1、1每周一测关于电源和电流，下述说法正确的是A电源的电动势在数值上始终等于电源正负极之间的电压B从能量转化的角度看，电源通过非静电力做功把其他形式的能转化为电能C由公式 可知，导体的电阻与通过它的电流成反比 D打开教室开关，日光灯立刻就亮了，表明导线中自由电荷定向运动的速率接近光速（2018内蒙古太仆寺旗宝昌一中高二期末考试）导体中的电流是 5 A，那么在 3.2 s 内通过导体的横截面定向移动电荷量为 q，相当于有 n 个电子通过该截面，则下列正确的是A q=1.610-5 C； n=1014个B q=1.610-2 C； n=1017个C q=1.610-5 C； n=1015个D q=1.
2、610-2 C； n=1014 个某导线中的电流是 7.5103 A，则通过导线横截面的电荷量为 15 C 所需要的时间为A2.010 4 s B2.010 6 sC2.010 5 s D2.010 3 s（2018海南省昌江县矿区中学期末）同品牌的全新 1 号碳锌干电池与 5 号碳锌干电池具有相同的物理量是A电能 B容量C电动势 D内阻如图所示的电路，已知 R1=3 k， R2=2 k， R3=1 k， I=10 mA， I1=6 mA，则 a、b 两点电势高低和通过 R2中电流正确的是2A a 比 b 高，4 mA B a 比 b 高，2 mAC a 比 b 低，7 mA D a 比 b
3、低，4 mA（2018云南省腾冲市第八中学高二期末）有 A、 B 两个电阻，它们的伏安特性曲线如图所示，从图线可以判断A电阻 A 的阻值大于电阻 BB电阻 A 的阻值小于电阻 BC电压相同时，流过电阻 A 的电流强度较小D两电阻串联时，电阻 A 消耗的功率较大如图甲所示的电路中，电源电动势为 3.0 V，内阻不计，L 1、L 2、L 3为 3 个特殊材料制成的相同规格小灯泡，这种小灯泡的伏安特性曲线如图乙所示。当开关 S 闭合时AL 3两端的电压为 L1的 4 倍B通过 L3的电流为 L2的 2 倍CL 1、L 2、L 3的电阻都相同DL 3消耗的电功率为 0.75 W电阻两端电压为 6 V，
4、其电流方向如图所示，电子在电阻中的移动方向是由_向_；电阻两端的电势是 a 端比 b 端_（填“高”或“低”）6 V。（2018全国卷高考压轴卷）某同学在探究小灯泡的伏安特性曲线，他使用的器材3如下：电流表（00.63A）、电压表（0315V）、直流电源（4V）、滑动变阻器（20，3A）、小灯泡（2.5V）、电键一个、导线若干（1）请在图 1 方框中画出实验电路图，并按电路图将图 2 中的器材连接成实验电路；（2）某同学实验时测得多组小灯泡两端的电压 U 与对应通过小灯泡的电流 I， 将 U、 I 对应点都标在了图 3 的坐标系中，请你将描出小灯泡的伏安特性曲线；（3）通过伏安特性曲线可以确定
5、，当小灯泡两端的电压为 1.0 V 时，小灯泡的电阻为_（2018云南省玉溪市华宁县第二中学高三复习检测）现用伏安法研究某电子器件 R1的（6 V，2.5 W）伏安特性曲线，要求特性曲线尽可能完整（直接测量的变化范围尽可能大一些），备有下列器材：A直流电源（6 V，内阻不计）；B电流表 G（满偏电流 3 mA，内阻 Rg=10 ）；C电流表 A（00.6 A，内阻未知）；D滑动变阻器（020 ，10 A）；E滑动变阻器（0200 ，1 A）；F定值电阻 R0（阻值 1 990 ）；G开关与导线若干；（1）根据题目提供的实验器材，请你设计出测量电子器件 R1伏安特性曲线的电路原理图4（ R1可用
6、“ ”表示）。（2）在实验中，为了操作方便且能够准确地进行测量，滑动变阻器应选用_。（填写器材序号）（3）将上述电子器件 R1和另一电子器件 R2接入如图（甲）所示的电路中，它们的伏安特性曲线分别如图 （ 乙 ） 中 Ob、 Oa 所 示 电 源 的 电 动 势 E=6.0 V， 内 阻 忽 略 不 计 。 调 节 滑 动变 阻 器 R3， 使 电 阻 R1和 R2消耗的电功率恰好相等，则此时电阻 R1和 R2阻值的和为_， R3接入电路的阻值为_。（2018云南省呈贡一中高二期中）如图所示的电解槽中，如果在 4 s 内各有 8 C 的正、负电荷通过面积为 0.8 m2的横截面 AB，那么：（
7、1）指出正、负离子定向移动的方向；（2）电解槽中的电流方向如何？（3）4 s 内通过横截面 AB 的电荷量为多少？（4）电解槽中的电流为多大？ （2018北京市房山区高三模拟）电荷的定向移动形成电流，电流是物理量中的基本量之一。电流载体称为载流子，大自然有很多种承载电荷的载流子，例如，金属导体内可自由移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的正负离子，半导体中的空穴，这些载流子的定向移动，都可形成电流。（ 1） 电 子 绕 氢 原 子 核 做 圆 周 运 动 时 ， 可 等 效 为 环 形 电 流 ， 已 知 静 电 力 常 量 为 k， 电 子的 电 荷 量 为 e， 质 量 为 m， 电 子
8、 在 半 径 为 r 的 轨 道 上 做 圆 周 运 动 。 试 计 算 电 子 绕 氢 原 子核 在 该 轨 道 上 做 圆 周 运 动 形 成 的 等 效 电 流 大 小 ；（2）如图， AD 表示一段粗细均匀的一段导体，两端加一定的电压，导体中的自由电荷沿导体定向移动的速率为 v，设导体的横截面积为 s，导体每单位体积内的自由电荷数为 n，每个自由电荷所带的电荷量为 e。试证明导体中电流强度 I=nesv；5（3）有一圆柱形的纯净半导体硅，其横截面积为 2.5 cm2，通有电流 2 mA 时，其内自由电子定向移动的平均速率为 7.510-5 m/s，空穴定向移动的平均速率为 2.510-
9、5 m/s。已知硅的密度 2.4103 kg/m3，摩尔质量是 28。电子的电荷量 e=1.610 -19 C，空穴和电子总是成对出现，它们所带电荷量相等，但电性相反，阿伏伽德罗常数为 N0=6.021023 mol-1。若一个硅原子至多只释放一个自由电子，试估算此半导体材料平均多少个硅原子才有一个硅原子释放出自由电子？【参考答案】B 电源正负极之间的电压称为路端电压，当外电路接通时，路端电压小于电源的电动势，故 A 错误；电源是通过非静电力做功把其他形式的能转化为电势能的装置，电源通过非静电力做功把其他形式的能转化为电势能，故 B 正确；电阻 R 是由导体本身决定的，与通过它的电流无关，故
10、C 错误；打开教室开关，日光灯立刻就亮了，表明导线中电场传播的速率接近光速，而导线中自由电荷定向运动的速率是非常小的，故 D 错误；故选 B。【名师点晴】该题考查恒定电流中对几个基本概念的理解，理解电源的作用，及电动势的含义，注意比值定义法的内涵是关键。C 干电池的电动势都是 1.5V，所以同一品种新的 1 号干电池和新的 5 号干电池的电动势相同，而新 1 号干电池内阻比 5 号干电池内阻小，容量大，故 ABD 错误，C 正确。C 根据欧姆定律得 R1和 R3两端的电压分别为 U1=I1R1=61033103 V=18 V，则a 点的电势比 c 点电势低 18 V， U3=I3R3=（ II
11、1） R3=4 V， b 点的电势比 c 点电势低 4 V，所以 a 电势比 b 点电势低， R2两端的电压为 U2=U1U3=14 V，通过 R2中电流为，故选 C。6B 在伏安特性曲线中直线的斜率表示的是电阻的倒数，从图中可得 A 的斜率大，所以 A 的电阻小，故 A 错误，B 正确；当电压相同的时候，由于 A 的电阻小，所以流过电阻A 的电流强度较大，故 C 错误；当两电阻串联时，电阻的电流相同，根据功率 P=I2R 可得，电阻大的电阻的功率大，所以电阻 B 消耗的功率较大，故 D 错误。D 当开关 S 闭合稳定后，灯泡 L3的电压等于 3 V，由图读出其电流 I3=0.25 A，则灯泡
12、 L1的电阻 ，灯泡 L2、L 1串联，电压等于 1.5 V，由图读出其电流 I2=I3=0.20 A，灯泡 L2、L 3的电阻均为 ，以上分析知，灯 L3两端的电压为灯 L1的 2 倍，灯 L3的电流并不等于 L2的 2 倍，故 AB 错误；L 1、L 2、L 3的电阻分别为 12 、7.5 和 7.5 ，故 C 错误；L 3消耗的功率 P3=U3I3=0.75 W。故 D 正确。故选 D。【名师点睛】此题考查电阻的伏安特性曲线以及欧姆定律的应用；解决本题的关键注意伏安特性曲线不是直线，根据对应的电压找对应的电流。b a 高电流方向和电子运动方向相反，因此电子移动方向由 b 到 a，电流由高
13、电势流向低点势， a端比 b 端高 6V。（1） （2） （3）5.07（2）根据描点法可得出对应的伏安特性曲线：（3）根据伏安特性曲线可知，当电压为 1.0V 时，电流为 0.2A，则由欧姆定律可得电阻为： 。（1） （2）D （3）20 4（1）由题意要求可知，电压从零开始变化，并要多测几组数据，故只能采用滑动变阻器分压接法，灯泡的电阻约为 ，跟电流表内阻接近，所以用电流表外接法，电路图如图所示。（2）因要求电压从零开始变化，变阻器用分压接法，应选小阻值的 D。（3） 和 接串联，电流相等，由 UI 图象读出电流 ，对应的电压为，所以 和 的电阻为 ， 和 总电阻8，此时 接两端的电压 U
14、= EU=62.52V=1 V，所以（1） （2）见解析 （3）110 5（1）电子绕核做圆周运动，所需的向心力由核对电子的库仑引力来提供根据又解得：（2）导体中电流大小t 时内所电荷定向移动的距离长度为 vt， 则其体积为 Svt通过导体某一截面的自由电子数为 nSvt该时间内通过导体该截面的电量： q=nSvte则 I=nesv（3）设此半导体单位体积内有 n 个自由电子，同时也将有 n 个空穴；以 S 表示截面积体积， v1， v2分别表示半导体中空穴和自由电子的定向移动速率， I1和 I2分别表示半导体中空穴和自由电子形成的电流，9代入数据解得 =110-5 说明每 1105个原子才放出一个自由电子
