1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 596J SJ 50033/ 12997 半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD 155 low frequency and high - power transistor 1997啕06嗣17发布1997-10“01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor discrete devic
2、es Detail specification for type 3DD 155 low- frequency and high power transistor 时50033/129-97 本规范规定了3DD155AF型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2 适用？在罔本规沾边用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33半导体分立器件总规范）1.3的规定，提供的质量等级为普军、特革和坦持平二银，分）JJ日字母GP,GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587-94 双极型晶体管GB 7581-87 半导体分JI
3、器件外形尺寸GJB 33-85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3要求3. 1 详细要求各项要求符合GJ日33和本规班的规定。3.2 设计和1kiI构器件的设计和结构应按GJB汩的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表因为锡层或保底。3.2.2 器件结构器件为外延台商或三盘扩散台团结构。中华人民共和阁电子工业部19976-17发布1997-10-01实施SJ 50033/ 12997 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的日2一01日型的要求，见图lo险j挣脱固出了道ll一基极2一发射极外壳集电极因l外形因3.3 最大额定值
4、和主要电特性3.3. 1 最大额定值字卖日2-0lB町unno口1max A 9.8 bi 1.52 2 0.9 1.1 。15.0 d 3.0惕F 3.0 L 8.5 10.5 Li 1. 5 p 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 Rz 4.3 s 13.1骨U1 31.4 U2 19.0 l) 型号Ptot Vero Vr.盼le 1、ir啕Tc 25 w v v v 人 3DD155A 80 50 3DD155B 150 100 3DD155C 30 200 150 5 2 175 55 175 3DD155D 250 200 3DD155E 300 250 3DD1
5、55F 350 300 -2一创50033/129-97 注：1) Tc25时，按200mW/K的班率钱性地降额。3.3.2 主要电特性（TA=25） 1) Vcr., VBE副Re出）j-c hFEt le lA le口lAYcr=lOV 极限值V且svIB= 0. lA IB= 0. lA le Z二O.SAle= lA 25 Tc55时，其误差小子土10%03.4 ft!.测试要求rt1，测试成符合GB4587及本规范的规定。3.5 1引志标志服符合GJB33及本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。
6、4.3 筛选（仅对GT和GCT级）筛选应按GJB33的表2和本规施的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规戒丧：极限值的器件应予剔除。筛选（见GJB33的表2)测试或试验试州四川一数p参中由M电冲U一问热忧？中qJ句J试验条件：盟度：55150，循环次数：20次；恒温各30mm转换t,01初始值的100%或100.A取较大者I .1hm I初始值的20%一3一时50033/129-97 4.4 质量一致性检验质最一致性检验按GJB33的规定。4. 4. 1 A组检验A组检脸应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 日组检验日组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行04.4.3
7、 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的划定进行。4.5 检监方法检验方法应按本规？也相应的表和下罗1J规定。4. 5. 1 协冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。我lA组检验GB 4587 检验戒试验方法条件Al分组外观及机械检验GJB 128 2071 一？一一一一A2分是1集电极一发射极：本蜿7ff.发射悦荔放If路；击努电压附录Ale工lmA3DD155人3DD155日3D口155C3DD155D 300155瓦3DD155F 发射版基榄2.9.2.2 集电极在极开路；击穿rt!,压h=0.3mA 集电报一荔极2.1 发射极荔极fl：路；戳止电流VcB Vc
8、Bo 集电极发射极2.14 发射极一基极开路；献止电流VcE=0.5Vcrn 集电极一发射极2.3 le= lA 饱和电压Ill=O. IA 脉冲法（见4.5.1)基极一发射极2.4 le= lA 饱和电压Ill=O.lA 脉冲法（见4.5. l) 正向电rm:传输比2.8 YcE= SV le= lA 脉冲法（见4.5.1) 4一LTPD 5 5 极限值符号单位最小值最大值VrnRlCEO 50 一v 100 v 150 一v 200 一飞J250 v 300 v V(BR)EOO 5 v I C1l0! 0.2 mA Icw 0.4 mA V Clltot 1. 0 v V BEtot 1
9、. 5 v hFEI 红15 25 橙25 40 臼50033/12997续表1GB 4587 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值黄40 55 绿55 80 蓝80 120 A3分组5 高温工作TA= 125土5集电极基幌2.1 发射极基极开路lcsoz 2 mA 献止电流Vc8=0.7Voio 低晦工作了A口甲55正向电流传输比2.8 Vo：罕5VhFEo 10 一I c = IA 脉冲法（见4.5.1)A5分割安全工作区丁c口2510 （直流）t =ls，且在试验1VcE口15V,le 2A 试验2VcE 25V, le= l .2A 试验33DD155A V:E =
10、sov. le口320mA3bDI55B v o：币IOOV,Ic=83mA 3DD155C VCE= 150V, le口38mA3日。1550VCE=200V, le= 22mA 3DD155E VcE 250V, Ic=I4mA 3DD155F VcE = 300V, le= IOmA 最后测试见表4步骤1和3表28组检脸GB 128 极限值检验就试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值日1分组15 可焊性2026 标志、耐久性1022 一一”阳分赳10 一5一时50033/129叫97续表2G日128极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值热冲击1051 榄度：由SS15
11、0；（掘皮帽环）铺环次数20次假植各30min转换t3min密封1071 a）细检漏试验条件Hb）粗检漏试翰条件F最后测试见表4步骤l和3m分组5 稳恋工作寿命1027 T; 162.S土12.5VcE25V Pro120W t = 340h 最后测试见号是4步骤2和4B4分组母批iI （仅对GCT娥）开帽内部目检2075 （设计核实）.o失效键俞强度2037 试验条件人20(c工0)日5分组15 热阻GB 4587 Yci; lOV R也）j-c 一5 飞W2.10 Ic=O.SA 25Tc运75B6分组7 高温寿命1032 TA 175 （非工作状态）最后测试见表4辘2和4表3C组检验GJ
12、B 128 检验或试验一一一L丁PD方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见回lC2分组10 热冲击1056 试验条件B0叶100（破璃应力）一6时50033/129-97 镇表3GJ日128检验或试验LTPD 方法条件引出端强度2036 试验条件A受试端数：2加力20Nt = 10s 衔封1071 a）细位漏试验条件Hb）粗检捕试验条件F综合晦皮眼皮周期试验1021 4个周期外观及机械检验2071 最后测试见费4骤l和3C3分组10 冲过于2016 按总规范变频报动2056 按总规m:但IE加i草皮2006 按总规？自最后测试见表4;JV骤1和3C4分组15 （仅供海用）盐气（侵蚀）. 1
13、041 C6分组辑、态工作寿命1026 TA口162.5土12.5I.= 10 VcE= 25V P，刑二月owt = lOOOh 最后测试见衰4步骤2和4表4A组、日组和C组最后测试GB 4587 极限值步骤测试符号单位方法条中最小值最大值集电极一荔榄发射极一基极开路截止电流2.1 Ven口V功。I。如10.2 mA 电极3在极发射极基极开路2 截止电rm:2.1 VcB V I C辄）l。4mA 正向电、流传输lt2.8 VcB=5V h FF.I le= lA 红15 25 脉冲法（见4.5 .1) 橙25 40 3 黄40 55 绿55 80 蓝80 川L-7一SJ 50033/ 12
14、9.四97续表4GB 4587 步骤现l试符号方法条件正向电流传输比2.8 VSV 1) 4 le= lA I i:hFEI I 脉冲法（见4.5.1) 植：1)本视tli式崩过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项6. 1 预定用途符合本规班的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容：a）本规植的名称和编号；b）等级（见1.3.1);c）数量；d）需要时，其他要求。极限值最小慎最大值初始值的25%6
15、. 3. 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.l)o 6.4 如需要时，典型特性曲线等吁在合问或订货单中规定。6.5 直流安金工作区，见图2o-8一单位“ 50033/12997 25 2 3DD155A 3DD155B 3DD155C 3DD155D mmssE 3DD155F 0.1 气）JM相时常聪副峨0.01 1000 100 200 300 150 250 50 集电极发射极电压v叫V)10 9 3DD155型直流安全工作图2Al 日的时50033/129”97附袋A集电极发射极击Jf.电压测试方法（补充件）本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击
16、穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路。按：在测试电流时，电疏袭的接头之间实际上可辛辛成姐路，成对电压表读数作因电流表压降的校.iEo因Al集电极一发射极击穿电压测试电路回A3 测试步磁限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体智和电流表。施加规定的偏提条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流所加的电庞大于y(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，！好须使晶体管的集电极电流及钳制保持在安全值以内。A4 规定最件a.环境翻度TA;b.测试电流Ico一10一时50033/129幽幽97附加说明：本规部由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七七厂负责起草。本规范主要起1客人：玉保械、蔡仁明。计划项目代号：B51049o一11一
