1、道ICS 17. 100 N 05 和国国家标准中华人民GB/T 28856-2012 、L_ 硅压阻式压力敏感芯片Silicon piezoresistive pressure-sensitive cbip 2013-02-15实施2012-11-05发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会.a106S3, . 9-07叫民二伊、笃脆:、/飞量数码防伪/ 中华人民共和国国家标准硅压阻式压力敏感芯片GB/T 28856-2012 * 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里洞北街16号(100045)网址总编室，(010)
2、64275323发行中心，(010)51780235读者服务部，(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销陪开本880X 1230 1/16 印张1.25 字数31千字2013年3月第一版2013年3月第一次印刷* 书号，155066. 1-46294定价21.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107GB/T 28856-2012 目次前言.皿1 范围-2 规范性引用文件3 术语与定义4 分类-4. 1 电隔离类型4. 2 敏感芯片参考感压腔类型25 基本参数5. 1 测量范围-5.2 工作介质25. 3 工作温度范
3、围-5.4 激励电源26 要求26.1 ，总贝。26.2 基本性能要求27 试验方法7.1 环境条件-7.2 电气连接及外观-7.3 敏感电阻.7.4 漏电流.7.5 击穿电压7.6 隔离电压.7.7 零点失调电压-7.8 常压失调电压7.9 静态性能7.10 稳定性88 检验规则.8 8. 1 检验分类.8 8.2 出厂检验.8 8.3 型式检验9 标志、包装、运输及贮存.10 9. 1 标志.10 9.2 包装.10 9.3 运输.109.4 贮存.t.四GB/T 28856-2012 附录A(规范性附录)传感器性能指标的计算方法11A. l 实际校准特性11A.2 最小二乘法直线方程A.
4、3 满量程输出(YFS)uA. 4 非线性() M A.5 迟滞仔.MA.6 重复性传. U A.7 准确度(HA. 8 零点漂移(dz) u A.9 热零点漂移归)MA.IO 热满量程输出漂移( M E GB/T 28856-2012 目U吕本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由中国机械工业联合会归口。本标准起草单位:沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、昆山双桥传感器测控技术有限公司、大连理工大学、中国电子科技集团公司第四十九研究所、北京鑫诺金传感技术有限公司、北京瑞普恩德斯豪斯仪表有限公司、南
5、京沃天科技有限公司、中国仪器仪表协会传感器分会、中国仪器仪表学会仪表元件分会。本标准主要起草人:唐慧、刘沁、徐秋玲、于振毅、张治国、徐淑霞、殷波、王冰、陈信琦、黄正兴、王文襄、郭宏、宁宁、李延夫、高峰。阳皿. / 飞二三.三二 /产/乞/ GB/T 28856-2012 硅压阻式压力敏感芯片1 范围本标准规定了硅压阻式压力敏感芯片(以下简称敏感芯片)术语和定义、分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于硅压阻式压力敏感芯片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新
6、版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 191- 2008 包装储运图示标志GB/T 2829 2002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)GB/T 7665-2005 传感器通用术语3 术语与定义3.1 3.2 GB/T 7665-2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。硅压阻式压力敏感芯片silicon piezoresistive pressure-sensitive chip 利用硅材料的压阻效应，将压力变化转换成电阻变化的压力敏感芯片。绝缘介质隔离dielectric isolation 用绝缘层(如氧化物)围绕着单片半导体敏感芯片中的元件，使该芯片中
7、的一个或多个元件之间形成电的隔离。(元件包含弹性膜片3.3 多余物foreign material 用压力为80kPa100 kPa细小气流吹不掉的异物。3.4 钝化层passivation layer 直接在芯片表面上生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料。4 分类4.1 电隔离类型按电隔离类型分为1-一-P-N结隔离;绝缘介质隔离。GB/T 28856-2012 4.2 敏感芯片参考感压腔类型按敏感芯片参考感压腔类型分为:一一-开放式参考感压腔敏感芯片;密闭式参考感压腔敏感芯片。5 基本参数5.1 测量范围 0 , 5.2 11 / 5.3 工作温度范围腐蚀性气体或液体。飞 除另有规定外
8、，推荐工作姐应范国的下限值为:-90.，一-80 .C , 70 .C，一60.C , +55 C , -45 .C , 一40.C , - 30 .C，一20，-19，o。除另有规定外推荐工作温度范围的上限值为:50 .C ,O .c ,40 .C , 85 .C , 100 .C , 125 .C , 150 .C , 飞/175 .C ,200 .0.300.C , 350 .C ,100 .C , 450 .C ,500 c , 550 .C 5.4 激励电源 / 川5.4.1 恒流激励、飞、流的数值不宜大于25.4.2 恒压激励 飞敏感芯片采用恒压激励时，直i、激励电压310VDC,
9、 12VDC, 15VDC, 18VDC, 24VDC,36VDC. 6 要求6. 1 总则敏感芯片应符合本标准和相关产品技术条件(详细规范)的规定，当本标准的要求与产品技术条件(详细规范的要求不一致时，应以产品技术条件(详细规范)为准。6.2 基本性能要求6.2. 1 电气连接敏感芯片的电气连接方式应符合产品技术条件(详细规范)的规定。2 GBjT 28856-2012 6.2.2 外观6.2.2.1 敏感芯片正面敏感芯片正面应符合下列要求:a) 缺损、裂纹及划伤缺陷不应触及距离有效图形和敏感膜片25m范围内区域;b) 敏感芯片缺损、裂纹或划伤裂纹不应延伸到金属化区或与之接触;c) 距离敏感
10、电阻25m范围内钝化层不应有坑或针孔;d) 金属化层损伤而暴露出下层钝化层，使保留的未被破坏的金属宽度应大于标称金属条宽度的50%; e) 在敏感芯片表面上附着的多余物的尺寸在任何一个方向上均应不大于25m。6.2.2.2 敏感芯片背面(适用时)敏感芯片背面应符合下列要求:a) 封接面应闭合;b) 静封缺陷应不影响标称封接面的封接;c) 敏感膜片上应元残留物。6.2.3 敏感电阻敏感芯片的敏感电阻标称阻值应符合产品技术条件(详细规范)的规定。其值宜从下列数值中选取:3500.，6000.，1ko., 2 ko., 3 ko., 4 ko., 5 ko., 8 ko., 10 ko., 12.
11、5 ko., 15 ko., 20 ko., 25 ko.。敏感电阻阻值的允差用阻值的百分数表示，宜采用下列数值:士10%，士15%，士20%，士25%。6.2.4 漏电流敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在规定的偏置电压下，允许漏电流应符合产品技术条件(详细规范)的规定。偏置电压推荐从下列数值中选取:10VDC, 15VDC, 20VDC, 25VDC, 30VDC, 35VDC，40VDC。6.2.5 击穿电压对于P-N结隔离型敏感芯片，敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在允许通过的最大规定电流下，击穿电压应符合产品技术条件(详细规范)及硬击穿的规定。最小击穿电压值宜从下列数值中选取:10VDC, 1
12、5VDC, 20VDC, 25VDC , 30VDC, 40VDC, 50VDC, 80VDC, 100VDC 测试电流推荐从下列数值中选取:2A，5A，10A，20A，50A。6.2.6 隔离电压对于绝缘介质隔离型敏感芯片，敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在允许通过的最大规定电流下，隔离电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定。最小隔离电压值宜从下列数值中选取:10VDC, 15 VDC, 20VDC, 25 VDC, 30 VDC, 40 VDC , 50 VDC, 80VDC , 100 VDC。测试电流推荐从下列数值中选取:1A，2A，5A，10A。6.2.7 零点失调电压对于开放式参考感
13、压腔敏感芯片，在规定的激励电源激励下，敏感芯片的零点失调电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定。其值宜从以下范围中选取:士1mV，士5mV，士10mV，士15mV，士20mV, 3 G/T 28856-2012 士30mV，士50mV。6.2.8 常压失调电压对于密闭式参考感压腔敏感芯片，在规定的激励电源激励下，敏感芯片常压下的失调电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定。其值宜从以下范围中选取:士1mV，士5mV，士10mV,:l: 15 mV，士20mV, 士30mV,:l: 50 mV，运100mV，运150mV。6.2.9 静态性能6.2.9.1满量程输出敏感芯片在规定的激励电源激励
14、下，满量程输出应符合产品技术条件(详细规范)的规定。其值宜从下列数值中选取:二三30mV，注40mV，注60mV，注80mV，二三100mV，注120mV，二三150mV，二三200mV, 注300mV，二三400mV，二三500mV。6.2.9.2 非线性敏感芯片的非线性应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定。表1敏感芯片非线性、迟滞、重复性、准确度等级准确度等级非线性迟滞重复性准确度%FS %FS %FS %FS 0.05 王三0.030.02 0.02 士0.050.1 0.065 0.05 主二0.035土o.1 0.25 主主0.15o. 10 主三O.10 土0.250.5 O
15、. 3 三三0.20.2 士O.5 1. 0 0.65 主二0.500.35 士1.02.5 主二1.50 主二1.00 主1.00 士2.56.2.9.3 迟滞敏感芯片的迟滞应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定。6.2.9.4 重复性敏感芯片的重复性应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定。6.2.9.5 准确度敏感芯片的准确度应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定。6.2.9.6 过载敏感芯片的过载应符合产品技术条件(详细规范)的规定。6.2.10 稳定性6.2. 10. 1 零点漂移敏感芯片在规定时间内的零点漂移应符合产品技术条件(详细规范)的规定。4 GB/T 28856-
16、2012 规定时间宜从下列值中选取:4h , 8 h ,12 h, 24 h , 48 h , 72 h , 96 h , 120 ho 漂移量数值宜从下列值中选取:O.05%FS，运O.l%FS，运0.25%FS，0.5%FS。6.2.10.2 热零点漂移敏感芯片的热零点漂移应符合产品技术条件(详细规范)及表2的规定。表2敏感芯片热零点漂移和热满量程输出漂移准确度等级热零点漂移热满盘程输出漂移% FS/C % FS/C 0.05 土0.01士0.01O. 1 士0.03土0.03O. 25 土0.04士0.040.5 士0.05土0.051. 0 土0.08土0.082.5 土O.10 土O
17、.10 注:激励电mt为1mAo 6.2. 10.3 热满量程输出漂移敏感芯片的热满量程输出漂移应符合产品技术条件(详细规范)及表2的规定。7 试验方法7. 1 环境条件7. 1. 1 环境净化条件敏感芯片应在不低于10万级的净化间内检验。7. 1. 2 参比大气条件敏感芯片的参比大气条件为:一一温度:20oC士2oC; 一相对湿度:30%60%;大气压力:86kPa106 kPa。7. 1. 3 一般试验的大气条件当敏感芯片不可能或元必要在参比大气条件下进行试验时，推荐使用下述大气条件:一一温度:15 oC30 oC; 一一相对湿度z65%;一一大气压力:86kPa106 kPa。7.2 电
18、气连接及外观敏感芯片应采用不低于10倍放大倍数的显微镜进行检查，检查应在照明条件下进行。结果应符合G/T 28856-2012 6.2.1、6.2.2的要求。7.3 敏感电阻测量各敏感电阻引出焊盘之间的电阻阻值，结果应符合6.2.3的要求。7.4 漏电流7.4.1 P-N结隔离型敏感芯片按图1所示的电气连接方式连接，在规定的偏置电压U下，测量元光照条件下标准电阻R标两端的电压V，按公式(1)计算出敏感芯片的漏电流，结果应符合6.2.4的要求。图1P-N结隔离芯片漏电流测试电气连接图式中:I漏一一-漏电流，单位为纳安(nA); Tlf= V 搭一V一一标准电阻h上的取样电压，单位为伏(V); R
19、标一一标准电阻的阻值，单位为兆欧(MD.)。7.4.2 绝缘介质隔离型敏感芯片. ( 1 ) 按图2所示的电气连接方式连接，在规定的偏置电压U下，测量标准电阻R标两端的电压V，按公式(1)计算出敏感芯片的漏电流，结果应符合6.2.4的要求。敏感电阻硅基底图2绝缘介质隔离芯片漏电流测试电气连接图7.5 击穿电压在规定的测试电流下，测量各敏感电阻引出焊盘与硅基底的引出焊盘之间的反向电压，在元光照条件下，结果应符合6.2.5的要求。GB/T 28856-2012 7.6 隔离电压在规定的测试电流下，测量各敏感电阻引出焊盘与硅基底的引出焊盘之间的电压，结果应符合6.2.6的要求。7.7 零点失调电压按
20、6.2.1规定进行电气连接，施加5.4规定的激励供电，测试输出电压，结果应符合6.2.7的要求。7.8 常压失调电压按6.2.1规定进行电气连接，施加5.4-规定的激励供屯，测试输出电压，结果应符合6.2.8的要求。7.9 静态性能二/ /尹二飞7.9.1 装配/ 儿测试的基座上，进行引线键合将信引比进付桥臂电阻、漏电流、击L、6.2.5、6.2.6自蝉，防-.灰尘和水气rrihn 7.9.2 试验装配肘的敏感芯片置于试验环且条件下不少于2h按6.2.1规定的电气连接方式连接好测试系统，施加5.4规定的激励供电，耐热30mino 给敏感芯片从零负荷加载到额定负荷。待负荷稳定时，再退至零负荷，如
21、此施加3次预负荷后，在敏感芯片的全量程范围内选择均匀分布的3个ll个试验点进行示值校准。示f.校(ft:从测量范围下限开始，按舰定的飞校准点平稳地加州JLl斐取每个校准过上jjm街时敏感芯片的输出值，一直到测量范围的上限(莉.;，r:行)。然后按原校附:点顺序回校(称反行和)0 -个正、反行程y一个循环，连续进行3个或3个叫标明吭1/ 7.9.3 满量程输出 -.-. / / 按附录A.3的规定计斗敏感芯片的满量程输出，结果应符合6.2:/!/l的要求。、飞、，二/兰/7.9.4 非线性号飞.平/仨/, / 按附录A.4的规定计算敏感芯片的非线性，结果应符合6.Z:9.2的要求。7.9.5 迟
22、滞按附录A.5的规定计算敏感芯片的迟滞，结果应符合6.2.9.3的要求。7.9.6 重复性按附录A.6的规定计算敏感芯片的重复性，结果应符合6.2.9.4的要求。7.9.7 准确度按附录A.7的规定计算敏感芯片的准确度，结果应符合6.2.9.5的要求。7.9.8 过载按产品技术条件(详细规范)规定，对装配后的敏感芯片施加过载负荷，保持时间不少于1min，然GB/T 28856-2012 后退至零负载，重复3次。恢复3min后测试，结果应符合6.2.9.6的要求。7.10 稳定性7. 10. 1 零点漂移按产品技术条件(详细规范)规定，对装配后的敏感芯片在恒温条件下，不加载荷，在规定的时间内选择
23、均匀分布的不少于9个时间试验点记录敏感芯片的零点输出，零点漂移按附录A.8的规定进行计算，结果应符合6.2. 10. 1的要求。7. 10.2 热零点漂移将装配后的敏感芯片放入高低温试验箱中，分别在:室温、上限工作温度、下限工作温度各恒温1h 或按产品技术条件(详细规范)规定的时间，记录上述各温度点的零点输出值。热零点漂移按附录A.9的规定进行计算，结果应符合6.2.10.2的要求。7.10.3 热满量程输出漂移将装配后的敏感芯片放入高低温试验箱中，分别在:室温、上限工作温度、下限工作温度各恒温1h 或按产品技术条件(详细规范)规定的时间，记录上述各温度点的满量程输出值。热满量程输出漂移按附录
24、A.10的规定进行计算，结果应符合6.2.10.3的要求。8 检验规则8.1 检验分类检验分为出厂检验和型式检验。8.2 出厂检验每只敏感芯片应经制造厂检验部门按照规定的检验项目进行检验，检验合格后方可出厂。出厂检验项目、检验顺序按表3规定进行。表3检验项目和检验顺序序号检验项目要求试验方法出厂检验型式检验检验项目章条号章条号项目项目不合格类型1 电气连接及外观6. 2. 1、6.2.27.2 、/、jC 2 敏感电阻6.2.3 7.3 、/、/C 3 漏电流6. 2. 4 7.4 J 、/B 4 击穿电压6.2.5 7. 5 J J B 5 隔离电压6.2.6 7.6 、J、/B 6 零点失
25、调电压6.2.7 7.7 、/、JB 7 常压失调电压6.2.8 7.8 、/、/B 8 满量程输出6.2.9.1 7.9.3 、/C 9 非线性6.2.9.2 7.9.4 、/B 8 GB/T 28856-2012 表3(续序号检验项目要求章条号10 迟滞6.2.9.3 11 重复性6.2.9.4 12 准确度6.2.9.5 13 过载6.2.9.6 14 零点漂移./ 6. 2. 10. 1 / 15 热零点漂移/ 6.2. 10. 2 16 热满盘程阳军移L二;二二/6.2.10.3 注:川为阱如户为不检验项目。式J8.3. 1 / 敏感芯片具备下列情况之二时，应进行硝JU检验。/ 一一
26、新产品或老产品转厂生产的试验定驯鉴定;一正式生产后，如结构、材料、工艺轩i1ft大改变;试验方法出厂检验型式检验检验项目章条号项目项目不合格类型7.9.5 、/B 7.9.6 、/B 7.9.7 、JB 7.9.8 J B 7.10.1 、/B 7. ). 2 . ￥入.J B 7.10.3 飞寸三 J B 、七正常生产时，定期或积累一定、产量后!hv.周期性地进行检验，检验周期一般应为2年5式检验阳时二/8.3. 8.3. 型式检验的抽样按GB/T2829-22相应条款执行，以不合格品数为判断依据。样本量n=10，采用判别水平I的一次性抽样方案，采用不合格质量水平RQL=20，判定数组Ac=
27、l、Re=2o项目判定每只样品有1个B类不合格或3个C类不合格，结果判定该样品合格。10只样品中有1只不合格，判定该批产品合格;有2只以上(含2只)不合格，判定该批产品不合格。判定数组样本共10只，由质量管理部门按随机的方式抽取，生产部门提供的样品基数应大于2倍抽样样品数量。8.3.4 对不合格判定的处理检验结果被判定为型式检验不合格时，按GB/T2829-2002中的规定进行处理。8.3.5 对型式检验后的样晶的处理经型式检验后的样品，按GB/T2829-2002中的规定进行处理。9 GB/T 28856-2012 9 标志、包装、运输及贮存9. 1 标志9. 1. 1 敏感芯片包装盒在敏感
28、芯片包装盒上应标明:a) 敏感芯片版图代码;b) 量程;c) 受压方式;d) 数量;e) 生产批次号。9. 1. 2 敏感芯片外包装箱(盒)在敏感芯片的外包装箱(盒)外表上应有运输标志，并标明:a) 产品名称及型号规格;b) 收货单位;c) 发货单位;d) 注意标志;巳)装箱日期。9.2 包装9.2.1 敏感芯片包装敏感芯片的包装应符合设计文件要求，包装的图示标志应符合GB/T191-2008的规定。敏感芯片应采用防尘、防划伤、防静电的专用包装盒进行包装，包装盒外部应采用防震、防雨、防潮气聚集的塑料薄膜包裹，顶部、底部及产品四角应按需衬垫泡沫层;技术文件如使用说明书、合格证明书和保修单等应进行
29、密封防潮包装，固定在包装箱内部明显的位置。9.2.2 随箱文件随箱文件包括:a) 装箱单;b) 产品合格证;c) 使用说明书;d) 其他相关文件资料。9.3运输包装成箱的敏感芯片运输应严格遵照包装箱上注明的条件。运输方式按订货合同上说明的要求执行。9.4 贮存敏感芯片应存放在不低于10.C35 .C、相对湿度不大于65%、洁净度不低于10万级的净化环境内，环境内空气中不得含有腐蚀性气体。10 G/T 28856-2012 附录A (规范性附录)传感器性能指标的计算方法A.1 实际技准特性敏感芯片的实际校准特性通过敏感芯片装配成敏感器件的静态校准获得。设在敏感芯片的整个测量范围内有m个校准点，一
30、般取m=(511)点，进行次压力循环校准试验，校准循环一般取=(35)次，则在任一校准点上分别有n个正、反行程试验数据，按公式(A.1)计算每个校准点上正行程试验数据的平均值，按公式(A.2)计算每个校准点上反行程试验数据的平均值，按公式(A.3)计算总的平均值。A.2 正行程平均值:YUFt2Y向反行程平均值:飞=tZY问总平均值:Yi=专(丸i+飞)式中:YUij一一+正行程第i个校准点第j次的示值(i=1，2，3，m，j=1，2，3，n); YDij一一一反行程第i个校准点第j次的示值。=1，2，3，m，j=1，2，3，的;Yi 第i个校准点正反行程总平均值;n 重复试验次数;m 一一校
31、准点个数。最小二乘法直线方程按公式(A.4)，最小二乘法直线方程为:截距a按公式CA.5)计算:斜率b按公式CA.6)计算:YLS=a十bXZX立-XiXiYimX;一(XYb= mXiYi-Xi2:E mX;一(XY.( A.1 ) C A.2 ) .(A. 3) .( A.4 ) .( A.5 ) .( A.6 ) 11 GB/T 28856-2012 式中:Xi-.第t个校准点的压力值(i=l，2，3，叫。A.3 满量程输出(Y.-S)敏感芯片测量上限输出值与测量下限输出值之差的绝对值(以理论特性直线的计算值为依据)为满量程输出，按公式(A.7)计算:式中:b 一一理论工作直线的斜率;X
32、H一一测量上限的压力值;XL -_.一测量下限的压力值。A.4 非线性(L)YFs=lb. (XH-XL)I 敏感芯片的非线性指标，按公式(A.的计算:6_=J飞丁山|1 , : l -.iil max X 100% 式中:Yi 一一-根据公式(A.3)式计算出的第t个校准点正反行程总平均值;Y山一一根据公式(A.4)式计算出的最小二乘直线方程的输出值;YFS一一一满量程输出值。A.5 迟滞(H)按公式(A.9)计算敏感芯片的迟滞:E一|YuzZYu|H X 100% 式中:YUi一一同一校准点上正行程示值的平均值;YDi 同一校准点上反行程示值的平均值。A.6 重复性(R)采用贝赛尔公式分别
33、计算每个校验点上正、反行程输出值的子样标准偏差:按公式(A.10)计算正行程子样标准偏差SUi:SUi=J丘吉YUij一切Z按公式CA.11)计算反行程子样标准偏差5川. ( A.7 ) .( A.8 ) .( A.9 ) . ( A. 10 ) 5四=.1_1);(儿一丸)2. ( A.11 ) 气/n-l.i=i按公式CA.12)计算敏感芯片在整个测量范围内的子样标准偏差S:S= I本(25MZ). ( A. 12 ) 12 -G/T 28856-2012 则按公式(A.13)计算敏感芯片的重复性:R=之叫( A.13 ) 式中:一一-包含因子，敏感芯片的校准试验，一般只作n=(35)个循
34、环，其测量值属于小样本。对于小样本，t分布比正态分布更符合实际情况。本标准按t分布取包含因子=tO. 95 (保证95%的置信度)0 tO.95与校准循环次数n的关系见表A.1o表A.1校准循环次数与包含因子10 2. 262 A.7 准确度()A. 7.1 准确度计算原则敏感芯片的准确度是系统误差与随机误差的综合反映，即取决于系统误差带队与随机误差带队的大小。A.7.2 敏感芯片的系统误差带U1按公式(A.14)计-算正行程的系统误差:(.Y) Ui = I YUi - YLSi I max 按公式(A.15)计算反行程的系统误差:(.Y) Di = I Y队-Y山Imax 则按公式(A.1
35、6)计算系统误差带U1:U1 = max (.Y) Ui , (.Y) Di A. 7. 3 敏感芯片的随机误差U2按公式(A.17)计算敏感芯片的随机误差带Uz:Uz=士35A.7.4 敏感芯片的准确度也)按公式(A.18)计算敏感芯片的准确度已A.8 零点漂移(dz)|U11十IUzI/1 n/ =土v1-. I X 100 % .L FS 按公式(A.19)计算敏感芯片的零点漂移dz:式中z|Ymax-Ym I /1 n/ dZ=，maT mmIX100% .L FS Ymax一零点漂移考核期间内零点示值的最大值;( A. 14 ) ( A. 15 ) ( A. 16 ) . ( A.
36、17 ) .( A. 18 ) ( A. 19 ) NONlu的NH阁。GB/T 28856-2012 Ymin二零点漂移考核期间内零点示值的最小值。. ( A.20 ) 热零点漂移()按公式(A.20)计算敏感芯片的热零点漂移:YL(t2)-YL(t1)川=，;L-. -L- X100% YFS(t1) (t2-t1) -FU A , 9 俨d 式中:一-室温，单位为摄氏度CC);t2 一一上限补偿温度或下限补偿温度，单位为摄氏度CC);Y L (t1 ) -一室温时，敏感芯片的零点输出;Y L (t2)一上限补偿温度或下限补偿温度下，敏感芯片零点输出;Y FS (t1) -t1温度下敏感芯片满量程输出。t1 . 热满量程输出漂移(fJ)A.10 按公式(A.21)计算敏感芯片的热满量程输出漂移卢:YH(t2)-YL(t2)一YH(t1)-YL(t1)V 1 (f0/ YH(t1)-YL(t1) (t2-t1) j_VV/O . ( A. 21 ) 卢式中zY H (t1 ) 室温时，敏感芯片的测量上限输出;Y H (t2)一一上限补偿温度或下限补偿温度下，敏感芯片的测量上限输出。侵权必究晤书号:155066 1-46294 定价:21. 00元版权专有GB/T 28856-2012 打印日期;2013年3月28日F002A
