (BRP)《工业通信网络 高可靠性自动化网络 信标备用协议(BRP)》.pdf
  • BS EN 62439-6-2010 Industrial communication networks - High availability automation networks - Distributed redundancy protocol (DRP)《工业通讯网络 高可靠性自动化网络 分布式冗余度协议(DRP)》.pdf BS EN 62439-6-2010 Industrial communication networks - High availability automation networks - Distributed redundancy protocol (DRP)《工业通讯网络 高可靠性自动化网络 分布式冗余度协议(DRP)》.pdf
  • BS EN 62439-7-2012 Industrial communication networks High availability automation networks Ring-based Redundancy Protocol (RRP)《工业通信网络 高可靠性自动化网络 环路冗余协议(RRP)》.pdf BS EN 62439-7-2012 Industrial communication networks High availability automation networks Ring-based Redundancy Protocol (RRP)《工业通信网络 高可靠性自动化网络 环路冗余协议(RRP)》.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 标准规范 > 国际标准 > 其他

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1