1、NORME CE1 INTERNATIONALE INTERNATIONAL STANDARD IEC 60747-5-2 1997 AMENDEMENT 1 AMENDMENT 1 2002-03 Amendement 1 Dispositifs discrets semiconducteurs et circuits intgrs - Partie 5-2: Dispositifs optolectroniques - Valeurs I imites et caractristiques essen t iel les Amendment 1 Discrete semiconductor
2、 devices and integrated circuits - Part 5-2: Optoelectronic devices - Essential ratings and characteristics O IEC 2002 Droits de reproduction rservs - Copyright - all rights reserved International Electrotechnical Commission, 3, rue de Varemb, PO Box 131, CH-I21 1 Geneva 20, Switzerland Telephone: +
3、41 22 919 02 11 Telefax: +41 22 919 03 O0 E-mail: inmailiec.ch Web: www.iec.ch L CODE PRIX Commission Electrotechnique Internationale PRICE CODE International Electrotechnicai commission MexaytapoatiaR Jnepoexqeca KOMMCCMR Pour prix, voir catalogue en vigueur For price. see current catalogue Copyrig
4、ht International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-2- 60747-5-2 Amend.1 O CEI:2002 AVANT-P RO POS Le prsent amendement a t tabli par le sous-comit 47E: Dispositifs discrets semiconducte
5、urs, du comit dtudes 47 de la CEI: Dispositifs semiconducteurs. I I 47E12091FDIS I 47E12141RVD Le rapport de vote indiqu dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant abouti lapprobation de cet amendement. Le comit a dcid que le contenu de la publication de base et de ses amend
6、ements ne sera pas modifi avant 2004. A cette date, la publication sera reconduite; supprime; amende. remplace par une dition rvise, ou Page 6 Ajouter la nouvelle introduction suivante: INTRODUCTION La prsente partie de la CE1 60747 fournit des informations de base sur les semiconducteurs: - termino
7、logie, - symboles littraux, - valeurs limites et caractristiques essentielles, - mthodes de mesure, - rception et fiabilit. Page 8 2 Rfrences normatives Ajouter les rfrences suivantes la liste: CE1 60112:1979, Mthode pour dterminer des indices de rsistance et de tenue au cheminement des matriaux iso
8、lants solides dans des conditions humides CE1 6021 6-1 :1990, Guide pour la dtermination des proprits dendurance thermique de matriaux isolants lectriques - Premire partie: Guide gnral relatif aux mthodes de vieil- lissement et lvaluation des rsultats dessai CE1 6021 6-2:1990, Guide pour la dtermina
9、tion des proprits dendurance thermique de matriaux isolants lectriques - Deuxime partie: Choix de critres dessai CE1 60672-2:1980, Spcification pour matriaux isolants base de cramique ou de verre - Deuxime partie: Mthodes dessai Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS und
10、er license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-60747-5-2 Amend. 1 O IEC:2002 47E/209/FDIS -3- 47E214RVD FOREWORD This amendment has been prepared by subcommittee 47E: Discrete semiconductor devices, of IEC technical committee 47: Semiconductor d
11、evices. The text of this amendment is based on the following documents: I FDIS I Report on voting I Full information on the voting for the approval of this amendment can be found in the report on voting indicated in the above table. The committee has decided that the contents of the base publication
12、 and its amendments will remain unchanged until 2004. At this date, the publication will be reconfirmed; withdrawn; amended. replaced by a revised edition, or Page 7 Add the following new introduction: I NTROD U CTI O N This part of IEC 60747 provides basic information on semiconductors: - terminolo
13、gy, - letter symbols, - essential ratings and characteristics, - measuring methods, - acceptance and reliability. Page 9 2 Nor mat ive referen ces Add the following references to the list: IEC 601 12: 1979, Method for determining the comparative and the proof tracking indices of solid insulating mat
14、erials under moist conditions IEC 6021 6-1 :1990, Guide for the determination of thermal endurance properties of electrical insulating materials - Part 1: General guidelines for ageing procedures and evaluation of test results IEC 6021 6-2: 1990, Guide for the determination of thermal endurance prop
15、erties of electrical insulating materials - Part 2: Choice of test criteria IEC 60672-2:1980, Specification for ceramic and glass insulating materials - Part 2: Methods of test Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or
16、networking permitted without license from IHS-,-,-4- 60747-5-2 Amend.1 O CEI:2002 Page 30 8 Photocoupleurs (optocoupleurs) offrant une protection contre les chocs lectriques Ajouter le nouvel alina suivant: Toutes les exigences contenues dans cet article sappliquent aux photocoupleurs (optocoupleurs
17、) avec une isolation intrinsque du boitier, quelle que soit la configuration de lentre et/ou de la sortie (exemple: phototransistor, sortie logique, etc.). 8.1 Type Remplacer les alinas existants par le nouvel alina suivant: Photocoupleurs (optocoupleurs) temprature ambiante spcifie ou temprature de
18、 boitier spcifie avec . (indiquer ici la nature de lentre et/ou de la sortie) ,., conus pour fournir une protection contre les chocs lectriques, dans le cas dun pontage disolation double ou renforce. 8.2.1 Entre Ajouter le nouvel alina suivant: Arsniure de gallium, arsniure de gallium aluminium, etc
19、. 8.2.2 Sortie Ajouter le nouvel alina suivant: Silicium, etc. 8.3 Dtails dencombrement et dencapculation Ajouter les nouveaux paragraphes suivants: 8.3.1 Numro de rfrence CE1 etlou numro national de rfrence du dessin den comb rem en t 8.3.2 Mthode dencapsulation 8.3.3 identification des bornes et i
20、ndication de toute connexion entre une borne et le botier Remplacer les paragraphes 8.4 8.6.3.6.1 existants par les nouveaux paragraphes 8.4 8.6.3.6.1 suivants: 8.4 Valeurs limites ( mentionner dans une section spciale du catalogue de fabricant) 8.4.1 Valeurs limites de scurit a) Temprature ambiante
21、 de scurit maximale (T,) b) Courant maximal dentre ou dissipation maximale de puissance dentre (Isi ou Psi) c) Courant maximal de sortie ou dissipation maximale de puissance de sortie (I,ou Pso) Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleN
22、o reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-60747-5-2 Amend. 1 O IEC:2002 -5- Page 31 8 Photocouplers (optocouplers) providing protection against electrical shock Add the following new paragraph: All requirements contained in this clause are valid for photocouplers (optocoupl
23、ers) with a solid insulation in one package, whatever the configuration of the input and/or the output may be (e.g. phototransistor, logic output, .etc.). 8.1 Type Replace the existing paragraphs with the following new paragraph: Ambient-rated or case-rated photocoupler (optocoupler) with . (indicat
24、e here the kind of input and/or output) designed to provide protection against electrical shock, when bridging double or reinforced isolation. 8.2.1 Input Add the following new paragraph: Gallium Arsenide, Gallium Aluminum Arsenide, etc. 8.2.2 Output Add the following new paragraph: Silicon, etc. 8.
25、3 Details on outline and encapsulation Add the following new subclauses: 8.3.1 IEC andlor national reference number of the outline drawing 8.3.2 Method of encapsulation 8.3.3 Terminal identification and indication of any connection between a terminal and the case Replace the existing subclauses 8.4
26、to 8.6.3.6.1 by the following new subclauses 8.4 to 8.6.3.6.1: 8.4 Ratings (have to be mentioned in a special section in the manufacturer?s data sheet) 8.4.1 Safety ratings a) Maximum ambient safety temperature (T,) b) Maximum input current or maximum input power dissipation (Isi or Psi) c) Maximum
27、output current or maximum output power dissipation (Iso or P,) Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-6- 60747-5-2 Amend.1 O CEI:2002 Charge apparente (mthode a) 8.4.
28、2 Valeurs limites de fonctionnement Valeurs relatives au boitier: tempratures, puissance dissipe totale. Valeurs relatives lentre et la sortie: tensions, courants, puissance dissipe. 8.4.3 Tension disolement assigne a) Tension de fonctionnement disolement maximale: VIOWM b) Tension rptitive disoleme
29、nt maximale: VIO, c) Tension transitoire disolement maximale: VloTM 8.5 Prescriptions de scurit lectrique Outre celles qui sont numres dans larticle 7, les caractristiques prsentes dans le tableau 1 suivant doivent tre mentionnes dans le catalogue du fabricant. I I qpd I Max Voir 5.5 de la CE1 60747
30、-5-3 Tableau 1 - Caractristiques techniques Rsistance disolement Rsistance disolement (dans des conditions de dfaut) Rf. 100 “C I T,b I Tamb max. Ri0 RIO Vio = 500 V Tamb = TC (voir 8.4.1 a) VIO = 500 V 8.5.1 Indice de rsistance au cheminement Au-dessus de la catgorie de tension 8.5.2 CTI 8.5.3 8.5.
31、4 8.5.5 8.5.6 8.5.7 8.5.8 8.5.9 Caractristiques Conditions 1 Notes 1 Symbole 1 Prescrip- tions Charge apparente (mthode b) I Min. Min. Distance disolement externe Ligne de fuite externe Voir la CE1 60664-1, tableaux 2 et 4, ou quivalent pour prescriptions minimales (domaines non homognes) Se rfrer a
32、ux normes de matriels affrentes pour des prescriptions supplmentaires Symboles ltude Min. Min. Min. Catgorie climatique Degr de pollution 8.6 Informations sur les essais lectriques, denvironnement etlou dendurance (informations supplmentaires) Voir les tableaux 2 et 3 pour rfrence. 8.6.1 Au stade de
33、ssai individuel de srie (mthode b), un essai disolement doit tre conforme 5.4 de la CE1 60747-5-3 soit ralis, suivi par un essai de dcharge partiel conformment 5.5 de la CE1 60747-5-3. Les deux essais peuvent tre raliss soit sur le mme matriel dessai sans dlai (mthode bl), soit sur des matriels dess
34、ai diffrents avec dlai (mthode b2). Lessai disolement peut tre omis si lessai de dcharge partielle est ralise (mthode b3). Tout essai disolement par le fabricant de matriels ou de photocoupleurs peut tre ralis avec des tensions suprieures ou gales aux tensions dessai dfinies dans les normes de matri
35、els (par exemple 4 kV eff.), mais doit tre gal ou infrieur vpd(ini),b. Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-60747-5-2 Amend. 1 O IEC:2002 -7- Ref. Characteristics C
36、onditions Notes Symbol 8.4.2 Functional ratings Package related values: temperatures, total power dissipation. Requirements Input and output related values: voltages, currents, power dissipation. 8.5.1 8.4.3 Rated isolation voltages I I qpd I Max. I Apparent charge (method a) See 5.5 of IEC 60747-5-
37、3 a) Maximum working isolation voltage: VIOWM b) Maximum repetitive isolation voltage: V,ORM c) Maximum transient isolation voltage: VIOTM 8.5.2 8.5.3 8.5.4 8.5.5 8.5.6 8.5 Electrical safety requirements Max. (method b) Isolation resistance 100 “c 5 Tamb VloRM (min. 700 V), Tamb 2 100 “c, dure = 16
38、h 1 cycle 55 OC 2 h Tstgmin. 85 % HR 85 OC, dure = 21 jours Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-60747-5-2 Amend. 1 O IEC:2002 - 11 - The safety limiting values are
39、 governed by the materials and circuit design parameters adopted by the manufacturer, and the user must ensure that the safety limiting values are not exceeded, to ensure that the isolation resistance or insulation of the optocoupler remains intact. The user will ensure the safety limiting values ar
40、e not exceeded through adequate safety arrangements in the circuit design and application conditions of the optocoupler, e.g.: 1) current limitation of the input/output circuit; 2) voltage limitation of the input/output circuit; 3) thermal management of the circuit, which ensures absolute maximum ju
41、nction temperature or absolute maximum operating temperature as specified in the manufacturers data sheet is not exceeded; 4) the surrounding circuit to be ignition-resistant; 5) in the event of a fault or failure, the external current or voltage limiting safety mechanisms or methods will ensure tha
42、t the safety limiting values are not exceeded. 8.6.3.1 Preconditioning Visual inspection: Resistance to soldering heat: Apparent charge: method bl) Parametric test: Isolation resistance: 8.6.3.2 Subgroup 1: 20 samples 8.6.3.2.1 Tests Preconditioning: Rapid change of temperature: Vibration: Shock: Se
43、aling (not for plastic): Dry heat: Accelerated damp heat: Temperature storage: Damp heat (steady state): according to manufacturers specification 260C+5“C,5sIT1 s for photocouplers in SMT versions, conditions shall be defined (see IEC 60747-5-1, 6.4.12.2 c) iini,b (according to manufacturers specifi
44、cation) I according to manufacturers specification VIO = 500 V, Tambmax. RI, 2 1 O1 !2 vpd(tn) = IORM (IOWM)? qpd 5 5 Pc see 8.6.3.1 see IEC 60068-2-14 see IEC 60068-2-6 see IEC 60068-2-27 see IEC 60068-2-17 see IEC 60068-2-2 see IEC 60068-2-30 see IEC 60068-2-1 see IEC 60068-2-3 Tstgmin., Tstgmax.,
45、 10 cycles, dwell time 3 h 10 cycles per axis half sine wave, 3 shocks in each direction pressure 200 kPa, duration = 6 h V2 VIO, (min. 700 V), Tamb 2 100 “c, duration = 16 h 1 cycle at 55 OC 2 h at TStgmin. 85 % RH at 85 OC, duration = 21 days Copyright International Electrotechnical Commission Pro
46、vided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-12- 60747-5-2 Amend.1 O CEI:2002 8.6.3.2.2 Mesures finales: au moins Scher les chantillons pendant 1 h 2 h avant deffectuer les mesures finales. Charge apparente: mthode a) Rsistance
47、 disolement: Essai de surtension (essai de type uniquement): F = 1,875 (voir la CE1 60747-5-1, 6.4.12.2 c) VI, = 500 V, Tamb = 25 OC, RIO 2 10l2 $2 voir 14.2.4 de la CE1 60065, a 10 kV qpd 5 Pc Rsistance disolement: VIO = 500 v, Tarnt, = 25 Oc, RIO 2 lo9 n 8.6.3.3 Sous-groupe 2: 30 chantillons 8.6.3
48、.3.1 Essais ou examen: Prconditionnement: voir 8.6.3.1 Essai de scurit dentre (voir annexe 6): aux valeurs limites dans des conditions de dfaut: courant dentre maximum ou puissance dentre maximum de dissipation. Tamb = Ts, dure: 72 h 8.6.3.3.2 Mesures finales: au moins Charge apparente: mthode a) f = 1,2 (voir la CE1 60747-5-1, 6.4.12.2 c) qpd 5 5 Pc Rsistance disolement: VIO = 500 v, Tamb = 25 Oc, Rio 2 i
