GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf

上传人:proposalcash356 文档编号:209614 上传时间:2019-07-14 格式:PDF 页数:6 大小:438.78KB
下载 相关 举报
GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf_第1页
第1页 / 共6页
GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf_第2页
第2页 / 共6页
GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf_第3页
第3页 / 共6页
GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf_第4页
第4页 / 共6页
GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf_第5页
第5页 / 共6页
亲,该文档总共6页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、ICS 29.045 H 83 gB 中华人民共和国国家标准G/T 20229-2006 磷2006-04-21发布化镣单Gallium phosphide single crystal E3 日日中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员全2006-10-01实施本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由信息产业部(电子)归口。目U1=1 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。GB/T 20229-2006 I 磷化镣单1 范围E3 日日GB/ T 20229-2006 本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化嫁单晶链

2、及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于高压液封直2 规范性引用文件GB/ T 43 GB/ T 66 3 要求3.1 牌号磷化嫁单HPLEC 示例:HPLEC-GaP-N(S) -( 3. 2 磷化鲸单晶链特性3. 2. 1 磷化嫁的导电类型为n型。的引用文件,其随后所有准达成协议的各方研究(111)晶向磷化嫁单晶。3.2.2 磷化嫁单晶链的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定。表1磷化嫁单晶的导电类型、掺杂剂、电学参数掺杂剂载流子浓度/迁移率/电阻率/导电类型cm -3 cm2 /C V. s)J CO cm) S 2 X 1017 8

3、X 1017 二主100101103 掺杂n型Te 2 X 1017 8 X 1017 二三100101103 非掺n型o. 5 X 1017 2 X 1017 二:;,110GBjT 20229-2006 3.2.3 磷化嫁单晶链的晶向为011。3.2.4 磷化嫁单晶链的直径为50.8mm。3.2.5 磷化嫁单晶链的表面应元裂纹、无孪晶线、无夹杂、无微孔等。3.3 磷化嫁单晶片特性3.3. 1 磷化嫁单晶片的电学参数应符合表I的规定。3.3.2 磷化嫁单晶片的位错密度应不大于5X105cm2。3. 3. 3 磷化嫁单晶片的表面应无裂纹、无孪晶线,无微孔、无桔皮、无白雾等。3.3.4 磷化嫁单

4、晶片的几何参数应符合表2的规定。表2磷化鲸单晶片的几何参数直径/mm直径偏差/mm厚度/m50.8 :1: 0.5 285 注:其他要求由供需双方商定。4 试验方法4. 1 磷化嫁单晶导电类型测试方法按GB/T1550规定的方法进行。4.2 磷化嫁单晶电学参数测试方法按GB/T4326规定的方法进行。4. 3 磷化嫁单晶晶向测量方法按GB/T1555规定的方法进行。厚度偏差/m土154.4 磷化嫁单晶外形尺寸测量方法用精度为0.02mm的游标卡尺和精度为0.005mm的千分尺测量。4.5 磷化嫁单晶位错密度测量方法按GJB3076规定的方法进行。4.6 磷化嫁单晶片厚度和厚度变化测量方法按GB

5、/T6618规定的方法进行。5 检验规则5. 1 检查和验收5. 1. 1 磷化嫁单晶链及单晶片应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写质量证明书。5. 1. 2 需方应对收到的产品按本标准的规定进行复检。复检结果与本标准及订货合同的规定不符时,应在收到产品之日起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决。5.2 组批磷化嫁单晶链及单晶片以批的形式提交验收,每批应由同-牌号,相同规格的磷化嫁单晶链或单晶片组成,或以单晶链为单位构成批。5.3 检验项目每批磷化嫁单晶钝应检测导电类型、电学参数、晶向、位错密度,对于单晶片还要检测晶片的直径、厚度和厚度变化。其他性能由供

6、方根据生产情况进行定期检测或抽检,如需方有特殊检测要求,由供需双方协商检测项目。5.4 取样构成批的单晶链从两端按所需晶面取样检测,头尾各切两片。单晶片的每批产品、各项目的检测采用GB/T2828一般检查水平II.正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定。5.5 检验结果的判定5.5.1 导电类型、晶向、电学参数及位错密度检验若有片不合格,则判定该批产品不合格。其他检验项目及单晶片合格质量水平(AQU见表3、表40GB/T 20229-2006 表3磷化嫁单晶链的检验项目序号检验项目取样位置取样数量/个检验方法迁移率单晶链两端各24. 2 2 电阻率单晶键两端各24. 2 3 载流子浓度

7、单晶镀两端各24. 2 4 位错密度单晶旋两端各24. 5 表4磷化锦单晶片的检验项目及合格质量水平序号检验项目取样位置取样数量检验方法合格水平CAQL)直径随机2 4.4 1. 0 2 厚度随机2 4. 6 1. 0 3 厚度变化随机2 4. 6 1. 0 5.5.2 抽检不合格的磷化嫁单晶片,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格单晶片可重新组批。5.5.3 当出现其他缺陷时,该批产品由供需双方协商处理。6 标志、包装、运输、贮存6. 1 标志6. 1. 1 磷化嫁单晶链应装入洁净的塑料袋内,每个袋外应贴有标签。单晶片应装入专用的晶片盒中,外用洁净的塑料袋密封。每个晶片盒应贴有

8、产品标签。标签内容至少应包括:产品名称(牌号),规格,片数,批号及日期。装链袋和片盒再装入一定规格的外包装箱,采取防震、防潮措施。6. 1.2 包装箱内应有装箱单,外侧应有小心轻放、防震、防潮、易碎的标识,并标明:a) 需方名称,地点;b) 产品名称,牌号,单晶链的编号及晶片序号;c) 生产厂名称、商标;d) 片数,批号。6.2 内包装晶片经检验后,装入包装盒内,应防止单晶片松动,并附有合格证书。6.3 外包装将装有晶片的包装盒装入包装箱内,并用软填料将箱塞满,使盒在箱内不致移动,然后钉盖,固紧。6.4 运输和贮存产品在运输过程中应防止化学物质腐蚀、轻装轻卸,勿挤勿压,并采取防震防潮措施。产品

9、应贮存在清洁、干燥的环境中。6.5 质量证明书每批磷化镰单晶链及单晶片应附有产品质量证明书,注明:a) 供方名称、地址、电话、传真;b) 产品名称(牌号); c) 片数,批号;d) 各分析检验结果和技术(质量)监督部门印记;e) 供应状态;f) 规格;g) 本标准编号;h) 出厂日期。CON-mNNONH筒。国华人民共和国家标准磷化嫁单晶GB/T 20229-2006 中司除中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销9号印张O.5 字数7千字2006年9月第一次印刷开本880X1230 1/16 2006年9月第二版9峰定价8.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-28062 GB/T 20229-2006

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 标准规范 > 国家标准

copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1