1、ICS 29.045 H 80 GB/T 14264 2009 代替GB/T14264 1993 巳才Semiconductor materials一and definitions 2009-10-30发布2010-06-01实中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 14264 2009 目。GB/T 14264一1993(半导体材料术语。本标准与GB/T14264 1993相比，有以下变化3增加了218项术语;增加了三个资料性附录2包括61项硅技术术语缩写、11项符号和标准术语出处;修改了原标准中86项术语内容。本标准的附录A和附录B为资料性附录。本标准由
2、全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准负责起草单位:中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司和国瑞电子材料有限责任公司。本标准参加起草单位2洛阳单晶硅有限责任公司、峨眉半导体材料厂、宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、南京错厂有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司、云南东兴集团、西安蝠品电子技术有限公司、中科院半导体所、上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人:列燕、黄笑容、向磊、霍富义、卢立延、郑琪、邓志杰、贺东江。本标准所代替标准的历认以.-咽l同饥/J:G
3、B/T 14264 1993 , I GBjT 14264 2009 半导体材料术语1 范围本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于元素和化合物半导体材料。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。ASTM F1241 硅技术术语SEMI M59 硅技术术语3 以下术语和定义适用于本标准。3. 1 受主accept
4、or 半导体中的一种杂质，它接受从的电子，形成空穴导电。3.2 电阻率允许偏差allowable resistivity tolerance 品片中心点或品绽断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允来表示。3.3 ，它可以用标称值的百分数度允许偏差allowable thickness tolerance 晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。3.4 各向异性anisotropic 在不同的结晶学方向具有不同的物理特性，又称非各向同性，非均质性。h PL e 阳呈。位向四方剧学目阳蚀结腐的性定异特向着各沿Ed 。3强的一种选择性腐蚀。3.6 退火annealing 改变硅片特性的热过程。3.
5、7 退火片annealed wafer 在惰性气氛或减压气氛下由于高湿的作用在近表面形成一个元缺陷CCOP)区的硅片。3.8 脊形崩边apex chip 从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面，而形成一条或多条清晰交叉线。1 GB/T 14264 2009 3.9 区域沾污area contamination 在半导体晶片上，非有意地附加到品片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域沽污可以是由吸盘印，手指或手套印迹、污迹、蜡或溶剂残留物等形成的品片表面上的外来物质。3. 10 3. 11 3. 12 区域缺陷缸eadefect 元标准定义，参看延伸的光散射体
6、(3.28.的。气退火的硅片吨。nannealed wafer 在氢气气氛下进行高温退火的硅片。掺杂autodoping (self-doping) 自衬底的掺杂剂掺入到外延层中。自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其他衬片，基座或沉积系统的其他部分。3. 13 背封backseal 在硅片背表面覆盖一层二氧化硅或其他绝缘体的薄膜，以抑制磁片中主要掺杂剂向外扩散。3. 14 backside 不推荐使用的术语。如在ASTMF1241中规定的使用术语背表面。3. 15 背表面back surface 半导体品片的背表面，相对于在上面已经或将要制作半导体器件的3. 16 基底base
7、 siIicon wafer 指SO!片，在绝缘薄层下商的硅片，支撑着上层的硅薄膜。3. 17 3. 18 3. 19 块状结构block structure 参见跑状结构(3.27)。合界面bonding interface 两种品片之间合间。合硅片bonding wafer 面。两个硅片键合在一起，中间有绝缘层，这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅。3.20 弯曲度bow 自由无夹持品片中位面的中心点与中位面基准平面间的偏离，中位面基准平面是由指定的小子品片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平同。3.21 亮店、bright point 不推荐的术语，参见局部光散射体(LLS)(3.
8、28. 3)。2 3.22 3.23 3.24 3.25 buried layer 外延层覆盖的扩散区，氧化物(硅)buried oxide 由氧注入形成的氧化物(氧化硅层。氧化(BOX)buried oxide layer 扩散层。当绝缘层为二氧化硅时，硅片中间的绝缘层。子浓度carrier density GB/T 14264 2009 单位体积的载流子数目。在室p，电子浓度的符号为n.存在的条件下等于电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为3.26 半导体材料中的载流子carrier, in semiconductor materials 一种能携带电荷通过团体的载体。例如，半导体中价带的空穴和
9、导带的电子。又称荷电载流子。3.27 胞状结构cell structure 来源于晶体生长过程中晶体不均-性的畸变，也3.28 晶片的表面检查check of wafer surface 3.28. 1 为块状结构。扫描表面检查系统(SSIS)scanning surface inspection system 用于品片整个质量区的快速检查设备，可探测局部光散射体、雾等，也叫做颗粒记数器(particlecounter)或激光表面扫描仪(!asers urface scanner) 3.28.2 激光光散射现象laser Iight-scaUering event 一个超出预置阂值的信号脉冲，
10、该信号是由探作用产生的。3.28.3 局部光散射体(LLS)I侃aliz创Iight-scatterer收到的束与晶片表面局部光散射体相互一种孤立的特性，例如品片表面上的颗粒或蚀坑相对于品片表面的光散射强度，导致散射强度增加。有时称光点缺陷，尺寸足够的局部光散射体在高强度光照射下呈现为光点，这些光点可目视观察到。但这种观察是定性的。观测局部光散射体用自动检测技术，如激光散射作用，在能够区分不同散射强度的散射物这一意义上，自动检测技术是定量的。LLS的存在也未必降低晶片的实用性。3.28.4 光点缺陷(LPD)Iight point defect 不推荐的术语，参见局部光散射体(LLS)(3.2
11、8.3)。注2:LPD是通用的术语，它包括类似乳胶球和其他可检测到的表面不平整性。3.28.5 乳胶球当量(LSE)latex sphere equivalence 用一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体(LLS)的尺寸单位，该乳胶球与局部光散射体(LLS)具有相同光散射量。用LSE加到使用的长度单位来表示，例如0.2mLSE。3 G/T 14264 2009 3.28.6 延伸光散射体CXLS)extended light scatterer 一种大于检查设备空间分辨率的特征，在晶片表面上或内部，导致相对于周围品片来说增加了光散射强度，有时称为面缺陷。3.29 3.30 3.31 半导体工
12、艺中的化学机械抛光(!JP)chem-mechanical planarization , in semiconductor technology 利用化学和机械作用去除晶片表面物质，为后续工艺提供镜状表面的一种工艺。化学气相沉积CCVD)chemicaJ vapor deposition 半导体工艺的化学气相沉积，是-个工艺过程，其控制化学反应，制成一个表 边(边缘崩边，周边崩边，缺口，崩边)chip C edge chips, peripheral chips, peripheral indents,surface chips) 品片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域。某些崩边是在晶片加
13、工、测量或检验时，因传送或放置样品等操作引起的。崩边的尺寸由样品外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦长 3.32 夹痕chuck mark 由机器手、吸盘或条形码读入器引起的晶片表面上的任一物理印迹。3.33 解理面cleavage plane 一种结晶学上优先断裂的品面。3.34 补偿compensation 除去主掺杂剂浓度的杂质以外的杂质存在引起自由载流子数量的减少。3.35 补偿掺杂compensation doping 向p型半导体中掺入施主杂质或向n型半导体中掺入受主杂质，以达到反型杂质电学性能相互补的目的。3.36 化合物半导体compound semiconductor
14、 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，主口碑、磷化锢、。3.37 concentration 中少数组分的量对于多数组分的比(例如每百万分之几，每十亿分之几或百分之几)。3.38 电导率conductivity 流子在材料中流动难易的一种度量。符号为，单位为Cn.Cm)-l。3.39 导电类型conductivity type 半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。4 GB/T 14264 2009 3.40 恒定组分区constant composition region GaAs口%)P%外延层中最后生长层的组分，该组x=O.38 , 按设定值保持不变，一般是磷的摩尔百分数，3
15、.41 3.42 沾污contaminant. particulate 参见LLS(3.28. 3)。晶体原生凹坑(COP)crystaI originated pit 在晶体生长中引人的一个凹坑或一些小凹坑。当它们与硅片表面相交时，类似LLS。因为在使用SSIS观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒(crystaloriginated particulate)。总之，现代的SSIS一般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑。当晶体原生凹坑存在时，表面清洗或亮腐蚀常常会增大其被观察的尺寸和数量。3.43 裂纹crack 延伸到晶片表面的解断裂，其可能或许没有穿过晶
16、片的整个厚度。3.44 火山口(弹坑状)crater 平滑中心区域的具有不规则的封闭山脉状表。3.45 新月状物crescents 外延沉积后具有平行主轴的结构，其归因于硅衬底表平面的上面或下面的衬底缺陷，参见鱼尾状物(3. 89)。3.46 3.47 3.48 3.49 3.50 鸦爪crows foot 相交的裂纹，在111表面上呈类似乌鸦爪的Y图样，在100表面上呈十字+形的图祥。晶体crystaI 在三维空间中由原子、离子或分子以一周期性图形排列组成的固体。晶体缺陷crystaI def ect 偏离理想品格点阵中原子有晶体指数crystaI indices 见密勒指数(3.158)。
17、的排列。结晶学表示法crystaIIographic notation 用于标示晶体中晶面和品向的密勒指数的一种符号体系。品面( 晶面族 晶向 品向族1 。3 痕 00. 3. 15 解面.3.33 恒定组分区. 3.40 界. . 3. 132 红外散射缺陷(LSIDs). . . . 3. 145 层界. . . . . . 3. 106 36 GB/T 14264 2009 晶面3.51 . 3. 91 片3.223流动图形缺陷(FPDs)3.98 愚片的表检查.3.28 六角网络3.258晶片厚度. . . . . . 3.252 炉nt nu 句3片硅愚片机械强度. . . . .
18、. . 3. 152 李晶. .3.260 晶体.3.47李晶带. . . . . . 3. 259 晶体缺陷3.48 .3.233 晶体原生回坑(COP). . . . . . . . . . . .3.42 岛t晶体指数3.49 晶向. . . . . . . 3. 174 3.22 晶向偏离. . 3. 172 氧化(BOX) 3.24 径向电率变化. . . 3. 204 氧化物(硅) 3.23 局光散射体(LLS)93 。句93 部平整度3.95.11 N 部区域 3.95.9 浓度. 3. 37 部区域内的区域. . . 3. 95. 12 P 部区域阵列. . . . . . .
19、 3. 95. 10 桔皮. . . 3. 173 面光抛3. 188 均方根区域微(RqA) . . 3.211.6 批3.146 均方根度(Rq). . . . . . . . . . . . . . 3.211.7 平度(Ra)1 1 1 句43 均方根斜率(mq)。1 1 句，。a 平台. . .3.247 K 3.95 粒. . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 179 Q 片. . . . 3. 182 气相外延(VPE). . . . . 3. 263 3. 181 迁移率.3. 160 坑. . . . . . . 3. 185 浅. . .
20、 . . . . . 3.219 空洞() . . . . . . . . . . 3. 265 粒.3. 125 空穴. . . . . . . 3. 118 峭度(分布曲线中的高峰程度)(Rku) . 块状结构 3. 17 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.21 1. 2 扩3.60 。PO 句，&匀。度曲L 切割 3.52 亲水性. . 3. 122 蜡残物. . . 3.271 片3.121 劳埃法. . . . . . 3. 138 . 3. 157 棱锥. . 3. 203 区
21、陷 3. 10 A吗-24 d入注子区域沾污. . . . . . . . . . 3. 9 亮点. 3.21 缺口. . 3. 128 . 3.99 . 3.43 R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 103.3 热生长的氧化物. . 3.250 37 GB/T 14264 2009 热A斗ca 句，-q3 性定微粒.3. 180 溶剂物. . . 3. 230 陷. . 3. 156 乳胶球当量CLSE)FhJU 。内/句3 位错. 3.63 s 位错抗. 3.66 位错密度. 3.65 扫描表系统CS
22、SIS)1 。nL 。3 位错排.3.64 扫描方向. 3.95.7 . 3.246 扫局整度. 3.95.8 污迹. . . . . 3.227 色斑3.235 污物. . . . . . . . . . . . . 3.62 少n崎-UEU 93 子流无位错单晶. . 3.272 确化稼退火. . 3. 103 雾3. 114 深级杂质 3.54 主. 3.68 x 十点高度CRz). . 3. 21 1. 11 吸除. . 3. 107 手J标记. . . . . . . . . 3. 113 3. 141 寿命.3. 140 变化CLTV). 3. 142 受主. . . . . .
23、3. 1 小角晶界. . . . 3. 147 疏7(性. . . 3. 123 小丘. . . 3. 163 性表面. . 3. 124 新月状物 3.45 水平法. . . . . . 3. 120 四探针. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.97 3.239 损伤. . . . . . . 3.53 . 3.220 损伤深度(Tz). . . 3.262 悬浮区熔法CFZ). . . . . . . . . . 3.96 . . . . 3. 244 T . . 3. 228 探针损伤. . . 3. 198 Y 同质外延3.
24、119 退刀. 3.214 鸦爪. 3.46 退火. . . . . . . . 3. 6 氢的硅片. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 11 退火3.103. 1 延伸光散射体CXLS)e口nxu m/qu 退火片. . . . . . 3.7 研. 3. 137 氧(OSF) . . . 3. 177 w 氯化夹杂. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 178 外延. . . 3.82 氧化物缺失. 3. 176 外延层. 3.81 液掘外延
25、CLPE).3.143 外的平坦区 3.94 异质外延. . . . 3. 116 外延层的有效度。J句3 . 3. 196 外hlv m丘。a度. 3.89 外剖斜度. .3.200 元素半导体. . . 3.80 弯曲度 3.20 吁，户口内丘a 片试度. . . 3.21 1. 4 月球火山口(月牙洼. . . . . 3. 162 38 GB/T 14264 2009 z 亘拉法(CZ)3.264 中. . . . . . . . ., 3. 155 . 3. 127 中(NTD) . 3. 167 3. 126 . 3. 115 . 3.241 伤. . . . . . 3. 148
26、 . . . . . . . . . . . . . . . . 3.25 周边qd 。93 痕凹在硅片表面的纳米拓扑结构. . . . . . . 3. 165 主. . . 3. 197 在重掺杂衬上沉积相同导锥度(平行度). 3.245 外的过渡区. . 3.257 自掺杂3. 12 蚀. . . . . . 3. 195 自然氧化物. . . . . . . . 3. 166 沾污. 3.41 总固定电荷密度(Ntf). . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 170 面表正3. 101 总(TTV) 3.255 正交局向离. 3. 175 总平整度. .
27、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.95.3 正面.3. 100 总指示、JR 冒T f，、3.95.13 支撑片，或, 底.3. 243 总CTIR) . . . . . . . . . . . . . 3.95. 14 直径. . . . . . . .3.59 最大的FPD.3.95.4 39 GB/T 14264 2009 英文冒lA acceptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 1 allowable resistivity
28、tolerance 3.2 allowable thickness tolerance . 3. 3 anisotropic . . 3. 4 anisotropic etch 3.5 annealed wafer 3. 7 annealing 3.6 apex chip 3.8 area contamination . . . . . . . . . . . . 3. 9 area defect . 3. 10 argon annealed wafer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 11 autodoping (self
29、-doping) 3. 12 average roughness . . . . . . . 3.211.1 B back surface 3. 15 backseal . 3. 13 backside . 3. 14 base silicon wafer 3. 16 block structure 3. 17 bonding interface . . . . . . . . . . . 3. 18 bonding wafer . . 3. 19 bow . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30、 . . . . . . . . . . . . . . . . 3.20 bright point 3.21 buried layer 3.22 buried oxide . . . . 3.23 buried oxide layer 3.24 C capped annealing . 3. 103. 2 carrier density . 3.25 carrier, in semiconductor materials 3.26 cell structure .3.27 check of wafer surface . 3.28 chemical vapor deposition 3.30
31、 chem-mechanical planarization, in semiconductor technology 3.29 chip (edge chips, peripheral chips, peripheral indents, surface chips) 3.31 chuck mark . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 32 c1eavage plane . 3.33 compensation . 3.34 40 GB/T 14264 2009 compensation doping 3.35 compound semic
32、onductor 3.36 concentration 3.37 conductivity 3.38 conductivity type 3.39 constant composition region 3.40 contaminant , particulate 3.41 crack . . . 3. 43 crater 3.44 crescents 3.45 crows foot 3.46 crystal 3.47 crystal defect 3.48 crystal indices 3.49 cstal originated pit 3.42 crystallographic nota
33、ton 3.50 crystallographic plane 3.51 cutting . 3.52 D damage 3.53 damage depth 3.262 deep-Ievel impurity 3.54 density of dopant atoms 3.55 denuded zone . . . . . . . . . . . . . . . 3.56 depletion layer 3.57 depletion width 3.58 DI wafer 3.67 diameter . 3.59 diffused layer 3.60 dimple 3.61 dirt 3.62 dislocation . 3.63 dislocation array 3.64 dislocation density 3.65 dislocation etch pit . 3.66 donor . 3.68 dop四t. 3.69 dopant striation rings
