重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc

上传人:fuellot230 文档编号:933631 上传时间:2019-03-04 格式:DOC 页数:14 大小:370KB
下载 相关 举报
重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc_第1页
第1页 / 共14页
重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc_第2页
第2页 / 共14页
重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc_第3页
第3页 / 共14页
重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc_第4页
第4页 / 共14页
重庆市万州龙驹中学2018_2019学年高二理综上学期11月月考试卷(无答案).doc_第5页
第5页 / 共14页
点击查看更多>>
资源描述

1、- 1 -重庆市万州龙驹中学 2018-2019 学年高二理综上学期 11 月月考试卷(无答案)1选择题(每小题 6 分共 126 分,1-17 为单项选择题,18-21 为多项选择题)1.下列关于密码子的叙述,错误的是( )A 一种氨基酸可能有多种与之相对应的密码子 B CTA 肯定不是密码子C 每种密码子都有与之对应的氨基酸D 信使 RNA 上的 GCA 在人细胞中和猪细胞中决定的是同一种氨基酸2.下图是中心法则示意图,各个字母代表不同的过程,相关叙述正确的是( )A 正常情况下大肠杆菌能发生 d 过程 B c 过程需要 tRNA 和核糖体同时参与C 植物细胞中,可经 b、c 过程合成生长

2、素 D b、c 过程不可发生在线粒体和叶绿体中3.用人工诱变的方法使黄色短杆菌的质粒中脱氧核苷酸序列发生如下变化:CCGCTAACGCCGCGAACG,那么,黄色短杆菌将发生的变化和结果是( )(可能相关的密码子为:脯氨酸CCG,CCA;甘氨酸GGC,GGU;天冬氨酸GAU,GAC;丙氨酸GCA,GCU,GCC,GCG;半胱氨酸UGU,UGC)A 基因突变,性状改变 B 基因突变,性状没有改变C 基因和性状均没有改变 D 基因没变,性状改变4.用杂合体种子尽快获得纯合体植株的方法是( )A 种植F 2选不分离者纯合体B 种植秋水仙素处理纯合体C 种植花药离体培养单倍体幼苗秋水仙素处理纯合体D

3、种植秋水仙素处理花药离体培养纯合体5.如图所示,将二倍体植株和杂交得到,再将作进一步处理。对此分析错误的是( )- 2 -A 由得到的育种原理是基因重组 B 图中秋水仙素的作用是使染色体数目加倍C 若的基因型是 AaBbdd,则的基因型可能是 aBdD 至的过程中,所产生的变异都有利于生产6.下图为马的生活史,下列有关的叙述中,正确的是( )有丝分裂发生在 a、d 基因重组发生在 c基因突变可发生在 a、b、d d 过程有基因的复制、转录和翻译A B C D 7醋酸铅因有甜味而被称为“铅糖” ,它有毒但能入药,又知(CH 3COO)2Pb 可溶于水,硝酸铅与醋酸钠溶液反应的离子方程式为 Pb2

4、 2CH 3COO =(CH3COO)2Pb。下列有关说法中不正确的是( )A0.1 molL 1 的“铅糖”溶液中 c(Pb2 )Ksp(AgI)B室温下,用 pH 试纸分别测定浓度均为 0.1mol/L 的NaClO 溶液和 CH3COONa 溶液的 pH比较 HClO 和 CH3COOH 的酸性强弱C 常温下,测得饱和溶液的 pH:NaANaB证明常温下的水解程度:A -c(SO42-)c(NH4+)c(OH-)=c(H+)B 25时,在 0.1molL1 的 NaHSO4溶液中,c(H +)=c(OH-)+c(SO42-)C 浓度均为 0.1molL1 的 HF 溶液和 KF 溶液等体

5、积混合:c(F -)+c(HF)=0.2mol/LD 均为 0.1molL1 的 Na2S 溶液和 NaHS 溶液等体积混合:2c(Na +)=3c(HS)+3c(H2S)+3c(S2-)14.关于电源电动势 E 的下列说法中错误的是( )A 电动势 E 的单位与电势、电势差的单位相同,都是伏特 VB 干电池和铅蓄电池的电动势是不同的C 电动势 E 可表示为 可知,电源内非静电力做功越多,电动势越大D 电动势较大,表示电源内部将其它形式能转化为电能的本领越大- 4 -15.下列关于匀强电场中电场强度与电势差的关系,正确的说法是( )A 在相同距离上的两点,电势差大的其电场强度也必定大B 电场强

6、度在数值上等于每单位距离上的电势降落C 沿着电场方向,任何相同距离上的电势降落必定相等D 在匀强电场中,任意两点间电势差等于场强和这两点间距离的乘积16。 (谭宇扬).在空间直角坐标系 Oxyz 中,有一四面体 C-AOB,C、A、O、B 为四面体的四个顶点,且 O(0,0,0) 、A(L,0,0) 、B(0,L,0) 、C(0,0,L) ,D(2L,0,0)是 x轴上一点,在坐标原点 O 处固定着+Q 的点电荷,下列说法正确的是( )AA、B、C 三点的电场强度相同 B电势差 UOA=UADC,电子在 A 点的电势能大于在 D 点的电势能D 将一电子由 C 点分别移动到 A、B 两点,电场力

7、做功相同17铜的摩尔质量为 m,密度为 ,每摩尔铜原子有 n 个自由电子,每个自由电子的电荷量为 e,今有一根横截面积为 S 的铜导线,通过的电流为 I 时,电子定向移动的平均速率为( )A光速 c B. C. D.IneS IneSm mIneS18.如图所示,为某一金属导体的伏安特性曲线,由图象可知( )A该导体的电阻随电压的升高而增大 B该导体的电阻随电压的升高而减小- 5 -C导体两端电压为 2 V 时,电阻为 0.5 D导体两端电压为 2 V 时,电阻为 1 19.如图所示,是一个示波器工作原理图,电子经过加速后以速度 v0垂直进入偏转电场,离开电场时偏转量是 h,两平行板间距离为

8、d,电势差为 U,板长为 l, 每单位电压引起的偏移量( )叫示波器的灵敏度若要提高其灵敏度,可采用下列方法中的( )A 减小两极板间的电压 B 尽可能使板长 l 做得长些C 尽可能使板间距离 d 减小些 D 使电子入射速度 v0大些20.(何思颖)如图所示,带正电的小球 Q 固定在倾角为 的光滑固定绝缘细杆下端,让另一穿在杆上的质量为 m、电荷量为 q 的带正电小球从 A 点由静止释放,到达 B 点时速度恰好为零。 若 A、B 间距为 L,C 是 AB 的中点,两小球都可视为质点,重力加速度为 g。则下列判断正确的是( )A.在从 A 至 C 和从 C 至 B 的过程中,前一过程 q 电势能

9、的增加量较小 B. 从 A 至 B,q 先做匀加速运动,后做匀减速运动C. 在 B 点受到的库仑力大小是 mgsinD. Q 产生的电场中,A、B 两点间的电势差大小为21如图所示,在两个等量异种点电荷形成的电场中,D、E、F 是两电荷连线上间距相等的三个点,三点的电势关系是 D E F,K、M、L 是过这三个点的等势线,其中等势线 L与两电荷连线垂直。带电粒子从 a 点射入电场后运动轨迹与三条等势线的交点是 a、b、c,粒子在 a、b、c 三点的电势能分别是 Epa、E pb、E pc,以下判断正确的是( )- 6 -A带电粒子带正电 B粒子由 a 到 c 的过程中,粒子的电势能增加CU a

10、b=Ubc DE pcE pbE pbE pa第I I卷( 非选 择题)二 、 实 验 题 ( 共 15 分 )22 有 一 个 额 定 电 压 为 2.8 V, 功 率 约 为 0.8 W 的 小 灯 泡 , 现 要 用 伏 安 法 描 绘 这 个 小灯 泡的 I-U 图线 ,有 下列 器材 供选 用:A电 压表 (03 V, 内 阻约 6 k ) B 电 压 表 (0 15 V, 内 阻约 30 k ) C 电 流 表 (0 3 A, 内 阻约 0.1 ) D 电 流 表 (0 0.6 A, 内 阻约 0.5 ) E滑 动 变 阻器(10 ,2 A) F滑 动变 阻器 (200 ,0 .5

11、 A) G蓄 电池 (电动 势 6 V,内 阻不 计)(1)某 同学 误将 电流 表和 电压 表接 成如 图 甲所 示的 电路 , 其 他部 分连 接正 确, 接 通电 源后 , 小灯泡 的 发光 情 况 是 (选 填 “亮” 或“ 不 亮 ”) 要 求小 灯 泡的 电 压从零 开始 增大 ,应 选择 图乙 中的 电路 图 (选填 “a”或“ b”)- 7 -(2)根 据 上 面 的 电 路 图 连 接 实 物 图(3)用 正 确 的 电 路 进 行 测 量 , 电 压 表 应 选 用 , 电 流 表 应 选 用 (用 序 号字 母表 示 )(4)滑动 变阻 器应 选用 (用序 号字 母表 示

12、)(5)通 过实 验测 得此 小灯 泡的 伏安 特性 曲线 如图 丙所 示 由 图线 可求 得此 小灯 泡在 正常 工 作时 的电 阻为 .三计算题些必要的文字说明和公式23(12 分).两根光滑绝缘棒在同一竖直平面内,两棒与水平面间均成 45角,棒上各穿有一个质量为 m、带电荷量为 Q 的相同小球,如图所示现两小球均处于静止状态,求两球之间的距离 L.- 8 -4.(16 分)如图所示,质量为 m,电荷量为 q 的带电粒子,以初速度 v0垂直射入场强大小为E、方向竖直向下的匀强电场中,射出电场的瞬时速度的方向与初速度方向成 30角.在这一过程中,不计粒子重力.求:(1)该粒子在电场中经历的时

13、间;(2)粒子在这一过程中电场力做的功.25(19 分)如图 所示 ,半 径为 R 的环 形塑 料管 竖直 放置 , AB 为该 环的 水平 直径 ,且 管的内径远小于环的半径, 环的 AB 及以下部分处于水平向左的匀强电场中 , 管的 内壁 光滑 。现 将一质 量为 m、带 电荷 量为 q 的小 球从 管中 A 点由 静止 释放,已知 qE mg。求:(1)小球释放后,第一次经过最低点 D 时的速度和对管壁的压力;(2)小球释放后,第一次经过最高点 C 时管壁对小球的作用力26、 (15 分)有下列六种物质的溶液:NaCl NH 4Cl Na 2CO3 Al 2(SO4)3 CH 3COOH

14、 NaHCO 3。(1)25时,0.1molL -1溶液的 pH_7(填“” 、 “”或“Vc Da、c 两点 c(H )相等27. 回答下列问题:(15 分)(1)氯化铁水溶液呈酸性,原因是(用离子方程式表示): 。实验室在临时配制一些氯化铁溶液时,常将氯化铁固体先溶于较浓的 中,然后再用蒸馏水稀释到所需的浓度,是为了抑制其水解。(2)25时,浓度为 0.1 mo1L-1的 6 种溶液:HCl,CH 3COOH Ba(OH) 2 Na 2CO3 KCl NH 4Cl 溶液 pH 由小到大的顺序为 (填写编号)(3)电离平衡常数是衡量弱电解质电离程度的量。已知如下表数据(25):化学式 电离平

15、衡常数HCN K4.910 -10CH3COOH K1.810 -5H2CO3 K14.410 -7,K 24.710 -1125 时,等浓度的三种溶液(a.NaCN 溶液、b.Na 2CO3溶液、c.CH 3COONa 溶液)的 pH 由大到小的顺序为 。(填写序号)25 时,向 NaCN 溶液中通入少量 CO2,所发生反应的离子方程式为 - 10 -(4)在化学分析中采用 K2CrO4为指示剂,以 AgNO3标准溶液滴定溶液中的 Cl,利用 Ag+与CrO42生成砖红色沉淀,指示到达滴定终点。当溶液中 Cl恰好完全沉淀(浓度等于 1.0105 molL1)时,溶液中 c(Ag+)为 mol

16、L1,此时溶液中 c(CrO42)等于 _molL1。(已知 Ag2 CrO4、AgCl 的 Ksp 分别为 2.01012和 2.01010)。28 (16 分)工业制备氯化铜时,将浓盐酸用蒸气加热到 80左右,慢慢加入粗 CuO 粉末(含杂质 Fe2O3、FeO)充分搅拌使之溶解,得一强酸性的混合溶液,现欲从该混合溶液中制备纯净的 CuCl2溶液参考数据:pH9.6 时,Fe 2+完全水解成 Fe(OH)2;pH4.4 时 Cu2+开始水解生成 Cu(OH)2;pH6.4 时,Cu 2+完全水解成 Cu(OH)2;pH3.7 时,Fe 3+完全水解成Fe(OH)3。请回答以下问题:(1)第

17、一步除 Fe2+,不能直接调整 pH=9.6 将 Fe2+沉淀除去,理由是 。现有人用强氧化剂 NaClO 将 Fe2+氧化为 Fe3+:加入 NaClO 后,溶液的 pH 变化是 (填序号) ;A一定增大 B一定减小 C可能增大 D可能减小请写出 NaClO 将 Fe2+氧化为 Fe3+的离子方程式: 你认为用 NaClO 作氧化剂是否妥当?理由是 。现有下列几种常用的氧化剂,工业上最好选用 除去该混合溶液中 Fe2+(填序号) 。A浓 HNO3 BCl 2 CKMnO 4 DH 2O2(2)除去溶液中的 Fe3+的方法是调整溶液的 pH 的范围是 ,现有下列试剂均可以调整 PH 值,可选用

18、的有 (填序号) 。ANaOH B氨水 CCu 2(OH)2CO3 DNa 2CO329(12 分)下面 ae 是中学化学实验中常见的几种定量仪器:(a)量筒 (b)容量瓶 (c)滴定管 (d)托盘天平 (e)温度计(1)无“0”刻度的是 (填编号)。(2)下列操作合理的是 (填字母)A用 25mL 碱式滴定管量取 20.00mLNaHCO3 B用托盘天平准确称量 10.20 克碳酸钠固体C用 100mL 量筒量取 3.2mL 浓硫酸D配制 1 molL1的氢氧化钠溶液 475mL 选用 500mL 容量瓶.盐酸和氢氧化钠是工业上重要的化工原料,也是实验室里常见的化学试剂。欲测定某- 11 -

19、NaOH 溶液的物质的量浓度,可用 0.1000 molL-1 HCl 标准溶液进行中和滴定(用酚酞作指示剂)。请回答下列问题:(1)碱式滴定管用蒸馏水洗净后,接下来应该进行的操作是 。(2)若甲学生在实验过程中,记录滴定前滴定管内液面读数为 1.10 mL,滴定后液面如图,则此时消耗标准溶液的体积为 。乙学生做了三组平行实验,数据记录如下:0.1000molL-1HCl 溶液的体积/mL实验序号 待测 NaOH 溶液的体积/mL滴定前刻度 滴定后刻度1 25.00 0.11 25.112 25.00 1.56 33.303 25.00 0.21 25.21(3)选取上述合理数据,计算出待测

20、NaOH 溶液的物质的量浓度为 (4)下列哪些操作会使测定结果偏高 (填序号)。A锥形瓶用蒸馏水洗净后,直接注入待测溶液进行滴定B滴定到终点读数时,发现滴定管尖嘴处悬挂一滴溶液C碱式滴定管用蒸馏水洗涤后立即取用 25.00mL 待测液注入锥形瓶中进行滴定D滴定前俯视滴定管读数,滴定后平视滴定管读数(5)滴定达到终点的标志是 。30.下图表示细胞内遗传信息表达的过程,根据所学的生物学知识回答:- 12 -(1)右图中方框内所示结构是_的一部分,它主要在_中合成,其基本组成单位是_,可以用右图方框中_数字表示。(2)左图中以为模板合成物质的过程称为_,进行的主要场所是_,所需要的原料是_。(3)图

21、中 RNA 的形成是以_为模板形成的,密码子存在于_上。(4)若左图的所示的分子中有 1 000 个碱基对,则由它所控制形成的信使 RNA 中含有的密码子个数和合成的蛋白质中氨基酸种类最多不超过( )A166 和 55 B166 和 20 C333 和 111 D333 和 2031.下图表示五种不同的育种方法示意图,请据图回答下面的问题:(1)图中 AD 方向所示的途径表示育种方式,其中从 F1到 F2再到 Fn连续多代自交的目的是为了提高 的含量;ABC 的途径表示 育种方式。这两种育种方式都是从亲本杂交开始,比较两种育种方式,后者的优越性主要表现在 。(2)B 常用的方法为 。(3)C、

22、F 过程中最常采用的药剂是 。(4)由 GJ 的过程中涉及到的生物工程技术有:植物组织培养和_ _。- 13 -32.甲图表示果蝇某正常基因片段控制合成多肽的过程。ad 表示 4 种基因突变。a 丢失T/A,b 由 T/A 变为 C/G,c 由 T/A 变为 G/C,d 由 G/C 变为 A/T。假设 4 种突变都单独发生,乙图表示基因组成为 AaBbDd 个体细胞分裂某时期图像,丙图表示细胞分裂过程中 mRNA 的含量(虚线)和每条染色体所含 DNA 分子数的变化(实线) 。请回答:注:可能用到密码子:天冬氨甲酸(GAC) ,甘氨酸(GGU、GGG) ,甲硫氨酸(AUG) ,终止密码(UAG

23、)(1)甲图中过程所需的酶主要有_。(2)a 突变后合成的多肽链中氨基酸的顺序是_,在 a 突变点附近再丢失_个碱基对对氨基酸序列的影响最小。(3)图中_突变对性状无影响。(4)导致乙图中染色体上 B、b 不同的原因属于_(变异种类) 。(5)诱发基因突变一般处于图丙中的_阶段,而基因重组发生于_阶段(填图中字母) 。33.如图代表人体内苯丙氨酸的部分代谢途径。结合图形,联系已有知识,回答以下问题。(1)某人是苯丙酮尿症患者,但肤色正常。其原因是食物中可能含有_。(2)防治苯丙酮尿症的有效方法是食疗,即要尽量减少饮食中的_的量。(3)一对正常的夫妇生了一个既患苯丙酮尿症又患白化病的女儿和一个正常的儿子。这个正常儿子的基因型是_。- 14 -(4)从苯丙酮尿症的患病机理可以看出基因与性状的关系是_。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA SMD-5962-94696 REV B-2005 MICROCIRCUIT DIGITAL ECL LOW SKEW QUAD CLOCK DRIVER MONOLITHIC SILICON《数字的低歪斜的时钟驱动器硅单片电路线型微电路》.pdf DLA SMD-5962-94696 REV B-2005 MICROCIRCUIT DIGITAL ECL LOW SKEW QUAD CLOCK DRIVER MONOLITHIC SILICON《数字的低歪斜的时钟驱动器硅单片电路线型微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL ADVANCED BIPOLAR CMOS OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH 25 OHM SERIES RESISTOR AND INVERTING THREE-STATE OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUT.pdf DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL ADVANCED BIPOLAR CMOS OCTAL BUFFER LINE DRIVER WITH 25 OHM SERIES RESISTOR AND INVERTING THREE-STATE OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUT.pdf
  • DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL ADVANCED BIPOLAR CMOS SCAN TEST DEVICE WITH 18-BIT BUS TRANSCEIVER AND REGISTER THREE-STATE OUTPUTS AND TTL COMPATIBLE INPUTS MON.pdf DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 MICROCIRCUIT DIGITAL ADVANCED BIPOLAR CMOS SCAN TEST DEVICE WITH 18-BIT BUS TRANSCEIVER AND REGISTER THREE-STATE OUTPUTS AND TTL COMPATIBLE INPUTS MON.pdf
  • DLA SMD-5962-94703 REV B-2002 MICROCIRCUIT LINEAR ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER DUAL 8-BIT 50 MSPS MONOLITHIC SILICON《双8-BIT 50 MSPS的数字到类似体转换器硅单片电路线型微电路》.pdf DLA SMD-5962-94703 REV B-2002 MICROCIRCUIT LINEAR ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER DUAL 8-BIT 50 MSPS MONOLITHIC SILICON《双8-BIT 50 MSPS的数字到类似体转换器硅单片电路线型微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-94704 REV C-2006 MICROCIRCUIT MEMORY DIGITAL BICMOS 512 X 18 X 2 CLOCKED FIFO MONOLITHIC SILICON《512 X 18 X 2时钟先入先出双数字储存器互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路》.pdf DLA SMD-5962-94704 REV C-2006 MICROCIRCUIT MEMORY DIGITAL BICMOS 512 X 18 X 2 CLOCKED FIFO MONOLITHIC SILICON《512 X 18 X 2时钟先入先出双数字储存器互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-94707 REV B-2009 MICROCIRCUIT MEMORY DIGITAL CMOS 2K X 9 PARALLEL SYNCHRONOUS FIFO MONOLITHIC SILICON.pdf DLA SMD-5962-94707 REV B-2009 MICROCIRCUIT MEMORY DIGITAL CMOS 2K X 9 PARALLEL SYNCHRONOUS FIFO MONOLITHIC SILICON.pdf
  • DLA SMD-5962-94708 REV B-2008 MICROCIRCUIT LINEAR DUAL WIDEBAND LOW NOISE VOLTAGE FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIER MONOLITHIC SILICON《微电路 线性电压反馈宽带宽低噪单片二运算放大器》.pdf DLA SMD-5962-94708 REV B-2008 MICROCIRCUIT LINEAR DUAL WIDEBAND LOW NOISE VOLTAGE FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIER MONOLITHIC SILICON《微电路 线性电压反馈宽带宽低噪单片二运算放大器》.pdf
  • DLA SMD-5962-94709-1994 MICROCIRCUIT LINEAR CMOS BANG-BANG CONTROLLER MONOLITHIC SILICON《枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路》.pdf DLA SMD-5962-94709-1994 MICROCIRCUIT LINEAR CMOS BANG-BANG CONTROLLER MONOLITHIC SILICON《枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路》.pdf
  • DLA SMD-5962-94710-1994 MICROCIRCUIT DIGITAL QUAD UNIVERSAL ASYNCHRONOUS RECEIVER TRANSMITTER (QUART) MONOLITHIC SILICON《整体不同步接收器或传播器(夸脱)硅单片电路线型微电路》.pdf DLA SMD-5962-94710-1994 MICROCIRCUIT DIGITAL QUAD UNIVERSAL ASYNCHRONOUS RECEIVER TRANSMITTER (QUART) MONOLITHIC SILICON《整体不同步接收器或传播器(夸脱)硅单片电路线型微电路》.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 考试资料 > 中学考试

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1