所示电路的等效电阻 Rab= 【 】(A)6(B) 7(C) 8(D)94 差动放大电路对【 】有抑制作用。(A)差模信号(B)共模信号(C)差模和共模信号都(D)差模和共模信号都没5 图 1-3 所示三极管为【 】管,工作状态为【 】(A)硅 放大状态(B)锗 放大状态(C)硅 截止状态(D)锗
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1、所示电路的等效电阻 Rab A6B 7C 8D94 差动放大电路对 有抑制作用.A差模信号B共模信号C差模和共模信号都D差模和共模信号都没5 图 13 所示三极管为 管,工作状态为 A硅 放大状态B锗 放大状态C硅 截止状态D锗 截止状态6。
2、i10sintC.ID.3.图 12所示电路的等效电阻 R ab 分数:2.00A.6B.7C.8D.94.差动放大电路对 有抑制作用.分数:2.00A.差模信号B.共模信号C.差模和共模信号都D.差模和共模信号都没5.图 13所示三极管为。
3、05mAB.1mAC.2mAD.3mA3.已知正弦电压在 t0 时为 220V,其初相位为 45,则它的有效值为 分数:2.00A.B.220VC.380VD.4.两个稳压管稳定电压分别为 U Z1 6V,U Z2 9V,正向导通电压均为 。
4、式 AI 1I 3B I3I 1C I2I 1DI 1I 24 恒流源与电阻并联可以等效为一个 A电压源B恒压源C恒流源D电阻5 图 1 一 4 所示电路中,已知 UC8V,则 US A10VB 12VC 16VD6 图 15 所示支路的阻。
5、4 图 43 中电路在测试中发现,电位 VB06V,V CVCC,分析原因是 A电流 IC 过大B电阻 RB 过大C电阻 RC 阻值过小D三极管集电极开路5 共模抑制比 KCMR 是衡量 A对差模信号的放大能力B对共模信号的放大能力C放大差。
6、电压降为6V,这说明放大电路的输出电阻为 A10kB 2kC 4kD3k3 电路如图 22 所示,稳压管的稳压值 UZ5V,其正向导通压降为 07V,则 U A10VB 07VC 5VD93V4 图 23 所示的硅晶体管电路中,R C4k。
7、值表如表 31 所示,其函数 F 的表达式是 5 卡诺图中,把 4 个相邻项合并,能够消除的变量数为 A1 个B 2 个C 3 个D4 个6 如图 31 所示 TTL 门电路,其输出 F 为 AF1B FAC FDF07 若要使表达式 Y 。
8、1 截止,D 2 截止2.某放大电路在负载开路时的输出电压为 10V,接入 6k 的负载电阻后电压降为 6V,这说明放大电路的输出电阻为 分数:2.00A.10kB.2kC.4kD.3k3.电路如图 22 所示,稳压管的稳压值 U Z 5V。
9、一 150V3.已知电容两端电压为 10sint30V,则电容电流 i 分数:2.00A.iCsint30AB.Csint120AC.10Csint120AD.10Csint60A4.场效应管与半导体三极管进行比较,场效应管是 分数:2。
10、 AB 220VC 380VD4 两个稳压管稳定电压分别为 UZ16V,U Z29V,正向导通电压均为 06V.这两个稳压管组合输出的电压不可能为 A35VB 96VC 18VD66V5 串联型稳压电路是利用 使输出电压保持稳定.A电压串联。
11、AD.4一 j3A4.PN结上加上反向电压,自建电场与外加电场方向 ,内电场 分数:2.00A.相反 加强B.一致 加强C.相反 减弱D.一致 减弱5.典型差放电路中,设 r be1 r be2 r be , 1 2 ,那么双人双出时的差模。
12、2.00A.B.C.D.3.图 42 电路中的 V 表的读数为 分数:2.00A.2VB.14VC.10VD.7V4.图 43 中电路在测试中发现,电位 V B 06V,V C V CC ,分析原因是 分数:2.00A.电流 I C 过大。
13、 4j3AD4 一 j3A4 PN 结上加上反向电压,自建电场与外加电场方向 ,内电场 A相反 加强B一致 加强C相反 减弱D一致 减弱5 典型差放电路中,设 rbe1rbe2rbe, 12,那么双人双出时的差模电压倍数 Ad为 6 集成运。
14、一个的电阻值比另一个大得多,在 时,电阻值小的电阻的作用可以忽略,在 时,电阻值大的电阻的作用可以忽略.A串联使用 串联使用B并联使用 串联使用C串联使用 并联使用D并联使用 并联使用4 处于截止状态的三极管,其工作状态为 A发射结正偏,集。
15、 AiCsint30AB Csint120AC 10Csint120AD10Csint60A4 场效应管与半导体三极管进行比较,场效应管是 A输入电阻低,无输入电流B电流控制器件C输入电阻高,热稳定性能好D输入电阻低,输出电阻低5 图 23。
16、00A.30B.一 30C.0D.不确定3.两个电阻中,一个的电阻值比另一个大得多,在 时,电阻值小的电阻的作用可以忽略,在 时,电阻值大的电阻的作用可以忽略.分数:2.00A.串联使用 串联使用B.并联使用 串联使用C.串联使用 并联使。
17、63.和 分数:2.00A.1B.C.ABD.4.某逻辑电路真值表如表 31所示,其函数 F的表达式是 分数:2.00A.B.C.D.5.卡诺图中,把 4个相邻项合并,能够消除的变量数为 分数:2.00A.1个B.2个C.3个D.4个6.如。
18、两者均发出功率D.两者均吸收功率3.图 13中,电流 I 5 可以表达成下面哪个等式 分数:2.00A.I 1 I 3B.I 3 I 1C.I 2 I 1D.I 1 I 24.恒流源与电阻并联可以等效为一个 分数:2.00A.电压源B.恒。
19、心就构成磁路,磁路又影响电路.因此电工技术不仅有电路问题,同时也有磁路问题,6.1.1 磁路的概念,当线圈中通过电流时,铁心即被磁化,使得其中的磁场大为增强,故通电线圈产生的磁通主要集中在由铁心构成的闭合路径内,这种磁通集中的路径便称为磁路。
20、八进制数octal和十六进制数hexadecimal,十进制数,组成:0123456789 进位规则:逢十进一. 不同位置数的权不同,可用10i表示. i在n1至m间取值. n为十进制数的整数位位数, m为小数位位数. 10称为基数rad。